Свойство - полупроводниковый материал
Cтраница 4
В ряде случаев необходимо также учитывать явление превращения атомов под действием радиоактивного излучения и легирование полупроводникового материала осколками деления. Совершенно естественно, что изменение свойств полупроводникового материала в радиационном поле зависит также от его ядерно-физических свойств. [46]
 |
Вольт-амперная характеристика полупроводникового вентиля. [47] |
Эта характеристика имеет существенное значение преимущественно в слаботочных устройствах. Указанные характеристики вентилей находятся в прямой зависимости от свойств полупроводниковых материалов. [48]
Фоторезисторы представляют собой однородную полупроводниковую пластинку с контактами, которая при освещении уменьшает свое сопротивление в результате внутреннего фотоэффекта. Спектральные характеристики фоторезисторов представлены на рис. 12 - 12 и определяются свойствами используемых полупроводниковых материалов. [49]
Серия важных исследований А. Ф. Иоффе, начатая в послевоенные годы, посвящена выяснению взаимосвязи между энергетическим спектром полупроводников и дальним и ближним порядками в строении их кристаллической решетки. В экспериментах А. Р. Регеля, поставленных в развитие идей А. Ф. Иоффе, были исследованы свойства полупроводниковых материалов в диапазоне температур, включающем в себя точку плавления. [50]
Итак, анодный процесс связан с отрывом атомов полупроводника в раствор, и скорость анодной реакции определяется энергией связи поверхностных атомов с решеткой, а следовательно, зависит от плотности упаковки атомов, наличия дефектов, примесей и др. Скорость травления при анодном контроле анизотропна, и он является аналогом кинетического ограничения в химической теории саморастворения. Травители с анодным контролем работают селективно, и подбор их состава в основном определяется свойствами полупроводникового материала. [51]
Электрическое сопротивление полупроводников, как уже отмечалось, уменьшается с повышением температуры. Зависимость между сопрстивлением и температурой термистора изображается в виде кривой, называемой температурной характеристикой данного прибора; эти характеристики могут быть различны и зависят от свойств используемого полупроводникового материала. [52]
Изучение электрофизических и оптических свойств полупроводниковых материалов преследует две цели. Во-вторых, области технического приложения полупроводников в основном определяются их электрофизическими и оптическими характеристиками. Поэтому эти свойства полупроводниковых материалов рассматриваются в том минимальном объеме, который необходим для правильной ориентировки их практического применения. [53]
Отклонение характеристики преобразования от линейного закона определяется свойствами материала преобразователя Холла и его геометрией. В определяется как свойствами полупроводникового материала, так и геометрией преобразователя. [54]
При формировании прогноза принимаются во внимание предельные значения параметров систем, определяемые предельными возможностями технологии изготовления. Так, быстродействие ламповых устройств имеет предельное значение, ограниченное возможностями электронных процессов в вакууме. Быстродействие интегральных микросхем зависит от свойств используемого полупроводникового материала. [55]
Фоторезистор характеризуется следующими основными параметрами. Темновое сопротивление определяется конструкцией фоторезистора и свойствами полупроводникового материала. [56]
Применение полупроводников для электрических измерений механических величин еще только начинается. Причина этого заключается в том, что физика полупроводников характеризуется немногими эффектами, использование которых для преобразования механических величин казалось бы целесообразным. В качестве главного препятствия упоминается обычно сравнительно большая зависимость свойств полупроводниковых материалов от температуры, влияние которой трудно компенсировать. [57]
Страницы: 1 2 3 4