Cтраница 3
Сплавные транзисторы ( рис. 1 6) изготавливаются путем вплав-ления двух капель примесного вещества с противоположных сторон пластинки исходного полупроводника. Таким методом удается получать в основном низкочастотные транзисторы малой и большой мощности. [31]
Сплавной транзистор - транзистор, в котором р-п переходы создаются путем сплавления примесных веществ с материалом исходной пластинки полупроводника. После дополнительной обработки и очистки поверхности механическими и химическими методами на каждую пластинку с двух сторон соосно накладываются маленькие кусочки ( так называемые навески) электродного материала. Для германиевых транзисторов структуры р - п - р исходные пластинки имеют проводимость n - типа, а в качестве электродного материала используется главным образом индий, обладающий свойствами акцептора. Пластинки вместе с навесками помещают в специальную печь, температура в которой достаточна для плавления электродного материала, так что обе навески, переходя в жидкое состояние, образуют две капли на пластинке. [32]
![]() |
Раздельной определение необратимых продуктов в различных образцах желатины. [33] |
В табл. V.10 для 6 образцов желатины сопоставлены результаты определения описанным методом примесных веществ, образующих необратимые продукты. [34]
После этой стадии роста снова в той же последовательности повторяется процесс образования слоев примесного вещества. [35]
![]() |
Влияние на кинетику химического созревания эмульсий анодной и катодной фрак ций, выделенных из быстрой ( / и медленной ( / / желатины.| Влияние электродиализа на свойства желатины. [36] |
Если свойство желатины влиять на скорость химического созревания назвать кинетической активностью, то удаление примесных веществ из желатины следует рассматривать как обратную дезактивацию. Однако различные сернистые соединения действуют неодинаково. [37]
Для некоторых веществ, существующих в нескольких полиморфных формах, обнаружена избирательность стабилизирующего действия отдельных примесных веществ. Например, одна и та же примесь не стабилизирует, как правило, всех полиморфных форм ЗСаОБЮг ( лишь ZnO может стабилизировать за счет замещения типа Ca2 - vZn2 все модификации ЗСаО-БЮг), а избирательно стабилизирует лишь некоторые из них. Однако для некоторых других веществ доказана универсальность действия многих стабилизирующих добавок на все полиморфные модификации. Предполагается, что содержание примесного вещества, необходимого для стабилизации той или иной формы, определяется степенью перестройки структуры при ее переходе в другую форму. Чем больше отличаются по структуре полиморфные модификации и, следовательно, чем существеннее перестройка структуры при полиморфном переходе, тем легче его предотвратить и тем меньше стабилизатора для этого требуется. При сходных структурах полиморфные превращения осуществляются легче и, следовательно, тем больше стабилизатора требуется, чтобы затормозить полиморфный переход. [38]
Электрокаталитическими процессами называются процессы, скорость которых сильно зависит от материала электрода или малых копк-честв примесных веществ в электролите. [39]
В решении задачи создания фотографически активного синтетического полимера большое значение приобретает исчерпывающее выяснение природы тех примесных веществ в желатине, которые определяют ее фотографические свойства. [40]
Сплавной транзистор - транзистор, в котором р - n - переходы создаются путем сплавления примесных веществ с материалом исходной пластинки полупроводника. После дополнительной обработки и очистки поверхности механическими и химическими методами на каждую пластинку с двух сторон соосно накладываются маленькие кусочки ( так называемые навески) электродного материала. Для германиевых транзисторов структуры р - п - р исходные пластинки имеют проводимость п-типа, а в качестве электродного материала используется главным образом индий, обладающий свойствами акцептора. Пластинки вместе с навесками помещают в специальную печь, температура в которой достаточна для плавления электродного материала, так что обе навески, переходя в жидкое состояние, образуют две капли на пластинке. Вслед за этим в каждой капле начинается растворение граничащего с нею слоя исходного полупроводника, хотя температура в печи не достаточна для его плавления. [41]
Сплавные диоды и транзисторы - полупроводниковые диоды и транзисторы, в которых р-я-переходы создаются путем вплавления примесных веществ в материал исходной пластинки полупроводника. [42]
Ряд проблем в этой области может быть решен с помощью хроматографа, особенно в тех случаях, когда примесные вещества предварительно идентифицированы с помощью масс-спектрометра. [43]
![]() |
Влияние на кинетику химического созревания эмульсий анодной и катодной фрак ций, выделенных из быстрой ( / и медленной ( / / желатины.| Влияние электродиализа на свойства желатины. [44] |
Электродиализ также превращает желатину в медленнодействующую ( рис. V.18, б), причем пятикамерный электродиализатор позволяет выделить примесные вещества в виде катодной и анодной фракции. [45]