Cтраница 3
Дефектный полупроводник Ga2Se3 по каталитическим и по электрическим свойствам занимает промежуточное положение между полупроводниками ZnSe и GaAs, входящими в изоэлектронный ряд германия. [31]
В работе [23] было предпринято исследование возможности образования твердых растворов на основе InSb и всех существующих и гипотетических двухкатионных тройных тетра-эдрических фаз этого изоэлектронного ряда. [32]
За счет этого наблюдается некоторое сжатие решетки: параметр решетки Ga2Se становится равным 5 42 А вместо 5 65 А - среднего значения для изоэлектронного ряда Ge; появляется нечувствительность к примесям. [33]
Теоретические и экспериментальные значения термов совпадают в пределах 1 - 2 % для двух - и трехэлектронных атомов и ионов, причем точность теоретических данных естественно возрастает в изоэлектронном ряде с увеличением заряда ядра. Расхождение между опытом и расчетом сильно возрастает при переходе к атомам и ионам с большим числом электронов. [34]
Такая сложная зависимость температуры плавления от положения компонентов в таблице Менделеева связана, по-видимому, с тем обстоятель-ство 1, как мы увидим ниже, что характер изменения межатомной связи и теплоты образования у различных веществ изоэлектронного ряда при плавлении различен. Обе эти величины, будучи зависимы от многих факторов, не отражают изменения прочности межатомной связи в изоэлектронных рядах. Прочность межатомных связей в изоэлектронном ряду падает от элементов IV группы к соединениям типа AIBvn. [35]
Как было отмечено выше, первые члены этих рядов при плавлении переходят в металлонодобное состояние ( InSb и GaSb), промежуточные сохраняют при плавлении ковалентные связи и остаются полупроводниками ( 1п2Те8, Ga2Te3, CdTe, ZnTe), а последний член изоэлектронного ряда, принадлежащий к группе соединений A. [36]
Используем волновую функцию, учитывающую эффекты почти вырождения 3s2 - Зр2, для того чтобы, во-первых, рассчитать нединамические корреляционные энергии е ( 3s2) для атомов и ионов третьего периода и, во-вторых, проверить, изменяются ли е ( 3s2) для изоэлектронных рядов Mg, A1 и Si подобно тому, как изменяются е ( 2s2) для соответствующих изоэлектронных рядов второго периода. [37]
Используем волновую функцию, учитывающую эффекты почти вырождения 3s2 - Зр2, для того чтобы, во-первых, рассчитать нединамические корреляционные энергии е ( 3s2) для атомов и ионов третьего периода и, во-вторых, проверить, изменяются ли е ( 3s2) для изоэлектронных рядов Mg, A1 и Si подобно тому, как изменяются е ( 2s2) для соответствующих изоэлектронных рядов второго периода. [38]
Наибольшее соответствие с прогнозами, данными на основании предыдущих рассуждений, проявляют вещества, состоящие из элементов, расположенных в 4 периоде, а также в большей или меньшей степени - в 3 и 5 периодах. Вещества диагональных изоэлектронных рядов, включающих 4 период, также, как правило, подчиняются этой закономерности ( см. гл. Системы из элементов 6 периода или 6 и 5 обычно вследствие устойчивости 52-оболочки этих элементов дают отклонение от правил. [39]
Общий ход изменения активности катализаторов разложения гидразина следующий: металлы полупроводники твердые основания твердые кислоты твердые соли. Среди полупроводников изоэлектронного ряда Ge наблюдается закономерное уменьшение каталитической активности с ростом ширины запрещенной зоны. Это возможно благодаря близости поверхностей изученных препаратов. Конечно, не следует придавать количественного смысла полученной зависимости. Однако качественное увеличение активности с ростом К для двух изученных реакций [77, 80] показывает, что это явление не случайное. [40]
В работах [75, 184, 250] было установлено, что коэффициенты теплового расширения кремния, германия и серого олова становятся отрицательными в области низких температур. Были исследованы вещества изоэлектронных рядов германия и серого олова для изучения влияния ионной компоненты связи на аномальный ход температурной зависимости коэффициента расширения а. В результате обнаружено, что температура перехода а в область отрицательных значений увеличивается, а минимум а становится более глубоким по мере усиления ионности. В работе [574] показано, что одновременно с возрастанием ионного характера связи уменьшается каталитическая активность и наблюдается тенденция к росту энергий активации каталитической реакции. [41]
В работах [75, 184, 250] было установлено, что коэффициенты теплового расширения кремния, германия и серого олова становятся отрицательными в области низких температур. Были исследованы вещества изоэлектронных рядов германия и серого олова для изучения влияния ионной компоненты связи на аномальный ход температурной зависимости коэффициента расширения а. В работе [574] показано, что одновременно с возрастанием ионного характера связи уменьшается каталитическая активность и наблюдается тенденция к росту энергий активации каталитической реакции. [42]
Рассмотренные изоэлектронные ряды сформированы по горизонтальному принципу - в пределах одного периода. Но для каждого члена изоэлектронного ряда существует ряд аналогов, построенный путем катионного или анионного замещения. Так, для А1Р при анионном замещении фосфора на другие пниктогены получаются A1N, AlAs, AlSb, а при катионном замещении - ВР, GaP, InP. Все эти соединения являются полупроводниками или диэлектриками, что обусловлено ионно-ковалентным взаимодействием. При этом поперечное анионное замещение ( например, A1N - AlP-AlAs - - AlSb) приводит к уменьшению ионного вклада в силу уменьшения ОЭО анионооб-разователя. [43]
Рассмотренные изоэлектронные ряды сформированы по горизонтальному принципу - в пределах одного периода. Но для каждого члена изоэлектронного ряда существует ряд аналогов, построенный путем катионного или анионного замещения. [44]
В алмазоподобных веществах это отчетливо проявляется. Достаточно привести пример двух веществ изоэлектронного ряда - селенида цинка и арсенида галлия. У этих веществ температуры плавления примерно одинаковы, но микротвердость селенида цинка по крайней мере в пять раз меньше микротвердости арсенида галлия. Можно думать, что микротвердость характеризует прочность именно ковалентных связей, поэтому она падает в изоэлектронных рядах. Сложный характер изменения температуры плавления в изоэлектронных рядах связан с тем обстоятельством, что при достижении жидкого состояния не все связи в одинаковой степени разрываются для разных веществ этого ряда. Энергия атомизации веществ в изоэлектронных рядах, по-видимому, также характеризует прочность ковалентных связей. [45]