Взаимодействие - носитель - заряд
Cтраница 2
Во всех рассмотренных выше явлениях, связанных с прохождением электрического тока в газах и жидкостях, взаимодействие носителей заряда друг с другом было несущественно из-за малой их концентрации. [16]
Настоящий курс посвящен изучению электрических, тепловых и оптических свойств полупроводников, а также эффектов, возникающих при взаимодействии носителей заряда, движущихся в полупроводниках, с приложенными извне электрическими и магнитными полями и с различными видами излучения. [17]
Эффектом Холла называется явление, состоящее в том, что при пропускании тока вдоль проводящей пластинки, помещенной перпендикулярно линиям внешнего магнитного поля, возникает поперечная разность потенциалов вследствие взаимодействия носителей заряда с магнитным полем. [18]
В любом явлении переноса передвижение электрических зарядов - следствие двух антагонистических действий: а) ускоряющего воздействия внешних сил ( например, приложенного электрического поля, возникшего под действием температурного градиента) или концентрации носителей зарядов; б) взаимодействия носителей зарядов со средой, в которой они передвигаются. [19]
ЭСАКИ ЭФФЕКТ-излом вольт-амперной характеристики ( ВАХ) проводника, помещенного в скрещенные элек-трич. Взаимодействие сверхзвуковых носителей заряда с решеткой кристалла приводит к генерации фоно-нов, распространяющихся в направлении дрейфа, к-рые, увлекая носители, создают акустоэлектрич. Холла эффект) и складывается с омическим током. [20]
Явления, которые наблюдаются в полупроводниках, имеющих градиент температуры, в отсутствие электрического тока при наложении на полупроводник магнитного поля называются термомагнитными явлениями. Физической основой их возникновения является взаимодействие носителей заряда с магнитным полем, или, проще говоря, линейная зависимость силы Лоренца от скорости. [21]
Явления, которые наблюдаются в полупроводниках, имеющих градиент температуры, в отсутствие электрического тока при наложении на полупроводник магнитного поля называют термомагнитными явлениями. Физической основой их возникновения является взаимодействие носителей заряда с магнитным полем, или, проще говоря, линейная зависимость силы Лоренца от скорости. [22]
Чем больше степень ионности кристалла, тем более вероятно взаимодействие носителей заряда с оптическими колебаниями атомов решетки. [23]
Сходство структуры валентной зоны у большинства соединений A11IBV приводит к тому, что эффективные массы дырок имеют близкие значения. При повышенных температурах главным механизмом рассеяния в соединениях A111 Bv является полярное взаимодействие носителей заряда с оптическими колебаниями решетки. Этот вид взаимодействия играет особую роль вследствие большого дипольного момента, возникающего при относительном движении двух неодинаковых атомов. В ковалентных полупроводниках со структурой алмаза оба атома в элементарной ячейке имеют одинаковую природу, поэтому оптические неполярные колебания решетки играют значительно меньшую-роль. [25]
Подобно существованию зоны запрещенных энергий существует зона запрещенных частот, разделяющая разрешенные значения на две ветви колебаний - акустическую и оптическую. В связи с дискретностью спектра частот колебаний атомов в кристалле обмен энергией при взаимодействии носителей заряда с решеткой может происходить только квантами энергии йш. [26]
Имеются по крайней мере три различные поправки к уравнению, описывающему величину 7 в приближении свободных электронов, которые могли бы дать требуемое увеличение эффективной массы. Эти поправки обусловлены: а) эффектами, связанными с периодическим потенциалом решетки; б) взаимодействием носителей заряда между собой; в) взаимодействием носителей с фононами. Причем, согласно [3], расчетные значения Ът / т для Na, A1 и РЬ равны 0 18, 0 49 и 1 05 соответственно. С - 234NkT3 / 0) 1, дает значение температуры Дебая во 170 К. Для этого можно использовать соотношение AD ( EF) тг / 2 ( состояний на I молекулу), которое справедливо для одномерных систем. Такая большая ширина зоны проводимости является признаком значительного перекрывания электронных волновых функций в направлении оси цепочки. [27]
При взаимодействии с ионизованными примесями мы имеем г 3 / 2, но в то же время значение ц крайне занижено, так что это преимущество кажущееся. В действительности, во всех заслуживающих внимания материалах т - величина порядка 1 / 2 и преобладает взаимодействие носителей зарядов с решеткой. [29]
Другим важным видом рассеяния является рассеяние носителей в кулоновском поле ионизированных атомов примеси. Из качественных соображений следует, что увеличение температуры, вследствие возрастания тепловой скорости носителей заряда, приводит к ослаблению взаимодействия носителей заряда с ионизированными атомами, так как уменьшается длительность взаимодействия. Следовательно, подвижность носителей заряда, обусловленная рассеянием на ионах примеси, должна увеличиваться с увеличением температуры. [30]
Страницы: 1 2 3