Рекомбинационное свечение
Cтраница 2
На основе полученных данных о рекомбинационном свечении щелочно-галоидных кристаллофосфоров казалось вполне естественным предположение о том, что в результате возбуждения происходит ионизация самих центров свечения. При этом мыслилось, что в случае селективного поглощения света самим активатором возбуждающий свет производит фотоионизацию центров свечения непосредственно. В случае же поглощения света основным веществом решетки ионизация центров свечения происходит в результате захвата положительных дырок ионами активатора. [16]
Для кристаллофосфоров наиболее характерно длительное свечение, обусловленное рекомбинационным свечением, но иногда и свечением дискретных центров. [17]
Рассмотрим отличия в оптических свойствах свечения дискретных центров и рекомбинационного свечения, по которым может быть установлен тип свечения. [18]
 |
Изменение энергетического состояния молекулы при поглощении ( / и излучении ( 2 энергии. [19] |
По механизму протекания процесса принято различать свечение дискретных центров и рекомбинационное свечение. [20]
 |
Нормальные и ме-тастабилышй уровни ртути. Переход 6 Р1 - 6 разрешен, переход 6 3Р1 - 6УП ( ннтеркомбинацион-ный слабо запрещен, переход 63Р0 - б1 запрещен. [21] |
У веществ, находящихся в газообразном состоянии, возможно свечение дискретных центров и рекомбинационное свечение. К свечению дискретных центров должны быть отнесены те случаи свечения газа, когда в результате поглощения энергии частицы газа не диссоциируют и не ионизуются, но приходят в возбужденное состояние и через некоторое время излучают. В зависимости от характера возбужденного состояния возникает или самостоятельное или вынужденное излучение. [22]
Поскольку разрешающее время определяется световым импульсом, а не электрическим, то важным фактором является рекомбинационное свечение газа, сильно затягивающее световой импульс. Рекомбинационное свечение растет с увеличением энергии вспышки. [23]
Однако наиболее полно процессы люминесценции отражены в классификации, в основу которой положен механизм возникновения свечения: свечение дискретных центров и рекомбинационное свечение. [24]
 |
Схема кинетики свечения. [25] |
Для кристаллов, решетка которых обладает некоторыми дефектами, вызванными внедрением посторонних примесей - ионов тяжелых металлов-в возникновении флуоресценции принимает участие весь кристалл в целом, и при этом мы имеем дело с рекомбинационным свечением. Такой вид свечения называют также свечением кристаллофосфоров. Свечение дискретных центров может быть самостоятельным и вынужденным. Схема а соответствует кратковременному самостоятельному свечению дискретных центров. [26]
В последующих главах ( V, VI и VII) приведены результаты исследования природы и структуры центров свечения и центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах, активированных ионами тяжелых металлов, и их изменения под действием рентгеновых и у-лучей, рассмотрены процессы образования атомарных центров свечения и механизм рекомбинационного свечения активированных щелочно-галоидных кристаллофосфоров. [27]
Излучение центров люминесценции может происходить и за счет так называемого рекомбинацион-ного свечения. Рекомбинационное свечение возникает как следствие воссоединения ( рекомбинации) двух частей центра высвечивания ( электрона и иона, а также двух частей диссоциированной молекулы), отделенных друг от друга при возбуждении. При рекомбинации этих двух частей выделяется энергия, равная энергии их разъединения ( ионизации или диссоциации); эта энергия может быть использована для возбуждения центра, в состав которого входит один из разъединенных остатков. [28]
Вынужденное свечение наблюдается тогда, когда вследствие внутренних затруднений для высвечивания поглощенной энергии возбуждения необходимо дополнительное внешнее ( обычно тепловое) воздействие. Рекомбинационное свечение является причиной фосфоресценции кристаллов ( так называемых кристаллофосфоров), в этом случае носителями люминесцентных свойств являются не какие-либо определенные молекулы или ионы, а сам кристалл в целом. Поглощение фотонов происходит преимущественно в основном веществе кристалла и вызывает диссоциацию или ионизацию его частей; при их рекомбинации энергия возбуждения выделяется и переносится к иону активатора, где и высвечивается. Поэтому поглощение возбуждающего излучения происходит в одной части кристалла, а высвечивание - в другой. Характер излучения определяется природой активатора, вследствие чего одно и то же основное вещество ( в частности, минерал), но содержащее различные примеси, может иметь люминесценцию разного и интенсивности. [29]
Поскольку разрешающее время определяется световым импульсом, а не электрическим, то важным фактором является рекомбинационное свечение газа, сильно затягивающее световой импульс. Рекомбинационное свечение растет с увеличением энергии вспышки. [30]
Страницы: 1 2 3 4