Сечение - захват - электрон
Cтраница 1
 |
Зависимость сечения диссоциативного прилипания электронов к молекуле N20 от температуры газа - мишени. [1] |
Сечение захвата электрона как процесса перехода между двумя различными состояниями молекулы подчиняется принципу Франка - Кондона. [2]
Сечения захвата электронов и дырок дискретными уровнями могут заметно отличаться благодаря наличию притягивающего кулоновского поля для носителей одного знака и нулевого или отталкивающего кулоновского поля для носителей противоположного знака. [3]
 |
Принятая схема энергетических уровней окиси цинка с указанием уровней кислорода. [4] |
Пусть сечения захвата электронов обоими типами кислорода одинаковы. Тогда отношение скоростей заполнения уровней О2 и О - будет равно NtfNz и, как бы медленно ни протекала хемосорбция, скорость перехода электронов между ионами О2 - и объемом будет превышать скорость хемосорбции в Ni / N2 раз. [5]
Если сечения захвата электронов уровнями обоих классов одинаковы, то концентрация электронов не будет меняться. [6]
Величина сечения захвата электрона каким-либо заряженным центром определяется распределением потенциала вблизи этого центра. [7]
Отсюда нельзя определить сечение захвата электрона, так как ни тп0, ни тр0 неизвестны. Можно утверждать, однако, что отношение ро / тт) - n / р значительно больше единицы. Это должно означать, что сечение захвата электрона пустой ловушкой больше сечения захвата дырки, занятой ловушкой. [8]
В обшем случае сечения захвата электронов и дырок могут быть различными. Для простоты анализа предполагается их равенство, что не оказывает влияния на принципиальный ход рассуждений. [9]
 |
К выводу соотношения для вероятности рекомбинации носителей и времени их жизни. [10] |
Поэтому Ап называют сечением захвата электрона дыркой. [11]
Эта величина1) на пять порядков меньше сечения захвата электронов ловушками в дырочных образцах кремния, чем и объясняется отсутствие многократного захвата в данном случае. Более точно это можно проиллюстрировать следующим образом. Согласно измерениям, скорость рекомбинации из валентной зоны составляет 2 5 - 104 сек. Таким образом, в данном образце в среднем только одна из 400 дырок вновь попадает на уровень прилипания, даже если все эти уровни пустые. Освобождение уровней прилипания происходит либо путем теплового выброса дырок обратно в валентную зону с последующей нормальной их рекомбинацией, либо путем непосредственной рекомбинации с данного уровня, либо, наконец, путем комбинации обоих названных процессов. Однако такой зависимости фактически не обнаружено по крайней мере в данном интервале-значении проводимости. Поэтому мы считаем, что измеренное значение постоянной времени t есть xff - время, характеризующее скорость теплового выброса в валентную зону. [12]
 |
Зависимость фонового тока ( а и сигнала ( б электроноза-хватных детекторов с источниками различной активности от напряжения. [13] |
Очевидно, отсюда не следует, что зависимость сечения захвата электронов от их энергии не влияет на характеристики детектирования. [14]
 |
Зависимость фонового тока ( а и сигнала ( б электроноза-хватных детекторов с источниками различной активности от напряжения. [15] |
Страницы: 1 2 3 4