Cтраница 2
Такие напряжения должны существенно влиять на электрические свойства пленок термоэлектрических материалов в первую очередь за счет изменения их зонной структуры в результате деформации кристаллической решетки. Как было установлено в работах [ 183У 184 ], в пленках: твердого раствора р - Bio Sbi Tea на слюдяной подложке наблюдаются напряжения первого рода, вызывающие изгиб подложки. [16]
Такие напряжения должны существенно влиять на электрические свойства пленок термоэлектрических материалов в первую очередь за счет изменения их зонной структуры в результате деформации кристаллической решетки. Как было установлено в работах [ 183У 184 ], в пленках: твердого раствора р - Bio Sbi Teg на слюдяной подложке наблюдаются напряжения первого рода, вызывающие изгиб подложки. [17]
Изменяя условия нанесения, можно было управлять электрическими свойствами пленок от полупроводниковых га-типа с удельным сопротивлением 101 - 10е ом-см до диэлектрических с удельным сопротивлением 10s - 1010 ом-см. [18]
Итак, существует корреляция между структурой и электрическими свойствами закристаллизованных пленок Ge. Холловская подвижность носителей заряда в поликристаллических пленках Ge описывается моделью, в которой учитывается влияние потенциальных барьеров на границах зерен. [19]
В работе [122] детально исследовано влияние термообработки на электрические свойства пленок карбида молибдена с ГЦК решеткой. [20]
Структура и морфология пленки p - SiC на Si во многом определяют электрические свойства пленок и системы пленка - подложка в целом. Воздействие пленки на структуру и морфологию подложки может также обусловливать изменение свойств рассматриваемой системы. Исследования зависимости структуры пленок от технологических условий наращивания важны для выбора оптимальных условий получения заранее предусмотренной структуры ч выяснения механизма гетероэпитаксии. [21]
Пленки могут иметь бумажные или тканевые подкладки. Электрические свойства пленок могут быть значительно улучшены прессованием под высоким давлением, а особенно удалением золы. [22]
Для эпитаксиальных пленок CdS характерна очень высокая подвижность носителей. Электрические свойства пленок CdS, эпитаксиально осаждаемых на подложки из GaAs при осуществлении химической транспортной реакции в квазизамкнутом объеме [151], в значительной степени зависят от условий их выращивания, причем наиболее существенно - от температуры подложки. При повышении температуры подложки концентрация носителей возрастает по экспоненциальному закону. При этом также увеличивается подвижность электронов. [23]
Для полупроводниковых слоев по мере уменьшения их толщины все возрастающую роль начинает играть внешняя поверхность. Влияние поверхности на электрические свойства пленки проявляется в основном через два эффекта: появление дополнительного рассеяния носителей заряда на поверхности и появление на поверхности дополнительного заряда, величина которого зависит от плотности и энергетического спектра поверхностных: состояний. [24]
Наоборот, пленки GaAs на гранях ( 111) и ( 110) GaAs растут приблизительно с одинаковой скоростью, а концентрация носителей в них существенно отличается. Таким образом, электрические свойства пленок при прочих равных условиях определяются лишь ориентацией подложки. [25]
Предлагаемый метод химической обработки поверхности ПТФЭ неудобен тем, что связан с использованием относительно опасных реагентов. Кроме того, электрические свойства пленки ПТФЭ после такой химической обработки, особенно ее поверхностное сопротивление, заметно ухудшается. Лучшие результаты дает метод обработки газовым разрядом поверхности пленки перед ее металлизацией, обеспечивший возможность изготовления фторопластовых металлизированных конденсаторов. Такой же метод применяется для обработки поверхности полипропиленовой пленки перед ее металлизацией. [26]
Количество иода в пленках, полученных закрытым иодидным методом, изменяется в зависимости от условий роста от 1014 до 2 - Ю16 см-3. В указанных концентрациях иод не влияет на электрические свойства пленок. [27]
Поликремний, как это следует из его названия, имеет поликристаллическую структуру, т.е. состоит из множества мелких кристаллов или зерен. Размер этих зерен и их ориентация называются текстурой, которая также оказывает сильное влияние на электрические свойства Si пленок. [28]
Различным основам, в зависимости от типа лака, требуются различные растворители, к каковым относятся: масло, бензин, спирт, бензол, толуол - для глифталевых лаков; скипидар, спирты, ацетон - для некоторых асфальтовых лаков. Последние два растворителя являются полупроводниками и, следовательно, если в лаковой пленке останутся следы растворителя, то электрические свойства пленки будут сильно снижены. [29]
Отмечается [112], что в структурном отношении полимерные пленки имеют два основных преимущества по сравнению с диэлектрическими пленками, полученными испарением в вакууме: во-первых, они обладают меньшим числом дефектов структуры и, во-вторых, им присуще меньшее внутреннее напряжение. После шести циклов изменения температуры, от комнатной до температуры жидкого гелия, не было замечено изменений в структуре и электрических свойствах пленок. [30]