Усилительное свойство - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Не волнуйся, если что-то работает не так. Если бы все работало как надо, ты сидел бы без работы. Законы Мерфи (еще...)

Усилительное свойство - транзистор

Cтраница 4


46 Физическая эквивалентная схема полевого транзистора.| Физическая эквивалентная схема с распределенными параметрами полевого транзистора. [46]

Генератор тока, включенный параллельно сопротивлению канала отражает усилительные свойства транзистора.  [47]

48 Физическая эквивалентная схема транзистора. [48]

Генератор тока а / в выходной цепи характеризует усилительные свойства транзистора.  [49]

Большим преимуществом ФТЯ является то, что благодаря усилительным свойствам транзисторов снижается требование к мощности тактовых импульсов, что позволяет подключить к одному источнику тактовых импульсов большое количество элементов. Кроме того, наличие транзистора полностью исключает обратное движение информации в схемах.  [50]

Этот метод не отображает каких-либо принципиальных различий в усилительных свойствах транзисторов с двумя / э-п-переходами и полевых транзисторов, поскольку между п - и - параметрами существуют весьма простые зависимости.  [51]

52 Физическая эквивалентная схема нолевого транзистора.| Физическая эквива - лентная схема с распределенными параметрами полевого транзистора. [52]

Генератор тока, включенный параллельно сопротивлению канала, отражает усилительные свойства транзистора.  [53]

54 Принципиальная схема УВС. [54]

В УПЧЗ полнее, чем в УПЧИ, используются усилительные свойства транзисторов. Однако и здесь необходимо принимать меры к тому, чтобы изменение параметров транзисторов не влияло на форму резонансной кривой. Для этого связь транзисторов с контурами делается слабой, и вносимые в контур дополнительные сопротивления будут небольшими.  [55]

Генератор тока aia присоединенный параллельно сопротивлению гк, имитирует усилительные свойства транзистора. С другой стороны, приписав заранее элементам гэ и гк смысл дифференциальных сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов, считая rg объемным сопротивлением базовой области ( см. Сопротивление базы), а а - коэффициентом усиления по току в схеме с общей базой, можно эту же схему рассматривать как моделирующую, причем, однако, теоретические значения величин Гэ, Г6 гк и а могут отличаться от измеряемых на опыте.  [56]

Для оценки влияния рекомбинации носителей заряда в базе на усилительные свойства транзистора используется коэффициент переноса носителей в базе, который показывает, какая часть инжектированных эмиттером дырок достигает коллекторного перехода.  [57]

58 Физическая эквивалентная схема полевого транзистора.| Физическая эквивалентная схема с распределенными параметрами. [58]

Генератор тока, включенный параллельно сопротивлению канала, отражает усилительные свойства транзистора.  [59]

Этот параметр характеризует эффективность управляющего действия затвора и определяет усилительные свойства транзистора.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5