Изоэлектронный ряд

Cтраница 2

Молекулярные частицы ВО, CN и СО образуют изоэлектронный ряд с 9 валентными электронами. [16]

В ионных кристаллах при переходе от одного соединения изоэлектронного ряда к следующему заряд ядра атомов, расположенных справа от горизонтальной связи, увеличивается. Фактически же в большинстве случаев соответствующее смещение электронной плотности превосходит изменение заряда ядра, так что атом с большим зарядом ядра оказывается заряженным отрицательно, Поэтому для обозначения неметаллического атома используется термин анион. При высокой степени ионности большая часть электронного заряда оказывается локализованной вблизи неметаллического атома. [17]

В табл. 37 приведены длины волн резонансных линий изоэлектронного ряда Hel, Li II, Belli, ВIV, CV, NVI и О VII, численные значения нормальных термов и определенные по ним ионизационные потенциалы. [18]

В последнее время предпринимаются весьма интересные исследования свойств веществ изоэлектронных рядов. Так, например, в работе [56] при исследовании физико-механических свойств алмазоподобных веществ было сделано наблюдение, что с увеличением ионной компоненты связи уменьшаются микропрочность на отрыв, поверхностная энергия, критерий хрупкости и микротвердость. По данным автора работы [56], германий, арсениды и антимониды индия и галлия отличаются высоким значением критерия хрупкости, в то время как у селенида цинка, селенида и теллурида кадмия отчетливо проявляется пластичность. [19]

Очень давно было замечено, что энергия активации соединений изоэлектронного ряда растет с определенной по Полингу ионностью. [20]

В последнее время предпринимаются весьма интересные ис-следо ЕЗ ния свойств веществ изоэлектронных рядов. Так, например, в работе [56] при исследовании физико-механических свойств алмазоподобных веществ было сделано наблюдение, что с увеличением ионной компоненты связи уменьшаются микропрочность на отрыв, поверхностная энергия, критерий хрупкости и микротвердость. По данным автора работы [56], германий, арсениды и антимониды индия и галлия отличаются высоким значением критерия хрупкости, в то время как у селенида цинка, селенида и теллурида кадмия отчетливо проявляется пластичность. [21]

Численные значения - y -, эв. [22]

Разумно ожидать, что оно будет приближенно выполняться также и для достаточно сходных изоэлектронных рядов, если в пределах каждого ряда определять ft одним и тем же способом. [23]

Было интересно проверить наличие связи каталитической активности с шириной запрещенной зоны на примере изоэлектронных рядов типа AIV, AinBIV, AHBVI, AJBV. [24]

Параметр Е принимает значения 1 08, 1 10 и 1 19 для изоэлектронного ряда гомоядерных тригональных бипирамид [ Rh5 ( CO) 15 ] - [35], [ Rh5 ( CO) 14 ] 2 - [36] и [ Ni5 ( CO) 12 ] 2 - [37] соответственно, имеющих 12 скелетных электронов, если 2 аксиальные вершины предоставляют 2 внутренние орби-гали, а 3 экваториальные вершины - 3 внутренние орбитали. Однако параметр Е равен лишь 0 99 для Os5 ( CO) 16 [33], имеющего 12 скелетных электронов, если все 5 вершин являются нормальными вершинами, предоставляющими каждая по 3 внутренние орбитали. Такой анализ связывания в тригонально-бипирамидальных кластерах переходных металлов, расположенных в периодической системе в конце соответствующих рядов переходных элементов, показывает, что вершины, содержащие атомы таких металлов, могут предоставлять только 2 внутренние орбитали для кластерного связывания. [25]

О III и О IV может быть допущена большая ошибка, чем для ионов изоэлектронного ряда лития. Менее надежны в этой работе и расчеты сил осцилляторов. [26]

В самое последнее время в лаборатории автора было получено несколько сплавов шестерных гетеровалентных систем изоэлектронного ряда германия. [27]

При обсуждении формулы (4.13) мы отмечали, что безразмерная сила осциллятора изменяется пропорционально степени ковалентности для кристаллов изоэлектронного ряда и дает дополнительный множитель W ( l / 22 V32) 1 / 2 в выражении для диэлектрической восприимчивости. Из правила сумм следует, что сила осциллятора не может обратиться в нуль, и тем не менее она не дает большого вклада в диэлектрическую восприимчивость, так как сдвигается в область более высоких энергий. [28]

Мультиплет Dj - 5D в спектре железа, Pel. [29]

Для нахождения линий, принадлежащих иону в какой-либо определенной степени ионизации, пользуются закономерностями, характерными для спектров изоэлектронных рядов атомов и ионов. Эти закономерности были нами указаны в § 10 для случая простейших атомов и ионов с одним валентным электроном и будут рассмотрены для более сложных случаев в дальнейшем. Таким образом, при анализе сложных спектров используются общие теоретические представления о сериальных схемах и о расположении электронов в оболочке данного атома или иона. [30]

Страницы: 1 2 3 4