Cтраница 3
Эта пленка препятствует процессу точечной сварки данных металлов. После химического травления на поверхности деталей образуется пленка фазы е, более тонкая, с низким и довольно равномерным электрическим сопротивлением, которая с течением времени вновь приобретает электрические свойства пленки фазы у - Во избежание быстрого нарастания пленки в атмосферных условиях в состав травильного раствора вводят пассивирующие элементы, тормозящие процесс нарастания окисной пленки. Окисная пленка, образующаяся на поверхности алюминиевых сплавов системы AI - Mg, по составу и структуре несколько отличается от описанной пленки, однако сущность процесса ее удаления химическим травлением аналогичная. [31]
Слюда, слюдяная бумага, бумага, лаковые покрытия, применявшиеся издавна в качестве изоляторов, начинают уступать место полимерным пленкам. В качестве таких пленок, применяемых в специфичных для каждого материала условиях, используются полиэтилентерефталатные, полиэтиленовые, полистирольные, поликарбонатные, поливинилхлоридные и фторполимерные пленки. Электрические свойства пленок приведены в гл. [32]
Стекло является хорошим изолятором. Следует различать поверхностное и объемное сопротивление стекла. Поверхностное сопротивление определяется электрическими свойствами пленки набухания. Она хорошо проводит электрический ток, поэтому ее появление снижает поверхностное сопротивление. При повышении температуры испаряется влага, содержащаяся в пленке набухания, и уменьшается ее проводимость. Большинство сортов стекла имеет удельное поверхностное электрическое сопротивление порядка 1011 ом, сильно падающее с увеличением влажности атмосферы. [33]
Показано [122], что температурная обработка пленок карбида молибдена толщиной менее 200 А должна проводиться в вакууме непосредственно после осаждения. Если перед обработкой пленку даже на короткое время извлечь из вакуумной установки па воздух, то она частично окисляется до окиси молибдена. При этом не было замечено значительного влияния величины разрежения на электрические свойства пленок. Пленки, термически обработанные при 10 - 2 - 10 - 3 мм рт. ст., не отличались от пленок, обработанных в вакууме 10 - 6 - 10 - 6 мм рт. ст.; исключение составляет менее интенсивный спад сопротивления в области высоких температур для пленок толщиной менее 300 А. [34]
При понижении температуры подложки до 150 С наблюдалось появление микропор, раковин ( пустых мест), что заметно ухудшало электрические свойства пленок. [35]
Пленки Cu3PSx при толщине 0 1 - 0 5 мкм имеют удельное поверхностное сопротивление 20 - 100 ом. Они мало прозрачны - пропускают всего лишь 10 - 35 % во всей области видимого спектра. В области длинноволнового спектра в пределах К 3 - 25 мкм отражательная способность пленок CusPS повышается. Электрические свойства пленок Cu3PS изменяются обратимо при нагреве их до 70 - 80 С. [36]
Тонкие ферроэлектрические пленки Bi4Ti3Oi2 были нанесены на три кремниевые подложки химическим осаждением из растворов. Изучены морфология и электрические свойства пленок. Петли гистерезиса в координатах поляризация - напряженность электрического поля свидетельствуют о ферроэлектрическом характере этих пленок. Поликристаллические тонкие пленки SrBi2Ta2C9 в [183] получены модифицированным методом осаждения из растворов металлоорганических соединений при комнатной температуре. [37]
Значительное влияние на подвижность носителей оказывают сравнительно небольшие потенциальные барьеры в пленке, появление которых вызвано ее структурными несовершенствами. В эпитаксиальных пленках InP, получаемых на подложках из фосфида индия, легированного железом, концентрация электронов превышает 1016 см-3. Наличие в пленках р - InP, получаемых вакуумным испарением [80], температурной зависимости подвижности носителей ( показанной на рис. 3.12) свидетельствует об их рассеянии границами зерен. Ом - см. Электрические свойства пленок InP, легированных серой, находятся в сильной зависимости от условий процесса осаждения и концентрации примеси. Оценочные расчеты показали, что в пленках р-типа диффузионная длина электронов составляет около 0 2 мкм. [38]
Замечено [122], что величина удельного сопротивления свежеосажденных пленок и пленок, обработанных термически при нагреве до 550J С, различается в 1 5 - 2 раза. Эти изменения в электрических свойствах пленок карбида молибдена при термообработке объясняются переходом пленок к более совершенной структуре. [39]
