Сечение - захват - электрон
Cтраница 3
Энергия электрона, при которой наблюдается резонансное увеличение сечения захвата, для разных веществ различна. Например, у соединений, легко диссоциирующих и имеющих большое сродство к электрону, сечение захвата электрона максимально при практически нулевой энергии электрона. [31]
Исследователи отмечали, что в области низких энергий электронов ( - 0 5 эв) метод роя дает значения сечений захвата электронов, близко совпадающие со значениями, которые получаются при измерениях сечений методом электронного пучка. В то же время область энергии - 0 5 эв и ниже - наиболее сложная область для экспериментов, использующих пучок электронов определенной энергии, так что два метода в этой области энергий электронов дополняют друг друга. [32]
В акриловом альдегиде и винилметилкетоне, где карбонильная группа сопряжена с СС-связью, диссоциативный захват электронов наблюдается в области энергии электронов - 3 5 - 10 эв и представлен четырьмя резонансными пиками выхода ионов. Вместе с кислородсодержащими ионами ( 0 -, ОН, ОС2Н -, ООН) наблюдаются ионы С2Н, С3Щ, С2Щ По сравнению с бутадиеном и пипериленом абсолютные сечения захвата электронов с образованием отрицательных ионов в рассматриваемых соединениях выше в 5 - 10 раз. Это относится не только к эффективному выходу ионов, содержащих в своей структуре атом кислорода, но и к углеводородным ионам. [33]
Как показали исследования миграции экситонов ( разд. К примеру, добавление в антрацен тетрацена приводит к появлению электронных и дырочных ловушек глубиной соответственно 0 2 и 0 42 эВ с сечением захвата дырок порядка 10 15 см2, примерно в 100 раз превышающим сечение захвата электронов. По этой причине при введении в кристалл носителей обоих знаков дырки более эффективно захватываются молекулами примеси. Затем эти, уже сидящие в ловушках, дырки захватывают подвижные электроны, что приводит к образованию возбужденных молекулярных состояний тетрацена. Вследствие этого спектр электролюминесценции должен состоять из свечения антрацена и тетрацена. Это иллюстрирует рис. 3.2.25, где также показано, что при больших плотностях инжекционных токов меньшая часть инжектированных дырок попадает в ловушки. Это является следствием того, что с увеличением дырочного тока квазиуровень Ферми для дырок, EFh, приближается к валентной зоне, вызывая тем самым заполнение всех дырочных ловушек, лежащих по энергии между EFh и дном зоны проводимости. По этой причине число возможных пустых ловушек уменьшается, что приводит к меньшей вероятности захвата дырок. Так, в объеме кристалла антрацена преобладает бимолекулярная рекомбинация свободных дырок и электронов. Из рис. 3.2.25 также с очевидностью следует подобие спектров ЭЛ и замедленной флуоресценции. Как уже говорилось в разд. В случае рекомбинации носителей в местах расположения молекул тетрацена определенно наблюдается его флуоресценция. Но еще не ясно, образуются ли оба излучающих состояния. [34]
С увеличением концентрации дырок почти все двухзарядные ионы золота превращаются в однозарядные. После этого скорость рекомбинации дырок определяется сечением захвата электронов однозарядными отрицательными ионами золота, так как этот процесс подготавливает примесь к захвату следующей дырки. Поскольку сечение захвата электрона на Аи - много меньше сечения захвата дырки на Аи2 -, то время жизни дырок увеличивается с ростом их концентрации в базе диода. [35]
Большое сечение для захвата электрона нейтральным центром определяется поляризуемостью центра в поле приближающегося к нему электрона. В этом случае адсорбция полярной молекулы эфира вблизи центра может привести к сильной и постоянной по направлению поляризации центра, вследствие чего поляризуемость его резко уменьшится. Соответственно уменьшится и, сечение захвата электрона, а отношение сечений захвата дырки и электрона возрастет, что мы и наблюдали в наших экспериментах. [36]
Отсюда нельзя определить сечение захвата электрона, так как ни тп0, ни тр0 неизвестны. Можно утверждать, однако, что отношение ро / тт) - n / р значительно больше единицы. Это должно означать, что сечение захвата электрона пустой ловушкой больше сечения захвата дырки, занятой ловушкой. [37]
РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЦЕНТРЫ - дефекты или примесные атомы ( ионы) в кристаллич. Процесс осуществляется путем последоват. Величины 81 д, Къ, KR определяются сечениями захвата электрона и дырки сгэ, вд, их тепловыми скоростями и. [38]
