Cтраница 3
Пригодные для сеткографии сорта этих лаков дешевы. Они растворяются в бензине и других органических растворителях. [31]
Фоторезисты служат для тех же самых целей, что и защитные резисты для сеткографии. Как и резисты для сеткографии, фоторезисты могут быть использованы для печати как негативного, так и позитивного рисунков на фоль-гированных диэлектриках. [32]
На частотах, превышающих 4 - 5 ГГц, применение толстопленочной техники ограничивается возрастающим уровнем потерь в проводящей пленке сложного состава. Кроме того, метод сеткографии не обеспечивает удовлетворения повышенных требований к точности воспроизведения геометрических размеров элементов. Поэтому на частотах свыше 5 ГГц применяется тонкопленочная технология. [33]
Растворители для фоторезистов необходимо применять очень осторожно. Для непосредственного печатания рисунка методом сеткографии можно применять ацетилы, которые исключают использование кетонов или других агрессивных растворителей. Персульфат аммония, хлорное железо и хлорная медь при комнатной температуре пригодны для травления меди на этом диэлектрике. Если часть платы, например, внутри отверстий, не покрыта металлом, то более всего подходит травитель на основе персульфата аммония. [34]
Толстопленочной ИС называется ИС с толщиной пленок свыше 1 мкм. Элементы, толстопленочных микросхем наносятся преимущественно методом шелкографии ( сеткографии) с последующим вжиганием. [35]
При сплошном наращивании меди основная часть гальванического процесса ( меднение) выполняется до нанесения органического резиста. Это дает возможность использовать фотопроцесс так же успешно, как и сеткографию. При способе избирательного наращивания меди сеткография более пригодна, и ее применение почти обязательно. [36]
Схема технологического процесса изготовления МПП методом металлизации сквозных отверстий на травящемся диэлектрике с получением рисунка схемы наружных слоев методом сеткографии приведена на рис. 3.35. Основными этапами процессы являются: а - - изготовление заготовок фольгированного диэлектрика и стеклоткани и выполнение базовых отверстий. При нарезке заготовок необходимо предусмотреть технологический припуск на размещение контрольных элементов; б - подготовка поверхности заготовок химическим способом и нанесение рисунка монтажа внутренних слоев МПП; в - травление меди с пробельных мест и удаление защитного слоя рисунка ( раздубли-вание); г - прессование МПП; д - сверление отверстий; е - подтравливание диэлектрика в отверстиях; ж - предварительное меднение ( затяжка) гальваническим методом; з - получение рисунка монтажа наружных слоев МПП методом сеткографии ( сет-кографический станок должен обеспечивать совмещения рисунка с погрешностью не более 0 05 мм); и - гальваническое меднение и нанесение защитного металлического покрытия; к - удаление защитного слоя краски, травление меди с пробельных мест. [37]
Если отверстия просверливаются не строго под прямым углом, то невозможно достигнуть правильного совмещения их с печатным монтажом на обеих сторонах платы. При нанесении изображения фотоспособом это может вызвать во время экспонирования засвечивание эмульсии в отверстиях и ее последующее частичное или полное задубливание. При нанесении изображения методом сеткографии этот фактор учету не подлежит, но даже в этом случае в результате плохого совмещения отверстий с рисунком образец приходится браковать. Типичными причинами смещения отверстий являются: изгиб сверла, чрезмерная подача, сверление пакета из слишком большого количества плат, неправильная заточка сверла ( неодинаковая длина режущих кромок), люфт в шпинделе или патроне. [38]
При сплошном наращивании меди основная часть гальванического процесса ( меднение) выполняется до нанесения органического резиста. Это дает возможность использовать фотопроцесс так же успешно, как и сеткографию. При способе избирательного наращивания меди сеткография более пригодна, и ее применение почти обязательно. [39]
Общетиповая оценка технологичности ПП ставит второе условие: предпочтительно использование сеткографии вместо фотолитографии. Это требование при всех трех классах плотности рисунка выполняется для ПП 170x150 мм, не более. Габаритное ограничение вызвано конечными возможностями сеткографии, при которой точность воспроизведения оттиска связана с деформацией сетки трафарета, значительно увеличивающейся при превышении указанных габаритов. [40]
Фоторезисты могут давать линии шириной 0 025 мм с точностью 0 0025 мм и лучше. Применение сеткографии ограничено линиями шириной 0 12 - 0 25 мм. Фотоспособ более практичен при выпуске малых партий ( до 15 плат), когда как сеткография экономичнее при выпуске большого количества плат. [41]
Мнение, что платы с избирательным наращиванием выглядят лучше, основано на чистоте поверхности ( зеркальный блеск) и четкости контуров проводников и площадок. Платы, гальванически покрытые в пирофосфатном или другом, дающем блестящее покрытие, электролите, имеют хороший вид при любом варианте процесса. Однако платы с избирательным наращиванием будут иметь меньше включений меди на неметаллизированных участках, так как при этом способе обычно применяется сеткография. Кроме того, если органический резист нанесен хорошо, четкость краев проводников бутет лучше на платах с избирательным наращиванием. [42]
Для плат с металлизируемыми отверстиями защитный лак наносится через трафарет по полученному негативному изображению схемы. Используемый в качестве резиста лак должен обеспечить выполнение требований к четкости рисунка схемы, который нужно воспроизвести на плате. В аспекте применения при травлении лак должен обладать хорошей адгезией к заготовке ( фольге) и стойкостью к травильным растворам, образовывать беспористое покрытие, не содержать инородных включений ( масел или смол), легко удаляться без повреждения подложки или печатной схемы. Описание процесса сеткографии дается в гл. [43]
Как показывает анализ, большинство методов сварки обеспечивает индивидуальное выполнение каждого соединения, что сказывается на их производительности. Интересное решение при создании групповых методов представляет подсоединение выводов сваркой взрывом. Нанесение ВВ осуществляется методом сеткографии через металлические или шелковые сетки. Паста, содержащая ВВ, обладает хорошей текучестью и адгезией к поверхности вывода. Заряды на поверхности выводов формируют из первичных инициирующих ВВ, имеющих очень малые критические диаметры заряда и чувствительных к температуре или лучистому излучению. [44]
Пленочные резисторы выполняются на плоских диэлектрических подложках в виде узких металлических полосок различной конфигурации. Различают тонкопленочные и толстопленочные резисторы. Тонкопленочные резисторы изготовляются термическим напылением металлов в вакууме через маски-трафареты. Используются металлы, сплавы и соединения с приемлемым удельным сопротивлением, технологической совместимостью и стабильностью характеристик. Широко распространены также толстопленочные резисторы, изготовляемые методом сеткографии: на подложку наносят резистивную пасту через сеточный трафарет и отжигают. Пленочные резисторы имеют широкий диапазон номинальных значений - от нескольких ом до 500 кОм и более. [45]