Свойство - полупроводниковый материал
Cтраница 1
Свойства полупроводниковых материалов в ряде случаев выявляются только у готовых изделий и определяются чистотой вещества и технологическим процессом его обработки. [1]
Свойствами полупроводниковых материалов объясняется также пониженная устойчивость приборов к радиоактивному излучению. При облучении полупроводниковых приборов может наблюдаться резкое повышение концентрации носителей за счет ионизации атомов полупроводника. В результате действия излучения в кристаллической решетке могут возникать нарушения, связанные со смещением отдельных атомов внутри решетки. Такие дефекты остаются и после прекращения облучения и существенно изменяют параметры материала, например время жизни неосновных носителей. Соответственно будут изменяться и параметры приборов, определяемые в той или иной степени этим параметром материала. Радиационные дефекты могут иметь определенную тенденцию к восстановлению свойств во времени. [2]
Зависимость свойств полупроводникового материала от частоты в классической физике получена из рассмотрения упрощенной модели электронов, квазиупруго связанных с положениями равновесия и реагирующих на изменения поля подобно линейным гармоническим осцилляторам. [3]
Значением р определяются свойства полупроводниковых материалов и структур. В тех случаях, когда можно получить образцы материалов в виде полос, лент, проводов постоянного сечения и достаточно точных размеров, возможно измерение р или у, например, с помощью двойных мостов. Однако такие образцы могут быть получены не всегда, они должны быть метрологически аттестованы по размерам. Кроме того, измерение дает среднее значение р или у по всему образцу, не обнаруживая возможных вариаций р или у по длине образца и по его сечению. Бесконтактное измерение у или поверхностного сопротивления Rs ( для тонких ОК) свободно от этих недостатков. [4]
В статье обсуждаются свойства полупроводниковых материалов ( прежде всего тепловые) в связи с возможным применением полупроводников в качестве основы различных приборов и в первую очередь в термоэлементах. [5]
В соответствии с (5.181) свойства полупроводниковых материалов с точки зрения их применения для высокочастотных приборов следует оценивать по произведению подвижностей электронов и дырок, а не по подвижности каких-либо одних носителей. Однако соединение InSb из-за малой ширины запрещенной зоны ( 0 18 эв) можно применять лишь при невысоких температурах; кроме того, время жизни неосновных носителей в этом материале мало. [6]
 |
Схема работы полупроводникового выпрямителя.| Схема действия транзис - тора. [7] |
Исключительно плодотворным оказалось использование свойств полупроводниковых материалов, имеющих прилегающие друг к другу области с электронной и дырочной проводимостью. [8]
Все параметры диода определяются свойствами полупроводниковых материалов. [9]
С помощью эффекта Холла изучают свойства полупроводниковых материалов. На основании постоянной Холла рассчитывают концентрацию носителей заряда. Измеряя постоянную Холла в некоторой области температур, можно получить температурную зависимость концентрации носителей заряда и по этой зависимости определить концентрацию примесей и энергию их активации. [10]
 |
Схема работы полупроводникового выпрямителя.| Схема действия транзис - тора. [11] |
Рассмотренные закономерности лежат в основе свойств полупроводниковых материалов, благодаря чему последние нашли широчайшее применение. [12]
Повышение 7 лимитируется не только свойствами полупроводниковых материалов, но и свойствами теплоносителей, передающих тепло от источника тепла к горячим спаям термоэлементов. При температуре 500 - 600 С и выше в качестве теплоносителей могут использоваться только жидкие металлы или газы. Применение жидких металлов предпочтительнее, так как они обеспечивают более эффективную теплоотдачу и меньший расход энергии на циркуляцию теплоносителя. [13]
Действие полупроводниковых приборов основано на свойстве полупроводниковых материалов при определенных условиях изменять в широких пределах удельное электрическое сопротивление. Для полупроводниковых диодов характерна нелинейная зависимость их сопротивления от приложенного напряжения: при нулевом и положительном напряжениях сопротивление диода мало, а при отрицательном напряжении оно резко возрастает. Вольтамперная характеристика управляемых диодов ( тиристоров) имеет особый вид. Электрическое сопротивление такого диода велико не только в области отрицательных значений напряжения, но и в достаточно большом диапазоне их положительных значений. Сопротивление диода резко падает при подаче тока в цепь управляющего электрода или в случае увеличения напряжения выше определенной величины. [14]
 |
Характеристики диодов ВК2 - 200. [15] |
Страницы: 1 2 3 4