Быстрый рост - кристалл
Cтраница 2
Как бы то ни было, коллоид доставляется преимущественно к тем точкам катода, где имеется повышенная плотность тока и где, следовательно, идет быстрый рост кристаллов. Отсюда вытекает и объяснение механизма действия коллоида. Отлагаясь на растущих кристаллах, коллоид создает здесь плохо проводящие защитные пленки и затрудняет доступ тока. Поэтому возникают новые центры кристаллизации и получается осадок с очень тонкой структурой. Создавая плохо проводящие пленки, коллоид повышает перенапряжение металла и катодную поляризацию. [16]
Катализированная кристаллизация стекла, обеспечивающая получение однородного тонкокристаллического изделия, состоит во введении в него субмикроскопических частичек катализатора, отличающихся высокой дисперсностью при температуре, лежащей ниже температурной области заметно быстрого роста кристаллов основной кристаллизующейся фазы. Расплавленное стекло с растворенным катализатором охлаждают до тех пор, пока катализатор не образует центры кристаллизации, равномерно распределенные в стекле, или не выделится спонтанно по всему объему стекла в виде субмикроскопических частиц. [17]
Затруднения при образовании кристаллических зародышей - не единственный фактор, влияющий на скорость кристаллизации, хотя изучен он был раньше других. Быстрый рост кристаллов при пересыщениях, меньших, чем рассчитанные на основании точной теории образования зародышей, заставил искать возможности обходных путей кристаллизации. Действительно, сравнительно недавно было обнаружено, что некоторые минералы имеют спиральную симметрию и что при наличии некоторых нарушений или сдвигов в кристаллической решетке кристаллизация некоторых солей сопровождается спиральными движениями ступени роста. Бюргере и другие авторы [27-29] теоретически показали, что представления о сдвиговой дислокации в кристаллической решетке объясняют возможность спирального роста граней кристаллов, при котором он может происходить непрерывно, без образования двухмерных зародышей. [18]
Обычно наблюдали быстрый рост кристаллов СН и переход ионов Са в раствор в конце индукционного периода. Это наводит на мысль, что осаждение СН связано с началом стадии ускорения. Если осаждение СН дает толчок реакции, то добавление Са-ионов должно ее ускорять, если не происходит отравления зародышей. [19]
Окклюзия - захваченные примеси находятся внутри всего объема кристаллического осадка основного компонента. Окклюзия имеет место при быстром росте кристаллов. Окклюдированный компонент трудно извлечь из кристаллов осадка. [20]
Проволока для катода, вытянутая из спеченного бруска W, имеет поликристаллическую структуру. Во время работы катода происходит быстрый рост кристаллов благодаря тому, что катод постоянно нагрет до температуры, превышающей температуру его кристаллизации. [22]
 |
Зависимость наиболее благоприятной температуры активирования от состава оксида катода. [23] |
Спад кривой ( рис. 8 - 3) при высоких температурах активирования объясняется не только испарением бария, но и образованием крупнокристаллической структуры оксида. Выше уже указывалось, что быстрый рост кристаллов ( BaSr) O начинается при температурах выше 1100 С. [24]
Успешно применяется процесс обработки воды магнитным полем, которое создается постоянными магнитами или электромагнитами. Воздействие маг нитного поля вызывает быстрый рост кристаллов карбонатных и других отложений, которые сорбируют на своей поверхности ионы карбонатов кальция и магния, растут и выпадают в виде шлама, легко уносимого потоком. Отпадает необходимость в слож ном реагентном хозяйстве. [25]
Некоторые сорта никеля при окислении приобретают зеленую окраску. Такой никель при 850 С за 20 мин дает быстрый рост кристаллов, и при последующей карбонизации образуются карбиды никеля, что вызывает повышенную хрупкость деталей и затрудняет их соединение точечной электросваркой. Поэтому такие сорта никеля окисляют при более низких температурах и в течение меньшего времени. [26]
Механический захват обусловлен, например, несовершенством кристаллической решетки осадка, наличием в ней пустот и трещин при быстром росте кристаллов. Для уменьшения механического захвата необходимо осаждать кристаллические осадки из разбавленных растворов, добавляя осадитель медленно по каплям, при перемешивании. Переосаждение, а также старение кристаллических осадков тоже способствует устранению механического захвата примесей. [27]
С ростом мартенситного кристалла на когерентной границе накапливается упругая деформация пока, наконец, не достигается предел текучести и наступает разрядка упругих напряжений вследствие нарушения когерентности. Теперь уже, когда на границе кристалла мартенсита с материнской фазой возникает неупорядоченное расположение атомов, скользящее движение границы становится невозможным и быстрый рост кристалла по мартенситному механизму прекращается. Дальнейший рост кристалла мартенсита возможен только самодиффузионным путем, а так как мартенсит-ное превращение протекает в области температур, где самодиффузия идет крайне медленно, то и подрастание мартенситного кристалла после разрыва когерентности может практически не наблюдаться. [28]
 |
Устройство для магнитной обработки жидкости с целью снижения ее коррозионной активности. [29] |
Устройство ( рис. 2.11) [190] также предназначено для предотвращения образования отложений на стенках трубопроводов и состоит из патрубка 1 и магнитной цепи, состоящей из магнита 2, магнито-проводов 3 и 4, закрепленных на патрубке так, что концы 5 и 6 находятся внутри патрубка, а 8 и 9 - снаружи. Протекающая по патрубку жидкость проходит сквозь магнитное поле, при воздействии которого на жидкость образуются центры кристаллизации, на которых происходит процесс быстрого роста кристаллов, выпадающих затем в осадок. Образуется шлам, который удаляется из системы обычным путем. [30]
Страницы: 1 2 3 4