Усилительное свойство - транзистор
Cтраница 1
Усилительные свойства транзистора учитываются на схеме рис. 1.1 с помощью эквивалентного генератора тока G U, величина которого определяется управляющим напряжением U, приложенным к эмиттерному переходу. Этот генератор тока совместно с проводимостью g3K определяет свойства выходной цепи транзистора. [1]
Усилительные свойства транзистора в эквивалентной схеме характеризуют с помощью генератора тока или напряжения, включенного в выходную цепь транзистора, величина сигнала которого зависит от входного тока транзистора. [2]
 |
Примеры использования транзисторов в качестве активных сопротивлений нагрузок.| Схема генератора малых токов с температурной стабилизацией. [3] |
Усилительные свойства транзисторов снижаются с уменьшением напряжений на переходах и снижением плотностей эмиттерных токов. Для обеспечения приемлемых значений плотности тока инжекции уменьшаются геометрические размеры транзисторов. ИС, работающие при малых токах, требуют использования высокоомных сопротивлений в цепях смещения и нагрузок. Построение высокоомных резисторов в составе ИС экономически нецелесообразно. Поэтому работа на микроваттных уровнях мощности достигается за счет использования специальных схемных решений. [4]
Усилительные свойства транзистора отображаются с помощью семейства вольт-амперных характеристик. Наибольший интерес представляет входная и выходная характеристики транзистора. [5]
Усилительные свойства транзистора ( как и электронной лампы) в эквивалентной схеме учитывают с помощью генератора тока или напряжения, включенного в выходную цепь, величина сигнала которого зависит от входного тока транзистора. [6]
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора по переменному току.| Семейство выходных вольт-амперных характеристик полевого транзистора с управляющим р-я-пе-реходом. [7] |
Усилительное свойство транзистора или его активность представлены генератором тока / rSTt / i и внутренним ( дифференциальным) сопротивлением канала транзистора У. [8]
Усилительные свойства транзистора в эквивалентной схеме учитывают с помощью генератора тока или напряжения, включенного в выходную цепь, величина сигнала которого зависит от входного тока транзистора. [9]
Усилительные свойства транзистора проявляются при включении нагрузки в цепь коллектора. Ток / о, протекающий во входной цепи, оказывается при этом существенно меньше тока / к, протекающего в выходной цепи. [10]
Благодаря усилительным свойствам транзистора процесс рассасывания протекает быстрее, чем в сходных микросхемах ДТЛ. Это время, которое длится несколько наносекунд, ток во входной цепи существенно превышает тот, какой был рассчитан для статических условий. [11]
 |
Упрощенная схема. [12] |
Благодаря усилительным свойствам транзистора в цепи эмиттера возникает высокочастотный ток, величина которого в несколько раз больше, чем вызвавший его ток в цепи базы. Значительная часть этого усиленного тока через переходный конденсатор С6 поступает в контур гетеродина. Причем в контур из эмиттерной цепи транзистора поступает больше энергии, чем тратится в самом контуре и в цепи базы. В результате этого высокочастотное напряжение на контуре гетеродина будет расти до тех пор, пока не установится равновесие: энергия, вводимая в контур, равна сумме потерь энергии в самом контуре и в базовой цепи транзистора. С увеличением переменного напряжения на электродах транзистора коэффициент усиления уменьшается. [13]
 |
Упрощенная схема. [14] |
Благодаря усилительным свойствам транзистора в цепи эмиттера возникает высокочастотный ток, величина которого в несколько раз больше, чем вызвавший его ток в цепи базы. Значительная часть этого усиленного тока через переходный конденсатор Съ поступает в контур гетеродина. Причем в контур из эмиттерной цепи транзистора поступает больше энергии, чем тратится в самом контуре и в цепи базы. В результате этого высокочастотное напряжение на контуре гетеродина будет расти до тех пор, пока не установится равновесие: энергия, вводимая в контур, равна сумме потерь энергии в самом контуре и в базовой цепи транзистора. С увеличением переменного напряжения на электродах транзистора коэффициент усиления уменьшается. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5