Cтраница 3
Образование и рост новой фазы обычно протекает в две стадии: 1) образование небольших устойчивых зародышей новой фазы - центров кристаллизации и 2) рост центров кристаллизации до размеров, соответствующих количеству новой фазы по условиям равновесия. Скорость всего процесса кристаллизации может определяться либо скоростью образования центров кристаллизации новой фазы либо стадией их роста. [31]
Эти положения Л.Н. Александров и Б.Я. Любов применили к рассмотрению изотермического распада аустенита в углеродистых и легированных сталях, причем были оценены значения ррр, при которых кинетика роста центра начинает контролироваться диффузионными процессами. Для углеродистой стали вблизи Acl pj - р лежит в области значения 10 4 - 10 - 3 см, для легированных сталей существенно ( на 1 - 2 порядка) возрастает. Отсюда авторы делают вывод о том, что в легированных сталях скорость распада аустенита может контролироваться лишь процессом перестройки решетки. В углеродистых же сталях с определенного момента происходит изменение определяющего звена процесса. [32]
Эти положения Л.Н. Александров и Б.Я. Любов применили к рассмотрению изотермического распада аустенита в углеродистых и легированных сталях, причем были оценены значения ргр, при которых кинетика роста центра начинает контролироваться диффузионными процессами. Для углеродистой стали вблизи / 4с, ррр лежит в области значения 10 - 4 - 10 - 3 см, для легированных сталей существенно ( на 1 - 2 порядка) возрастает. Отсюда авторы делают вывод о том, что в легированных сталях скорость распада аустенита может контролироваться лишь процессом перестройки решетки. В углеродистых же сталях с определенного момента происходит изменение определяющего звена процесса. [33]
Нерастворенные примеси в металле ( сплаве), являясь барьерами, у которых скапливаются дислокации при деформации, усиливают неоднородность скольжения и распределения дислокаций и тем самым уменьшают рост центров рекристаллизации. Более высокие температуры рекристаллизации в стареющих сплавах объясняются резким торможением роста зародышей частицами дисперсных фаз, выделяющихся при нагреве. [34]
Поскольку легирующие элементы слабо влияют на диффузию углерода в у-фазе, да и энергия активации диффузии самих легирующих элементов намного меньше указанной, объяснение их задерживающего влияния на скорость роста аустенитных центров вызывает определенные трудности и весьма противоречиво. [35]
Поскольку легирующие элементы слабо влияют на диф фузию углерода в у-фазе, да и энергия активации диффузии самих легирующих элементов намного меньше указанной, объяснение их задерживающего влияния на скорость роста аустенитных центров вызывает определенные трудности и весьма противоречиво. [36]
Таким образом, в результате проведенного исследования [76] установлено, что в светочувствительных стеклах с высоким содержанием Sb в результате восстановления ионов Аи сурьмой при повышенных температурах осуществляется непрерывный процесс образования и роста центров кристаллизации благодаря выделению частиц Аи из пересыщенного раствора. В светочувствительных стеклах с пониженным содержанием Sb такой процесс не имеет места, выделение Аи здесь происходит лишь на определенном и очень ограниченном числе центров, возникающих Б результате восстановления фотоэлектронами незначительного числа ионов Аи. Восстановление фотоэлектронами происходит только на ранних стадиях процесса образования определенного числа центров. [37]
Кристаллизационная способность зависит от двух главных факторов: от спонтанного образования центров кристаллизации, измеряемого числом спонтанно образующихся зародышей в единице объема в единицу времени при заданной степени переохлаждения, и от скорости кристаллизации, определяющейся ростом центров кристаллизации в миллиметрах в единицу времени. [38]
Ранее предполагалось, что механизм действия органических стабилизаторов, например производных триазаиндолицина, в результате образования более прочных и более трудно диссоциирующих серебряных солей стабилизатора [117] связан с блокированием межкристаллических желатинатов серебра, которые служат потенциальным источником металлического ( атомного) серебра для роста центров вуали. Последующие исследования показали [118], что причиной вуалирования фотографических слоев при старении служит разложение желатинатов серебра не в межкристаллическом пространстве, а на самой поверхности эмульсионных микрокристаллов. Образующиеся при этом сульфид серебра и атомы Ag увеличивают размеры центров вуали и делают их более активными. Стабилизаторы разрушают желатинаты серебра, превращая их в свои серебряные соли, термически более стабильные и не восстанавливаемые желатиной. В результате во время хранения фотоматериала вуалирования эмульсионного слоя не происходит. [39]
Для распада пересыщенного твердого раствора характерно наличие трех последовательных стадий: зарождение, рост, коа-лесценция. Рост центров новой фазы, состав которой отличается от состава матрицы, определяется диффузией, и на начальных стадиях, непосредственно после зарождения, скорость роста обусловливается процессами на межфазной границе. На более поздних стадиях роста пересыщение вблизи границы становится крайне мало и дальнейший рост частиц фазы выделения происходит за счет диффузии из объема матрицы. Схема распределения концентрации у границы частицы фазы выделения на данной стадии роста приведена на рис. 10.6. В процессе роста пересыщение в матрице убывает и для малых пересыщений рост частиц уже не может осуществляться за счет диффузий из объема. Однако и на этой стадии диффузионный рост частиц не прекращается: наиболее крупные частицы продолжают расти за счет растворения мелких частиц выделяющейся фазы. [40]
Физический смысл этого соотношения может быть понят следующим образом. Рост произвольно выбранного реального центра замедляется в результате подавления при соприкосновении с областями, в которых фазовый переход уже произошел. В связи с тем, что зародыши, как реальные, так и гипотетические, возникают беспорядочно по всему объему, то и вкрапления новой фазы будут также беспорядочно распределены в пространстве. [41]
Конечно, этот процесс в силу структурной неоднородности протекает не одновременно во всем объеме образца. Поэтому рост центров в одних участках, как правило, сопровождается продолжающейся полигонизаци-ей в других. [42]
Зарождение и рост центров рекристаллизации являются термически активируемыми процессами. Для данной степени деформации зависимость N и G от температуры описывается уравнениями Аррениуса: NN0exp ( - QN / / RT); G G0exp ( - Qo / RT), где QN и Qa - соответственно эффективные энергии активации процессов зарождения и роста центров. [43]
После образования центров кристаллизации при продолжающейся эмульсификации идет их рост за счет вновь образующегося галогенида серебра; при этом происходит и частичное слипание центров. В процессе роста центров ионы кристаллизующегося вещества должны преодолеть сопротивление адсорбционного слоя ионов или молекул на поверхности кристалла. Таким образом, процесс кристаллизации состоит из двух фаз: диффузии кристаллизующегося вещества через слой, адсорбированный на поверхности кристалла, и перехода ионов этого вещество из полуориентированного состояния в упорядоченное состояние кристаллической решетки. Если скорости этих фаз сильно различаются, общую скорость процесса определяет скорость более медленной фазы, в случае получения фотографической эмульсии - скорость диффузии ионов. [44]
Если центры локализуются на пов-сти раздела фаз твердых реагента и продукта, процесс относят к топо-химическим реакциям. Локализация и скорость роста центров может определяться диффузией ( напр. [45]