Свойство - кристаллическая решетка
Cтраница 2
Коэффициент поглощения зависит как от свойств кристаллической решетки и состояния поверхности материала электрода, так и от особенностей спектра падающего теплового потока. В большинстве практических расчетов такое соответствие используют для приближенной оценки коэффициента поглощения любого тела при произвольном спектре падающего потока излучения. [16]
 |
Энергетическая диаграмма границы твердого тела с вакуумом. [17] |
Работа выхода % о определяется свойствами кристаллической решетки. Энергия, требуемая для преодоления барьера, может быть подведена к кристаллу в виде тепла, излучения или других источников. [18]
Работа выхода % 0 определяется свойствами кристаллической решетки. Энергия, требуемая для преодоления барьера, может быть подведена к кристаллу в виде тепла, излучения или других источников. Наиболее простой случай - термоэлектронная эмиссия электронов из твердого тела при его нагреве, широко используемая в радиоэлектронных устройствах. [19]
 |
Энергетическая диаграмма границы твердого тела с вакуумом. [20] |
Работа выхода % о определяется свойствами кристаллической решетки. Энергия, требуемая для преодоления барьера, может быть подведена к кристаллу в виде тепла, излучения или других источников. [21]
Скорость распространения фононов определяется упругими; свойствами кристаллической решетки. [22]
В / см. Подвижность электронов зависит от свойств кристаллической решетки, наличия примесей и температуры. С ростом температуры их подвижность уменьшается. [23]
Обрыв растущей цепи в твердом теле также определяется свойствами кристаллической решетки. Для большинства мономеров обрыв цепи протекает мономолекулярно, о чем свидетельствует близкая к линейно. [24]
 |
Структуры металлов. [25] |
В отличие от диамагнетизма и парамагнетизма ферромагнетизм является свойством кристаллической решетки, а не атомов металлов. Соответствующие атомы ведут себя как крошечные магниты. В ненамагниченном металле эти атомы ориентированы беспорядочно, и их моменты компенсируются. Точка Кюри является той температурой, при которой атомы с параллельно ориентированными спинами благодаря тепловому движению возвращаются в обычное состояние беспорядочной ориентации. После охлаждения металл уже не является постоянным магнитом, но может быть намагничен снова. [26]
Поскольку радиационно-фнзическим методом можно получать новые сведения о свойствах кристаллической решетки и характере взаимодействий между элементами структуры, отличные от получаемых другими методами, то использование его для изучения свойств различных сегнетоэлектриков является достаточно заманчивым. На кристаллах со структурой типа перовскита из-за относительной простоты атой структуры и достаточно хорошо изученной корреляция структуры и свойств целесообразней всего выяснять как механизм элементарных актов радиационного воздействия, так и механизм влияния радиационных дефектов на свойства сегнетоэлектриков. [27]
Для изучения фотохимических процессов первостепенное значение имеет выяснение структуры и свойств кристаллических решеток светочувствительных слоев. [28]
В работах итальянских ученых [16, 28, 29] физический предел выносливости рассматривается как проявление природных свойств кристаллической решетки, независимо от того, склонен или не склонен данный металл к старению. [29]
 |
Зависимость ТЭДС, электропроводности и теплопроводности от концентрации носителей. [30] |
Страницы: 1 2 3 4