Усилительное свойство - транзистор
Cтраница 2
 |
СВЧ усилитель-умножитель. [16] |
Требуемые ВЧ усилительные свойства транзисторов и малая паразитная взаимосвязь между элементами достигаются за счет применения изопланарной технологии. Высокостабильный резистор между эмиттерами транзисторов T и Tz изготовляется из нихрома методом тонкопленочной технологии. Конденсатор для коррекции частотной характеристики выполняется по технологии МДП транзисторов. [17]
Итак, усилительные свойства транзистора объясняются тем, что ток коллектора гораздо чувствительнее к изменениям напряжения на эмиттере, чем к изменениям напряжения на коллекторе. [18]
 |
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер кремниевого транзистора КТ603 от внешнего сопротивления в цепи эмиттер-база. [19] |
На высоких частотах усилительные свойства транзистора ухудшаются: уменьшается коэффициент переноса тока, появляется отставание выходного тока по фазе от входного. Это вызвано шунтированием р-п-переходов барьерными емкостями эмиттерного Сэ и коллекторного Ск переходов, а также частотной зависимостью процесса переноса через базу и область пространственного заряда коллекторного перехода инжектированных эмиттером избыточных носителей. [20]
Как известно, усилительные свойства транзисторов существенно зависят от режима его работы, и, следовательно, при анализе зависимости остаточного напряжения от тока базы нельзя не учитывать зависимость а от тока эмиттера, свойственную в той или иной степени всем без исключения транзисторам. [21]
 |
Процессы в базе при быстром изменении тока эмиттера. [22] |
С увеличением частоты усилительные свойства транзистора ухудшаются. Это происходит в первую очередь из-за инерционности диффузионного процесса, обусловливающего движение дырок через базу к коллектору. [23]
 |
Распределение концентрации дырок в базе при медленных и быстрых изменениях тока эмиттера. [24] |
С увеличением частоты усилительные свойства транзистора ухудшаются. Это происходит в основном по двум причинам. [25]
Значение т характеризует частотные и усилительные свойства транзистора, определяет устойчивость усилительного каскада к самовозбуждению. Данный параметр является важнейшим для высокочастотных транзисторов, по нему производится классификация приборов по группам. Значение постоянной времени цепи обратной связи может колебаться от десятков до тысяч пикосекунд в зависимости от типа транзистора - его конструкции, технологии изготовления, структуры и других факторов. [26]
Для режимов малого сигнала усилительные свойства транзисторов можно охарактеризовать дифференциальными параметрами в рабочей точке так, как это было сделано для ламп. Правда, характеристики полевых транзисторов более нелинейны, что создает известные трудности при выборе приращений токов и напряжений. [27]
С увеличением рабочей частоты усилительные свойства транзисторов уменьшаются. Предельные частотные возможности транзисторов характеризуются: граничной частотой передачи тока / т - частотой, на которой коэффициент усиления по току падает до 0 7 своего значения на низкой частоте; максимальной частотной генерации / м - максимальной частотой автоколебаний в генераторе, собранном на транзисторе. [28]
Коэффициент а, определяющий усилительные свойства транзистора в системе Z-параметров, довольно сложно зависит от частоты. [29]
 |
Схема трехкаскадного усилителя ВЧ с диодным детектором ( микрорадиоприемкик Маяк. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5