Cтраница 4
![]() |
Физическая эквивалентная схема полевого транзистора.| Физическая эквивалентная схема с распределенными параметрами полевого транзистора. [46] |
Генератор тока, включенный параллельно сопротивлению канала отражает усилительные свойства транзистора. [47]
![]() |
Физическая эквивалентная схема транзистора. [48] |
Генератор тока а / в выходной цепи характеризует усилительные свойства транзистора. [49]
Большим преимуществом ФТЯ является то, что благодаря усилительным свойствам транзисторов снижается требование к мощности тактовых импульсов, что позволяет подключить к одному источнику тактовых импульсов большое количество элементов. Кроме того, наличие транзистора полностью исключает обратное движение информации в схемах. [50]
Этот метод не отображает каких-либо принципиальных различий в усилительных свойствах транзисторов с двумя / э-п-переходами и полевых транзисторов, поскольку между п - и - параметрами существуют весьма простые зависимости. [51]
![]() |
Физическая эквивалентная схема нолевого транзистора.| Физическая эквива - лентная схема с распределенными параметрами полевого транзистора. [52] |
Генератор тока, включенный параллельно сопротивлению канала, отражает усилительные свойства транзистора. [53]
![]() |
Принципиальная схема УВС. [54] |
В УПЧЗ полнее, чем в УПЧИ, используются усилительные свойства транзисторов. Однако и здесь необходимо принимать меры к тому, чтобы изменение параметров транзисторов не влияло на форму резонансной кривой. Для этого связь транзисторов с контурами делается слабой, и вносимые в контур дополнительные сопротивления будут небольшими. [55]
Генератор тока aia присоединенный параллельно сопротивлению гк, имитирует усилительные свойства транзистора. С другой стороны, приписав заранее элементам гэ и гк смысл дифференциальных сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов, считая rg объемным сопротивлением базовой области ( см. Сопротивление базы), а а - коэффициентом усиления по току в схеме с общей базой, можно эту же схему рассматривать как моделирующую, причем, однако, теоретические значения величин Гэ, Г6 гк и а могут отличаться от измеряемых на опыте. [56]
Для оценки влияния рекомбинации носителей заряда в базе на усилительные свойства транзистора используется коэффициент переноса носителей в базе, который показывает, какая часть инжектированных эмиттером дырок достигает коллекторного перехода. [57]
![]() |
Физическая эквивалентная схема полевого транзистора.| Физическая эквивалентная схема с распределенными параметрами. [58] |
Генератор тока, включенный параллельно сопротивлению канала, отражает усилительные свойства транзистора. [59]
Этот параметр характеризует эффективность управляющего действия затвора и определяет усилительные свойства транзистора. [60]