Рассчитанное значение - энергия
Cтраница 1
Рассчитанные значения энергии наиболее информативны, если представлены в трех измерениях в форме карты с указанием расположения молекул воды, установленного кристаллографическим методом. [1]
 |
Формирование молекулярных тс-орбиталей этилена. [2] |
Рассчитанные значения энергий и собственных коэффициентов молекулярных я-орбиталей этилена приведены ниже ( формирование молекулярных я-орбиталей этилена подробно рассмотрено в разд. [3]
 |
Отнесение электронных возбужденных состояний в фторидах ксенопа. [4] |
Рассчитанные значения энергии перехода и силы осцилляторов находятся в разумном согласии с экспериментальными величинами. [5]
Рассчитанные значения энергии активации на стадии разложения ФВК ( KBК) составляют - 400 кДж / моль. Эту величину следует считать приближенной, так как характер термоаналитических кривых не позволяет точно вычислить значения энергии активации. [6]
Рассчитанные значения энергий активации хлорирования метана в присутствии к отсутствие кислорода соответственно составляют 77 3 и 31 6 ккал / моль. [7]
В табл. 3 приведены рассчитанные значения энергий испарения молекул из собственной решетки и из решетки твердого раствора при микросодержании примеси. [8]
В этой таблице приведены рассчитанные значения энергий решеток галогенидов магния и щелочноземельных металлов и соответствующие значения, найденные по циклу Борна-Габера. Если экспериментальные данные достаточно точны, то нетрудно заметить, что для большинства галогенидов щелочноземельных металлов справедливы ионные модели. [9]
 |
Схема, иллюстрирующая изменение расстояния между адсорбированной молекулой и поверхностью в зависимости от расположения плоскости поляризуемости. [10] |
Близкое совпадение многих из рассчитанных значений энергий адсорбции, приведенных в литературе, с соответствующими величинами, полученными экспериментальным путем, считается подтверждением того, что предполагаемая сила является причиной адсорбции. [11]
В табл. 1 - 3 приведены рассчитанные значения энергий активации, необходимых для образования и диффузии различных видов дефектов в щелочно-галогенидных кристаллах. Из таблицы видно, что энергия, необходимая для диффузии дефектов, значительно меньше, чем энергия, необходимая для их образования. [13]
На этом примере видно, что рассчитанные значения энергий образования являются достаточно надежными. [14]
Модифицированные базисные наборы и улучшенные приближения могут сузить разрыв между рассчитанными значениями энергии. Этот случай служит иллюстрацией того, что расчеты МО пока еще ие настолько точны, чтобы всегда можно было рассматривать тонкие структурные различия с абсолютной достоверностью. [15]
Страницы: 1 2 3