Свойство - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Свойства кристаллической решетки, которые следуют жз трансляционной симметрии, впервые были подробно изучены Брил-люэном, который ввел понятие о зонной структуре. [1]
Свойства кристаллической решетки, которые следуют из трансляционной симметрии, впервые были подробно изучены Брил-люэном, который ввел понятие о зонной структуре. [2]
Дефекты и свойства кристаллической решетки, сер. [3]
Одно из свойств кристаллической решетки состоит в том, что она обладает трансляционной симметрией: потенциальная энергия V ( х) электрона в решетке является периодической функцией. Если кристалл имеет длину L, то L Ga, где а - период ( постоянная решетки), a G - целое число. [4]
 |
Оси кубической элементарной ячейки и углы между ними. [5] |
Одним из свойств кристаллической решетки является наличие или отсутствие соответствия между частями элементарной ячейки или самого кристалла по отношению к некоторой линии, проходящей через кристалл. Это свойство называется симметрией. Кристаллические решетки могут обладать осями симметрии четвертого, третьего или второго порядка и, наконец, лишь осью симметрии первого порядка. [6]
Понятно, что свойства кристаллической решетки не могут быть одинаковыми в направлениях, перпендикулярных к плоскостям, покрытым узлами с различной плотностью, и расположенных на разных расстояниях друг от друга. Следовательно, геометрические особенности кристаллической решетки неизбежно влекут характернейшее свойство кристаллов - их анизотропию. [7]
Полупроводниковая электроника использует свойства кристаллической решетки веществ, перемещение и распределение зарядов под действием электрических и магнитных полей внутри кристалла. На основе этого созданы разнообразные полупроводниковые приборы - диоды и транзисторы различного назначения, позволяющие уменьшить вес и габариты аппаратуры, увеличить ее долговечность и надежность. Открытие и разработка новых полупроводниковых материалов способствует дальнейшему развитию радиотехники. [8]
Полупроводниковая электроника использует свойства кристаллической решетки веществ, а также перемещение и распределение зарядов под воздействием электрического поля. [9]
Таким образом, свойством кристаллической решетки поддерживать свою устойчивость без формирования свободной поверхности является способность реализовывать последовательность тех процессов эволюции ее дефектной структуры, которые ей присущи по ее природе и которые могут быть пропущены в процессе эволюции в результате условий нагружения. Реализуемые условия воздействия могут влиять на более быстрое и менее полное протекание процесса пластической деформации, например, в силу сильной локализации этого процесса и ограничения его протекания по условиям стеснения деформации в вершине распространяющейся усталостной трещины. [10]
Полупроводниковые шумы обусловлены свойствами кристаллической решетки полупроводникового материала. Действие этих шумов наблюдается в основном в области низких частот. Для уменьшения полупроводникового шума и в первую очередь в усилителях низкой частоты постоянное напряжение на коллекторе транзистора должно быть по возможности малым. [11]
Полупроводниковые шумы обусловлены свойствами кристаллической решетки полупроводникового материала. Они возникают главным образом в области коллектора. Действие этих шумов наблюдается в основном в области низких частот. [12]
Подвижность электронов зависит от свойств кристаллической решетки, наличия примесей и температуры. С ростом температуры вследствие усиления тепловых колебаний решетки подвижность электронов уменьшается. [13]
Подвижность электронов зависит от свойств кристаллической решетки, наличия примесей и температуры. С ростом температуры их подвижность уменьшается. [15]
Страницы: 1 2 3 4