Сила - ток - насыщение
Cтраница 4
 |
Условное обозначение диода. [46] |
В этом случае все вылетающие при данной температуре из катода электроны будут достигать анода. Такой ток называется током насыщения. Сила тока насыщения при прочих равных условиях зависит от температуры эмиттера. [47]
Максимальное напряжение тока насыщения равно разности рабочих функций эмитера и коллектора. При снижении рабочей функции эмитера сила тока насыщения увеличивается, а напряжение уменьшается, поэтому в зависимости от условий выходная мощность может увеличиться или уменьшиться. [48]
На участке 1 между силой тока / и разностью потенциалов Е имеет место прямая пропорциональная зависимость в соответствии с законом Ома; этот участок называется областью закона Ома. Все образовавшиеся в газе ионы доходят до электродов, и поэтому сила тока насыщения не зависит от приложенной разности потенциалов и является мерой энергии, затраченной на ионизацию газа. На участке 3 наблюдается постепенное возрастание силы тока по мере повышения разности потенциалов. [49]
На участке 1 между силой тока / и разностью потенциалов Е имеет место прямая пропорциональная зависимость в соответствии с законом Ома; этот участок называется областью закона Оыа. Участок 2 соответствует так называемому току насыщения. Все образовавшиеся в газе ионы доходят до электродов, и поэтому сила тока насыщения не зависит от приложенной разности потенциалов и является мерой энергии, затраченной на ионизацию газа. На участке 3 наблюдается постепенное возрастание силы тока по мере повышения разности потенциалов. [50]
В современном эксперименте фотоэлектрические измерения световых потоков широко применяют во всем оптическом диапазоне. Измерения базируются на законах фотоэффекта, из которых в данном случае наиболее важна строгая пропорциональность силы тока насыщения и светового потока. Для измерений используют различные устройства, правильная оценка возможностей которых часто оказывается совсем не простой. [51]
А В - при замедляющем потенциале ( t / 0); в последнем случае обычно говорят о задерживающем потенциале. Когда ускоряющее напряжение, постепенно возрастая, достигает значения l / j, кривая i ( U) выходит на насыщение. При / [ / i все фотоэлектроны, освобожденные светом из катода, проходят через цепь, поэтому сила тока насыщения г о должна рассматриваться в качестве меры фотоэлектрического действия света. Наличие на кривой i ( U) участка АВ связано с тем, что фотоэлектроны обладают некоторой кинетической энергией. При ( / - U0 ни один из фотоэлектронов не попадает на анод; фототок обращается в нуль. [52]
Закон, приведенный выше, выполняется с полной строгостью в том случае, когда измеряемый ток насыщения образован лишь электронами, освобожденными светом. Это имеет место, если чувствительная поверхность помещена в вакуум. В приборах, наполненных газом и обычно гораздо более чувствительных, так как в них к току электронной эмиссии прибавляется ток ионизации, могут уже возникать некоторые отступления от простой пропорциональности между силой тока насыщения и интенсивностью света; поэтому приборами описанного рода надо пользоваться для измерительных целей с известной осмотрительностью. [53]
Страницы: 1 2 3 4