Сечение - захват - электрон
Cтраница 2
Очевидно, отсюда не следует, что зависимость сечения захвата электронов от их энергии не влияет на характеристики детектирования. [16]
Для сложных ионов сечение диссоциативной рекомбинации совпадает с сечением захвата электрона на резонансный уровень, поскольку наиболее эффективный распад автоионизационного состояния связан с разлетом возбужденной молекулы на фрагменты. [17]
Из-за отсутствия к настоящему времени данных по энергии и вероятности возбуждения, а также и по сечению захвата электронов для отдельных изотопических равновидностей молекул кинетические изотопные эффекты каждой из стадий 1 - 3 вычислены по уравнениям Бигеляйзена [28], выведенным из теории активного комплекса и соотношений статистической механики для термических реакций между нормальными ( невозбужден-пыми) атомами и молекулами. [18]
Очень интересным является случай, когда имеются два типа центров рекомбинации, причем сечения захвата дырок для этих центров примерно одинаковы, а сечения захвата электронов отличаются друг от друга на несколько порядков. [19]
Далее заметим, что появление пиков на кривых деполяризации емкости еще не доказывает дискретности центров, а лишь свидетельствует о появлении группы уровней с хорошо выраженными вероятностными параметрами ( сечением захвата электронов и др.), группирующимися в определенном энергетическом интервале. Для дискретных центров Гтах не должно зависеть от величины возмущающего ( заряжающего) поля, тогда как для непрерывной модели такое смещение естественно. [20]
Если в запрещенной зоне полупроводника п-типа имеется примесный уровень, лежащий ниже уровня Ферми и полностью заполненный электронами, то сечение захвата дырок Sp отрицательно заряженным центром будет во много раз больше, чем сечение захвата электронов Sn нейтральными центрами. [21]
В нем Nt - плотность центров рекомбинации; Ср - сечения захвата дырок; Мл - концентрация донорной примеси в кристалле; Е - энергетический уровень середины запрещенной зоны; щ - собственная концентрация; Ф - со при ф 0 и Ф кро - Ф1 при ф80, фо1п ( Ср / Сп), где Сп - сечение захвата электронов. [22]
 |
Зависимость величины эффективного сечения захвата электрона атомом водорода от энергии электрона. [23] |
При относительно больших энергиях сечение захвата уже сравнительно слабо изменяется с увеличением энергии электрона. Величины сечения захвата электрона молекулами, определенные различными методами, различаются между собой. [24]
При относительно больших энергиях сечение захвата уже сравнительно слабо изменяется с увеличением энергии электрона. Величины сечения захвата электрона молекулами, определенные различными методами; различаются между собой. [25]
При относительно больших энергиях сечение захвата уже сравнительно слабо изменяется с увеличением энергии электрона. Величины сечения захвата электрона молекулами, определенные различными методами, различаются между собой. [26]
Несмотря на очевидные достоинства масс-спектрометрии при изучении образования отрицательных ионов ( возможность анализа по массовым числам ионов, отсутствие фона потенциального рассеяния), во многих случаях имеют явное преимущество другие методы. Например, абсолютные значения сечений захвата электронов молекулами с образованием отрицательных ионов были получены для большого числа молекул с использованием трубки полной ионизации ( Бучельникова [60], Шульц [27, 28, 40]), в то же время при масс-спектрометрическом исследовании значения сечений образования ионов могут быть получены только методом сравнения на выходе масс-спектрометра ионных токов исследуемого вещества и вещества-репера с известным сечением образования ионов. [27]
Многозарядные центры типа Си, Ni, Fe, Аи, Со, Ag в области высоких Т являются центрами ргкомбинации носителей тока, поскольку сечения захвата ими электронов и дырок в этих условиях близки между собой. При понижении температуры, однако, сечения захвата электронов на Cu -, Ni - и на ионах других примесей существенно уменьшаются, а дырок - возрастают. Поэтому в области низких Т перечисленные выше центры выступают обычно в роли центров захвата дырок, обеспечивающих высокие значения т для электронов. [28]
С увеличением концентрации дырок почти все двухзарядные ионы золота превращаются в однозарядные. После этого скорость рекомбинации дырок определяется сечением захвата электронов однозарядными отрицательными ионами золота, так как этот процесс подготавливает примесь к захвату следующей дырки. Поскольку сечение захвата электрона на Аи - много меньше сечения захвата дырки на Аи2 -, то время жизни дырок увеличивается с ростом их концентрации в базе диода. [29]
Из этого эксперимента можно сделать окончательный вывод, что адсорбция молекул эфира на поверхности германия является чисто физической, а характер взаимодействия их с центрами рекомбинации электростатическим. В случае взаимодействия центра с дипольной молекулой воды может происходить настолько сильное уменьшение сечения захвата электрона, что центр перестанет существовать как рекомбинационный и превратится в медленное состояние. [30]
Страницы: 1 2 3 4