Сила - ток - насыщение
Cтраница 3
Воздух между двумя пластинами конденсатора ионизируется. Сила тока насыщения между ними равна 2 10 - 10 А. Площадь каждой из пластин 100 см2, расстояние между ними 0 5 см. Определите число пар ионов, образующихся за 1 с в 1 см3 воздуха. [31]
Из этой кривой видно, что при некотором не очень большом напряжении фототек достигает насыщения - все электроны, испущенные катодом, попадают на анод. Следовательно, сила тока насыщения / н определяется количеством электронов, испускаемых катодом в единицу времени под действием света. [32]
 |
Схема эвакуированного прибора для изучения фотоэффекта.| Зависимость фототока / от напряжения между катодом и анодом. / н - ток насыщения, И3 - задерживающее напряжение. [33] |
Из этой кривой видно, что при некотором не очень большом напряжении фототок достигает насыщения - все электроны, испущенные катодом, попадают на анод. Следовательно, сила тока насыщения / определяется количеством электронов, испускаемых катодом в единицу времени под действием света. [34]
Оно непосредственно определяет силу тока насыщения накаленного катода. [35]
Тщательно выполненные измерения показывают, что сила тока насыщения строго пропорциональна световому потоку, поглощенному металлом. Так как интенсивность поглощенного в металлах света пропорциональна интенсивности падающего, то основной закон фотоэффекта можно сформулировать так: сила фототока насыщения прямо пропорциональна падающему световому потоку. [36]
Когда потенциал анода становится настолько большим, что все электроны, испускаемые катодом за каждую единицу времени, попадают на анод, ток достигает своего максимального значения и перестает зависеть от анодного напряжения. Плотность тока насыщения js, т.е. сила тока насыщения на каждую единицу поверхности катода, характеризует эмиссионную способность катода, которая зависит от природы катода и его температуры. [37]
Тщательно выполненные измерения показывают, что сила тока насыщения строго пропорциональна световому потоку, поглощенному металлом. Так как интенсивность поглощенного в металлах света пропорциональна интенсивности падающего, то основной закон фотоэффекта можно сформулировать так: сила фототока насыщения прямо пропорциональна падающему световому потоку. [38]
Биполярный транзистор описан в ППП в соответствии с моделью Эберса - Молла. Модель описывается 15 параметрами: IS - сила тока насыщения эмиттерного перехода; VT - тепловой потенциал перехода; N1 - сила тока насыщения коллекторного перехода; NV - постоянная эмиссии перехода база - коллектор; TF и TR - среднее время пролета носителей через базу при нормальном и инверсном включениях; СЕ и СС - барьерная емкость эмиттерного и коллекторного переходов; FI - контактная разность потенциалов; GA - показатель степени в выражении для барьерной емкости; GZ - выходная проводимость при нулевом смещении; NQ - коэффициент пропорциональности в выражении для выходной проводимости; AF и AR - коэффициенты усиления силы тока в нормальном и инверсном включениях; GS - максимальная проводимость перехода. [39]
Явление флуоресценции мы подробнее рассмотрим в § 15.8.) Для измерения интенсивности рентгеновских лучей используются главным образом их фотохимическое и ионизирующее действия. В специальных ионизационных камерах интенсивность рентгеновского излучения измеряется по величине силы тока насыщения, возникшего в результате ионизации газа, заключенного в камере. Сила этого тока пропорциональна интенсивности рентгеновского излучения. [40]
Такого рода весьма сильные несамостоятельные разряды обладают следующей особенностью: при данном напряжении сила электрического тока, проходящего через газ, пропорциональна числу первичных ионов, создаваемых внешним ионизатором в единицу времени. Отношение силы такого, как говорят, газоусиленного тока к силе тока насыщения, создаваемого первичной ионизацией, может достигать сотен и тысяч. Это свойство разряда используется при создании измерителей ионизации - пропорциональных усилителей ( см. стр. [41]
 |
Разрез диода, использованного Шелтоном, показывающий, как магнитное поле и щель, фокусирующие электроны, определяют величину активных участков поверхностей эмиттера и коллектора. [42] |
Поскольку батарея и резистор подают постоянный ток, сила которого гораздо меньше, чем сила тока насыщения эмиссии, диод сам автоматически настраивается на режим замедляющего потенциала. Кроме того, при последующей адсорбции, когда возникает поверхностный потенциал, внешнее напряжение на диоде должно само изменяться таким образом, чтобы электрическое поле между лентами оставалось постоянным. Таким образом, показания наружной системы измерения автоматически следуют за изменениями поверхностного потенциала. [43]
Биполярный транзистор описан в ППП в соответствии с моделью Эберса - Молла. Модель описывается 15 параметрами: IS - сила тока насыщения эмиттерного перехода; VT - тепловой потенциал перехода; N1 - сила тока насыщения коллекторного перехода; NV - постоянная эмиссии перехода база - коллектор; TF и TR - среднее время пролета носителей через базу при нормальном и инверсном включениях; СЕ и СС - барьерная емкость эмиттерного и коллекторного переходов; FI - контактная разность потенциалов; GA - показатель степени в выражении для барьерной емкости; GZ - выходная проводимость при нулевом смещении; NQ - коэффициент пропорциональности в выражении для выходной проводимости; AF и AR - коэффициенты усиления силы тока в нормальном и инверсном включениях; GS - максимальная проводимость перехода. [44]
Полный ток через p - n - переход окапывается суммой электронных и дырочных токов. Если внешняя разность потенциалов приложена в запорном направлении, то с увеличением ф сила тока в цепи стремится к предельному току насыщения, который достигается при ф - 0 1 В. Сила тока насыщения определяется потоком сквозь контактный слой неосновных носителей тока, образующихся в одну секунду по обе стороны контактного слоя. Концентрация неосновных носителей тока в полупроводниках невелика, поэтому ток насыщения невелик. В запорном направлении p - n - нереход практически не пропускает электрического тока. [45]
Страницы: 1 2 3 4