Свойство - кристаллическая решетка
Cтраница 3
Теплопроводность содержит фононную ( решеточную) хф и электронную хэл составляющие-которые зависят от свойств кристаллической решетки. Как видно из рис. 4.2, значение электронной составляющей теплопроводности возрастает от диэлектриков к металлам. [31]
Входящее в формулу (3.34) отношение № уд 1 / й уд, характеризует анизотропию свойств кристаллической решетки, показывая, во сколько раз скорость реакции в одном направлении больше, чем в другом. [32]
 |
Удельное сопротивление.| Зависимость удельного.| Зависимость критической плотности тока от. индукции магнитного поля при 4 2 К. [33] |
Электроны проводимости металла объединяются в пары благодаря электрон-фононному взаимодействию, вследствие чего сверхпроводимость оказывается чувствительной к свойствам кристаллической решетки. [34]
 |
Молекулы некоторых веществ. [35] |
Весьма важно, что размеры всех окон у кристаллов цеолита каждого типа строго одинаковы, что обусловлено самими свойствами кристаллической решетки. Каждый из упомянутых выше типов цеолита имеет свой размер окон. [36]
 |
Зависимость изменения ра - [ IMAGE ] Изменение энергии активации. [37] |
Основные слагаемые, определяющие работу выхода согласно уравнениям ( 3) - ( 5), е и к зависят от свойств кристаллической решетки. В частности, величина е - для электронных полупроводников близка к нулю. Следовательно, и-полупроводники должны иметь работу выхода меньше, чем р-полупроводники. [38]
Роза числа пересечений является важной ориентационной характеристикой металлографической структуры материала Граничные поверхности зерен являются пограничными зонами, свойства которых могут весьма сильно отличаться от свойств регулярной кристаллической решетки. Это связано с тем, что уровень свободной энергии пограничных зон намного выше, чем в самом зерне; в этих зонах создаются наиболее благоприятные условия для образования и скопления вакансий, выделения растворенных атомов, миграции примесей. При пластическом деформировании пограничные зоны являются высокоэнергетическими барьерами на пути движения дислокаций, одновременно они блокируют скольжение по атомным плоскостям. [39]
 |
Энергетическая схема полупроводника. [40] |
Та минимальная энергия, которую необходимо сообщить электрону, находящемуся на дне зоны проводимости, для того чтобы он мог выйти в вакуум, называется внешней работой выхода полупроводника. Высота этого барьера определяется свойствами кристаллической решетки и составляет для различных полупроводников от 1.0 до 6 эв, Очевидно, что если бы такого барьера не существовало, то все электроны из зоны проводимости покинули бы полупроводник. Однако и при наличии барьера при высокой температуре часть электронов обладает достаточней энергией для того, чтобы преодолеть его и выйти в вакуум. [41]
 |
Распределение потенциала на границе металла. [42] |
Та минимальная энергия, которую необходимо сообщить электрону, находящемуся на дне зоны проводимости, для того чтобы он мог выйти в вакуум, называется внешней работой выхода полупроводника. Внешняя работа выхода % 0 определяется свойствами кристаллической решетки и составляет для различных полупроводников от 1 до б эв. [43]
В случае немолекулярных кристаллов понятие молекул лишено физического смысла. NQ ( числа Авогадро) атомов, определяет свойства кристаллической решетки. [44]
Здесь мы изложим основные факты, связанные со свойствами кристаллической решетки. [45]
Страницы: 1 2 3 4