При изотактическом строении полимер легко кристаллизуется, обеспечивая повышение механической прочности и нагревостойкости; он имеет также повышенную устойчивость к растворителям. Современная пленка ПП кристаллизована на 75 - 80 % и содержит до 95 % изотактического полимера. Растворимость пленки, например, в трихлордифениле определяется только остаточным содержанием атактического ( нестереорегулярного) полимера. Наличие остатков ионных катализаторов может резко ухудшать электрические свойства пленки; особенно опасен их переход в процессе растворения атактической фазы в трихлор-дифеиил, используемый в качестве пропиточной жидкости для конденсаторов из пленки ПП, при этом резко возрастают проводимость и tg S трихлордифенила и соответственно ухудшаются характеристики конденсатора. В связи с этим за рубежом выпускают наряду с обычной ( упаковочной) пленкой ПП специальный, электротехнический сорт пленки, в котором остатки катализатора и других загрязнений сведены к минимуму. [40]
Насколько можно судить по литературным данным, основная масса ионитовых пленок, используемых в качестве диафрагм электроионитовых установок, получена так называемым гетерогенным способом. Способ заключается в том, что тонкоизмельченный порошок ионита смешивают с каким-либо термопластичным полимером, выбранным для связывания ионитового порошка. Смесь каландруют и прессуют в пленки или диски. Выбор ионита и его содержание в массе определяют электрические свойства пленок и степень их набухания. Подбором связующего вещества предрешают технологию изготовления пленок, их механические характеристики, химическую стойкость, теплостойкость и стойкость к радиоактивному облучению. [41]
Дэр и др. [34, 57] сообщали, что пленки с пониженным удельным сопротивлением, получаемые методом вакуумного испарения, состоят из зерен большего размера и имеют более упорядоченную структуру, чем пленки с повышенным удельным сопротивлением, которые содержат аморфные области. Для низ-коомных пленок непосредственно после осаждения характерно небольшое избыточное количество кадмия которое увеличивается при термообработке, в результате чего концентрация носителей возрастает, а удельное сопротивление пленок уменьшается. Значительное повышение удельного сопротивления пленок, осаждавшихся с высокой скоростью, при выдержке в атмосферных условиях и при термообработке связано с обеднением носителями мелких зерен. Скорость осаждения и температура испарителя существенно влияют на микроструктуру и, следовательно, на электрические свойства пленок. Хамерски [36] провел исследование зависимости свойств испаряемых пленок CdSe от давления остаточного кислорода и температуры подложки и сделал вывод, что при высоких температурах подложки образуются пленки специфической структуры, содержащие включения О2 в виде комплексов. Автором также показано, что удельное сопротивление пленок сильно зависит от парциального давления О2 и в меньшей степени - от температуры подложки и материала испарителя. На кривой, отражающей зависимость удельного сопротивления пленок от скорости осаждения, наблюдаются аномальные минимумы, положение которых для пленок CdSe, полученных при различных парциальных давлениях О2 зависит от отношения количества молекул CdSe ( в паровой фазе) и О2, соударяющихся с подложкой. Установлено, что глубина минимумов определяется парциальным давлением О2 в процессе осаждения пленки. [42]
Покрытия состоят из слоя В128з толщиной 0 05 мкм и слоя CuxS толщиной 0 1 - 0 24 мкм. Покрытие пропускает 18 - 25 % солнечной радиации и существенно снижает перегрев зданий и архитектурных сооружений. Рост и коалесценция тонких пленок металлического висмута изучены в [510] методами эллипсометрии и электронной микроскопии. Пленки образуются в результате появления островков толщиной около 8 им и их слияния. Зерна имеют преимущественную ориентацию ромбоэдрическими плоскостями ( III) параллельно поверхности. Электрические свойства висмутовых пленок исследованы в [511] методом электрического поля. Экспериментальные данные проанализированы с позиции теории полиметаллических пленок. [43]
При более высоких температурах образуются аморфно-кристаллические пленки с низкими электрическими характеристиками, Сплошность термических пленок на металлах сохраняется лишь до определенной толщины, при превышении которой возникающие в пленке напряжения вызывают ее растрескивание. Чиело веществ, на которых образуются сплошные ( когерентные, однородные) пленки, весьма ограничено. Прежде всего следует назвать тантал, ниобий, алюминий и кремний. Они образуются в атмосфере сухого кислорода при Г1300н - 1600 К; при окислении во влажном кислороде или парах воды температура может быть понижена до 800 К. Во всех случаях получаются аморфные пленки, имеющие структуру ближнего порядка, сходную со структурой кварцевого стекла. Химическая или топографическая неоднородность кремниевой подложки может вызвать появление в аморфном оксиде кристаллической фазы, имеющей структуру а-кристобали-та, присутствие которой ухудшает электрические свойства пленки и может вызвать нарушение ее сплошности. [44]