Примесное вещество

Cтраница 2

Сплавные транзисторы, изготовляемые путем вплавления двух капель примесного вещества с противоположных сторон пластинки исходного полупроводника. Таким методом изготовляются низкочастотные транзисторы малой и большой мощности. [16]

В этой модели рассматривается образование моно - или мультимолекулярных слоев примесного вещества без образования зародыша - путем непосредственного роста трехмерных зародышей. [17]

Дальнейшим подтверждением этой гипотезы является отравление катализаторов, вызываемое следами примесных веществ, которых было бы недостаточно даже для мономолекулярного покрытия. Поэтому адсорбция следов примесей должна происходить сначала на активных центрах и делать их пассивными для химической адсорбции участников реакции. Гипотеза Тейлора не является бесспорной, так как она, хотя и объясняет некоторые принципиальные явления, однако многие вопросы остаются без ответа. Решающим аргументом против этих представлений является тот факт, что многие вещества можно перевести в активную форму с образованием поверхности, построенной энергетически весьма неоднородно. Однако такие вещества не обладают каталитическим действием. Следующим возражением против гипотезы Тейлора являются некоторые результаты, полученные на гранях монокристаллов. [18]

В области разбавленных растворов при использовании радиоактивных индикаторов соотношение концентраций меченого примесного вещества равно отношению радиоактивностей. [19]

Процесс образования твердых растворов гетеровалеитннмя компонентами представлен реакциями обмена катионов основного и примесного вещества. Высказано предположение о дополнительном влиянии щавелевой кислоты на процесс захвата европия осадком ок-салата тория. [20]

Примесная проводимость - проводимость полупроводника, в котором благодаря наличию примесных веществ концентрации свободных электронов и дырок различны. [21]

Примесная проводимость - проводимость полупроводника, в котором благодаря наличию примесных веществ концентрации свободных электронов и дырок различны. [22]

Имеющиеся экспериментальные данные указывают, что источником фотографической активности желатины являются примесные вещества, обладающие химическим сродством к ионам Ag и взаимодействующие с твердой фазой эмульсии. [23]

Барьерная емкость - электрическая емкость электронно-дырочного перехода, обусловленная зарядами ионов примесного вещества в обедненном слое. Играет существенную роль при обратной полярности приложенного к р - - п-пе-реходу напряжения и уменьшается с увеличением этого напряжения. [24]

Барьерная емкость - электрическая емкость электронно-дырочного перехода, обусловленная зарядами ионов примесного вещества в обедненном слое. Играет существенную роль при обратной полярности приложенного к р-п переходу напряжения и уменьшается с увеличением этого напряжения. [25]

Барьерная емкость - электрическая характеристика электронно-дырочного перехода, обусловленная зарядами ионов примесного вещества в обедненном слое. Играет существенную роль при обратной полярности приложенного кр - n - переходу напряжения и уменьшается с увеличением этого напряжения. [26]

Характер электропроводности собственного полупроводника существенно изменяется при добавлении к нему атомов примесного вещества. В полупроводниковых приборах используют только примесные полупроводники; количество примесей строго дозируется, составляя примерно один ат. В качестве примесей применяют элементы пятой ( сурьма, мышьяк, фосфор) и третьей ( индий, бор, алюминий) групп таблицы Менделеева. [27]

Экспериментальная оценка чувствительности метода по отношению к имевшимся в нашем распоряжении чистым примесным веществам проводилась по минимальному процентному содержанию их в ТФК, обнаруженному по оптической плотности, которая в два раза превышает приборную ошибку измерения, при использовании 5 см кювет и учета поправок на их собственное поглощение. Эти концентрации близки к предельным по растворимости и применяются для анализа образцов ТФК на конечной стадии очистки. [28]

Значительно лучшей электропроводностью обладают примесные полупроводники, причем характер электропроводности зависит от примесного вещества. [29]

Устройствоттранзисторов-различных типов. [30]

Страницы: 1 2 3 4