Cтраница 3
Необходимо отметить, что несмотря на режим глубокого насыщения, скорость переключения схем при использовании транзисторов с малыми постоянными времени накопления может быть достигнута достаточно высокой, так как вследствие малых перепадов выходного напряжения влияние коллекторной емкости сводится к минимуму. Это обстоятельство имеет особое значение для диффузионных транзисторов, у которых фронты в основном онределяются постоянной времени коллекторной цепи. В схемах ТЛНС нецелесообразно применять германиевые дрейфовые транзисторы ( несмотря на их высокие скоростные свойства) вследствие больших остаточных коллекторных напряжений даже в режимах глубокого насыщения. Кремниевые дрейфовые транзисторы используются в транзисторной логике с непосредственными связями, так как пороги открывания эмиттерных переходов ( С / бэ) значительно выше максимальных остаточных напряжений насыщенных транзисторов. [31]
Таким образом, увеличение удельной мощности потенциально позволяет увеличить среднюю скорость благодаря достижению более высокой скорости на дороге данного типа и сокращению времени разгона до этой скорости. Однако реализация этой возможности зависит от ряда других факторов. Согласно результатам исследования, изменение удельной мощности автомобиля приводит к соответствующему изменению средней скорости движения только в определенном диапазоне значений удельной мощности. Вт / кг) небольшое изменение сопротивления движению заметно снижает скорость. В этих условиях прирост удельной мощности обеспечивает заметное повышение средней скорости движения. В этом случае увеличение удельной мощности почти не отражается на скоростных свойствах автомобиля. [32]