Быстрый рост - кристалл
Cтраница 1
Быстрый рост кристалла приводит к значительным колебаниям концентрации примеси у фронта кристаллизации и к нестабильности границы раздела фаз. Это явление можно рассматривать как особый случай переохлаждения, когда градиенты температур и концентраций в расплаве обусловливают его перенасыщение непосредственно у отвердевающей поверхности. [1]
 |
Электронная микрофотография скола гранулы аммофоса на основе фосфорной кислоты из фосфоритов Каратау ( увеличение Х20000. [2] |
Быстрый рост кристаллов обеспечивается различными путями. Во-первых, происходит адсорбция отдельных ионов на активных центрах поверхности, которыми, в большинстве случаев, являются различные поверхностные дефекты кристаллической решетки; во-вторых, зародыши кристаллов сталкиваются в растворе с ассоциатами, которые, уплотняясь под действием поверхностных сил кристалла, образуют новые кристаллические блоки в растущей частице; в-третьих, возможны соударения зародышей, образование фазовых контактов по механизму, описанному в предыдущей главе, с последующим заращиванием полостей между контактами. [3]
В период быстрого роста кристаллов скорость образования твердой фазы определяется двумя основными факторами: концентрацией зародышей и степенью пересыщения раствора. Условием массовой кристаллизации является высокий уровень пересыщения, который должен поддерживаться постоянным или даже несколько повышаться в процессе кристаллизации. В противном случае система быстро перейдет в состояние, характеризумое на диаграмме состояний ( рис. 2 - 1) кривой растворимости. [4]
Однако механизм дальнейшего быстрого роста кристаллов, выщелоченных при низкой температуре, недостаточно ясен. Этот катализатор с успехом применялся для активации кислородных электродов и при 200 г / м2 показал высокие активность и стабильность. [5]
Адсорбционная окклюзия наблюдается при быстром росте кристаллов. Адсорбированные на поверхности растущего кристалла противоионы тогда не успевают удалиться с нее и обрастают следующими слоями вещества. Во избежание этого осаждение следует вести медленно. [6]
Адсорбционная окклюзия наблюдается при быстром росте кристаллов. Адсорбированные на поверхности растущего кристалла противо-ионы не успевают удалиться с нее и обрастают следующими слоями вещества. Во избежание этого осаждение следует вести медленно. [7]
Крупнокристаллические осадки быстро фильтруются, но вследствие быстрого роста кристаллов они легко захватывают внутрь себя маточный раствор и посторонние ионы. Эти окклюдированные вещества не могут быть затем удалены при высушивании или прокаливании. Они удаляются только путем многократного переосаждения. Окклюзии способствует высокая концентрация осадителя, если его неравномерно прибавлять по каплям в раствор, что можно устранить постоянным перемешиванием, а также нагреванием раствора. [8]
Соотношения (3.3.2) и (3.3.3) характеризуют сокристаллизацию при быстром росте кристаллов, при котором диффузия примеси в твердой фазе не успевает повлиять на сорбцию, а сравнительно медленные процессы раскалывания и агрегирования кристаллов можно не учитывать. Эти соотношения применимы и на стадии старения, если основным процессом при старении является оствальдово созревание. [9]
Старение приводит к устранению ряда дефектов кристаллической решетки, полученных при быстром росте кристаллов. [10]
Каркасные структуры кристаллизуются из сильяощелочной среды, именно поэтому высокая щелочность способствует быстрому росту кристаллов, увеличивая растворимость твердых окислов и гелей в водной фазе. При этом каркасные цеолиты могут быть получены даже при 100 С и ниже. При таких мягких условиях отпадает необходимость в автоклавах, и кристаллизацию можно проводить на водяной бане. [11]
Изготовление нитей накала из чистого вольфрама дает неудовлетворительные результаты, так как вследствие быстрого роста кристаллов при высоких температурах образуются крупные равноосные зерна, по границам которых легко происходит скольжение. Такие нити быстро перегорают. [12]
Для получения галлия высокой чистоты пользуются способностью жидкого галлия переохлаждаться: при затравке переохлажденного раствора кристалликом металлического галлия начинается быстрый рост кристаллов, которые удаляют из жидкого металла по мере их образования. Примеси остаются в жидкой фазе. [13]
 |
Получение сверхчистого германия путем кристаллизации его из расплава. [14] |
Атомы германия из расплава ( а не атомы примесей, которые еще имеются в германии) надстраивают решетку затравочного кристаллика, и происходит быстрый рост кристалла. Затравочный кристаллик и новый, выращенный на нем кристалл медленно вытягиваются из расплава при постоянном вращении. Температура окружающей среды во время вытягивания кристалла поддерживается строго постоянной, так как толщина и однородность выращенного кристалла сильно зависят от температуры. [15]
Страницы: 1 2 3 4