Взаимодействие - носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Зависимость подвижности от концентрации примеси при 77 и 300 К. вычисленной по формулам Конуэлл - Вайскопфа ( KB и Брукса - Херринга ( БХ для гипотетического нескомпенсированного полупроводника. [1] |
Взаимодействие носителей заряда с ионом примеси будет зависеть от скорости пролета рассеивающейся частицы около силового центра, и по формуле (6.68) чем меньше скорость, тем сильнее носитель взаимодействует с ионом примеси, так как вероятность рассеяния растет. [2]
Электростатические силы проявляются при взаимодействии носителей зарядов. Частицы загрязнителей и элементы пористой среды обычно имеют небольшое число зарядов, приобретенных естественным путем ( при диспергации компактных объектов, трении движущихся частиц, адсорбции газовых ионов), но сила их взаимодействия невелика. Необходимость учета электростатического взаимодействия возникает только при искус-ственной зарядке фильтрующего материала и частиц. [3]
Ряд эффектов в магнитных полупроводниках возникает из-за взаимодействия носителей заряда со спиновыми волнами, в частности изменение знака магнетосопротивления. Экспериментально наблюдался эффект усиления СВЧ-излучения в магнитных полупроводниках при пропускании через них электрического тока. [4]
Ряд эффектов в магнитных полупроводниках возникает из-за взаимодействия носителей заряда со спиновыми волнами, в частности изменение знака магнетосопротивления. Экспериментально наблюдался эффект усиления СВЧ излучения в магнитных полупроводниках при пропускании через них электрического тока. [5]
Таким образом, эффективное сечение, характеризующее процесс взаимодействия носителя заряда с центром рассеяния, определяется вероятностью этого процесса. [6]
 |
Температурные зависимости подвижности электронов и дырок в антимониде индия с различной степенью легирования. [7] |
При повышенных температурах главным механизмом рассеяния в соединениях А В является полярное взаимодействие носителей заряда с оптическими колебаниями решетки. Этот вид взаимодействия играет особую роль вследствие большого дипольного момента, возникающего при относительном движении двух неодинаковых атомов. В ковалентных полупроводниках со структурой алмаза оба атома в элементарной ячейке имеют одинаковую природу, поэтому оптические неполярные колебания решетки играют значительно меньшую роль. [8]
Из описания гальваномагнитных явлений видно, что эти эффекты весьма чувствительны к взаимодействию носителей заряда с дефектами решетки и поэтому могут быть использованы для исследования механизма рассеяния носителей в полупроводниках. [9]
Из описания гальваномагнитных явлений видно, что эти эффекты весьма чувствительны к взаимодействию носителей заряда с дефектами решетки и поэтому могут быть использованы для исследования механизма рассеяния носителей в полупроводниках. [10]
Такие простые соображения, основанные на представлениях о ван-дер-ваальсовых и ионных радиусах, взаимодействиях носителей заряда и дипольпых или м льтипольпых взаимодействи-ях, не могут, естественно, разрешить все задачи о свойствах органических полупроводников. [11]
В квантующем магнитном поле изменяется не только поведение плотности состояний, но и характер взаимодействия носителей заряда с кристаллической решеткой. Это, приводит к качественно новым кинетическим свойствам проводящих кристаллов. [13]
Первая лекция настоящего лекционного курса сверхвысокочастотной электроники для физиков посвящена вводным замечаниям об особенностях процессов взаимодействия носителей заряда с электромагнитными полями на сверхвысоких частотах ( СВЧ), о связи сверхвысокочастотной электроники с другими разделами физики и о тех фундаментальных идеях, которые привели к развитию электроники сверхвысоких частот как самостоятельной науки. [14]
Процесс установления равновесного состояния на поверхности полупроводника также включает взаимодействие поверхностных ловушек со своими зонами н взаимодействие носителей заряда посредством генерации н рекомбинации электронно-дырочных пар. Электрической нейтральности на поверхности соответствует равенство поверхностного заряда суммарному заряду ионизированных поверхностных доноров и акцепторов. [15]
Страницы: 1 2 3