Примесное вещество
Cтраница 1
Примесные вещества могут тормозить полиморфное превращение и способствовать фиксации ( стабилизации) полиморфных модификаций в метастабильном состоянии. [1]
Различные примесные вещества ( сенсибилизирующие и другие красители, цветные компоненты, смачиватели и стабилизаторы), адсорбирующиеся на галогенидах серебра, могут влиять на скорость кристаллизации и на форму кристалла, но не на структуру пространственной кристаллической решетки. [2]
 |
Сопоставление кинетики реакций желатины с ионами серебра в растворе ( а и на твердой фазе эмульсии ( б во втором созревании. [3] |
Результаты анализов примесных веществ в твердой фазе данной эмульсии приведены на рис. III.5, б, где кривая 7 соответствует кинетике удер - жания серы, количество которой выражено в виде Ag2S, кривая 2 - изменению во времени разности между общим количеством негалоидного и сернистого серебра, которую можно называть кривой серебра созревания. При построении кривой Ag2S принималось во внимание общее количество желатины, участвовавшее как при физическом ( первом), так и при химическом, ( втором) созревании; при построении кривой серебра созревания в расчет принималась только желатина второго созревания. [4]
Основные свойства примесного вещества Sr ( NO3) 2 следующие. Соль хорошо растворима в воде, образует кристаллогидрат Sr ( NO3) 2 - 4H2O, плавящийся инконгруэнтно при 31 3 С. [5]
Для уточнения роли примесных веществ изучали [25] удаление их из же-астины адсорбцией и выделение электродиализом. Желатину обрабатывали адборбентами пропусканием ее раствора через колонку с адсорбентом ( ионообменные смолы, силикагель, окись алюминия, карболен) или введением адсорбента в раствор с образованием суспензии, перемешиванием в течение 30 мин. Для обработки брали 10 % - ный раствор желатины при 5) С. [6]
В монографии рассматривается поведение примесного вещества в ходе направленной кристаллизации расплавов неорганических солей на основании кривых распределения примеси по слитку. Обсуждается влияние скорости кристаллизации, концентрации примеси, температурного градиента и других факторов. Приведенные результаты могут быть полезны при использовании направленной кристаллизации в технологии очистки веществ. [7]
Основой второго метода является диффузия примесного вещества в кристалл полупроводника. Например, при изготовлении вентильных элементов для силовых диодов используются диски ( диаметром до 100 мм) из кремния п - типа, на обеих поверхностях которых в процессе длительного нагрева ( до 1300 С) образуются тонкие слои противоположной проводимости за счет легирования алюминием, бором или галлием. Для создания переходов применяют также диффузию сурьмы или фосфора в кремнийр-типа. [8]
Добавление в чистый полупроводник атомов примесного вещества существенно изменяет не только количество подвижных носителей, но и характер электропроводности. [9]
Второй метод основан на диффузии примесного вещества в исходный монокристаллический кристалл полупроводника. [10]
Конверсионные транзисторы аналогично диффузионным получаются путем диффузии примесных веществ в исходную пластинку полупроводника. [11]
 |
Последовательные стадии изготовления. [12] |
Диффузионные переходы образуются в результате диффузии атомов примесного вещества через поверхность пластинки исходного полупроводника ( или из одной части этой пластинки в другую) при повышенной температуре. В отличие от сплавных, диффузионные переходы характеризуются плавным изменением концентрации введенной примеси. [13]
Для выяснения взаимосвязи между химико-аналитическими данными о примесных веществах в твердой фазе и фотографическими свойствами эмульсий были проведены многократные сопоставления тех и других величин. Изучение этих результатов привело к выводу, что руководствоваться отдельными абсолютными значениями микроанализов практически бесполезно. [15]
Страницы: 1 2 3 4