Процесс, ответственный за излучение кванта с энергией 1 8 эВ, обладает высокой эффективностью, поскольку электроны, захваченные комплексом Zn-О, не встречаются с центрами безызлучательной рекомбинации, как в случае, если бы они были подвижными. Для глубокой ловушки время жизни по отношению к излучательному переходу, связанному с аннигиляцией экситона, будет гораздо меньше, чем время, соответствующее весьма маловероятному процессу обратного возбуждения в зону проводимости. Таким образом, эффективность будет определяться соотношением между сечениями захвата электронов комплексами Zn-О и соответствующими центрами безызлучательной рекомбинации ( разд. Поскольку доноры и акцепторы ионизуются во время выращивания кристалла, то существует тенденция к образованию большей концентрации компактных пар, чем та, которая соответствовала бы хаотическому распределению примесей. Получение высокой концентрации пар Zn-О связано, однако, с трудностями, обусловленными технологией изготовления такого материала, так что при высоких уровнях инжекции наступает насыщение, когда все эти электронные ловушки оказываются заполненными. [39]
Представлен обзор результатов предпринятых за последнее время в Японии исследований в области спектроскопии состояний в запрещенной зоне a - Si: H. Вкратце изложены принципы метода изотермической нестационарной емкостной спектроскопии ( ИНЕС) и представлены детальные экспериментальные результаты, полученные ИНЕС на a - Si: H, легированном фосфором. Впервые методом ИНЕС были определены энергетические и температурные зависимости сечений захвата электронов состояниями в запрещенной зоне a - Si: H. Из полученных результатов убедительно следует, что при захвате электронов глубокими уровнями в запрещенной зоне a - Si: H преобладает процесс многофононной эмиссии. Обсуждаются также экспериментальные результаты, полученные на нелегированном a - Si: H как с помощью спектроскопии фазового сдвига модулированного фототока, так и с помощью совокупности метода эффекта поля и С - К-измерений МОП-структур. [40]
До сих пор обсуждали исследования, проводимые в темновых условиях ( или в условиях локального светового зондирования), когда реком-бинационные свойства, как правило, можно описать с помощью постоянного параметра Sgb, на зависящего от концентрации носителей заряда. При освещении материала и-типа фотогенериро-ванные дырки нейтрализуют отрицательно заряженные состояния на межзеренной границе и снижают высоту потенциального барьера до тех пор, пока не. В приближении постоянства Ерп и Ерр во всем обедненном слое и равенства рекомбинанионных сечений захвата электронов и дырок ап Ор а - равновесие наступает, когда неравновесные концентрации пр ( х, 0) и рр ( х, 0) на межкристаллитной границе становятся равны друг другу. [41]
В статистической теории механизм захвата специально может не рассматриваться. В этой теории вероятность захвата считается заданной величиной и характеризуется сечением захвата. При этом следует, однако, принимать во внимание некоторые качественные соображения, рассматриваемые ниже, о соотношении сечений захвата электрона и дырки данным типом центров. [42]
 |
Зависимость содержания соединений урана и фтора от температуры при начальном. [43] |
В сочетании с высокой технологической надежностью и дешевизной ускорителей электронов это может служить основой промышленного метода конверсии UFg в UF4 и в металлический уран. В настоящее время имеются экономически обоснованные проекты использования ускорителей электронов для обеззараживания зерна и даже газификации твердых топлив. На пути промышленной реализации этого метода имеется ряд серьезных проблем: сравнительно высокая энергетическая цена радиационно-химическои конверсии; ограничения по плотности электронного тока, что ограничивает удельную производительность установки; высокие значения сечения захвата электрона и, соответственно, малая глубина проникновения электрона внутрь газообразного вещества, что при технически приемлемых концентрациях UFe даже при небольших электронных токах приводит к заметному перегреву. [44]
Данные для мелких ловушек для образца 223 В, представленные на фиг. Отсюда была определена концентрация мелких нормально не заполненных ловушек N - - 2 - Ю12 CM-S, а также значение TOO Ю-2 сек. Очевидно, что сечения захвата электронов глубокими и мелкими ловушками весьма велики по атомным масштабам. Вапнье [8] произвел оценку предельного значения т, ( а не непосредственно эффективного сечения) в предположении, что процесс захвата включает испускание фонона очень медленным электроном. [45]
Страницы: 1 2 3 4