Свойство - полупроводниковый материал
Cтраница 2
Величина порогового напряжения UOB зависит от свойств полупроводникового материала, на основе. [16]
Число приближений зависит от характера зависимости свойств полупроводникового материала от температуры. Как показывает практика, для применяемых в настоящее время материалов число приближений не превышает двух. [17]
Оптимальное значение г зависит только от свойств полупроводниковых материалов. [18]
Оптимальное значение гп зависит только от свойств полупроводниковых материалов. [19]
А - некоторая постоянная величина, определяемая свойствами полупроводникового материала. [20]
Принцип действия электрических термометров сопротивления основан на свойстве проводниковых и полупроводниковых материалов изменять свое электрическое сопротивление при измене - нии температуры окружающей их среды. Таким образом, омическое сопротивление проводника или полупроводника представляет собой некоторую функцию его температуры, вид которой зависит от природы материала. [21]
 |
Схема манометрического термометра.| Схема термометра сопротивления. [22] |
Принцип действия электрических термометров сопротивления основан на свойстве проводниковых и полупроводниковых материалов изменять свое электрическое сопротивление при изменении температуры окружающей среды. [23]
 |
Характеристики диодов ВК. 2 - 200. [24] |
Величина порогового напряжения С / ов зависит от свойств полупроводникового материала, на основе которого выполнен диод; величина сопротивления диода - от площади р - n - перехода, омического сопротивления базы и контактов. [25]
Для определения значения QF необходима дополнительная информация о свойствах полупроводникового материала. [26]
Качество полупроводниковых приборов в очень большой степени зависит от свойств полупроводникового материала, использованного при их изготовлении. [27]
Туннельный диод сам по себе может использоваться для исследования свойств полупроводниковых материалов путем наблюдения их статических вольтамперных характеристик при низких температурах. Таким образом могут быть получены, в частности, некоторые подробности эотаной структуры и величины энергии фонтов. [28]
Книга предназначена для физиков, химиков и металлургов, исследующих свойства полупроводниковых материалов, а также для инженеров, занимающихся технологией изготовления полупроводниковых приборов. [29]
Поскольку электронные устройства не входят в содержание данной книги, свойства полупроводниковых материалов здесь не рассматриваются. [30]
Страницы: 1 2 3 4