Взаимодействие - носитель - заряд
Cтраница 3
Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлений рассмотрены вопросы теории проводимости, зонной теории твердого тела, поведения электронов в полупроводниках и металлах, взаимодействия носителей заряда. Описаны различные физические свойства полупроводников и металлов, определяющиеся поведением электронов. [31]
 |
Средине значения и среднеквадратические отклонения параметров уравнения.| Расчетные и экспериментальные значения тока в длинном трубопроводе. [32] |
Таким в простейшем виде представляется механизм электризации жидкостей в очистных аппаратах. К сожалению, создание математической модели процесса электризации жидкости при ее движении через фильтр наталкивается на существенные трудности в связи с недостаточной изученностью взаимодействия носителей зарядов в жидкости со стенками пор, спецификой движения жидкостей в пористых средах и процессов релаксации зарядов на выходе из пор. [33]
Основной частью приемника является приемный элемент, который преобразует энергию принимаемого излучения в другие виды энергии, доступные для непосредственной индикации. По принципам действия приемные элементы делятся на несколько типов. Основные нз этих принципов следующие: электронные процессы в твердых телах, связанные с диффузионным и дрейфовыми Потоками электронов; взаимодействие носителей заряда в твердых телах с квантами принимаемого излучения; тепловое воздействие электромагнитного излучения на рабочее тело приемного элемента. [34]
Существуют чисто теоретические способы расчета зонных структур твердых тел. Несмотря на некоторые успехи [80, 243], точность этих подсчетов для большинства полупроводников еще довольно мала. Изучение взаимодействия носителей зарядов и излучения ( спектроскопия твердого тела, магнитно-оптические эффекты) самый мощный из всех этих методов. [35]
Для описания процесса рассеяния носителей заряда на оптических колебаниях используется так называемый поляризационный потенциал. Он вводится следующим образом. Смещение атомов в ячейке происходит в противофазе. Разделение зарядов порождает электрическое поле ( поляризацию вещества), которое перемещается в пространстве в виде плоской волны. Взаимодействие носителей заряда с этой волной приводит к их рассеянию. Чтобы определить вероятность рассеяния, необходимо найти матричный элемент возмущения. [36]
ШД) являются разновидностью полупроводниковых СВЧ-диодов с отрицательным дифференциальным гптро-чивлением. Отрицательное сопротивление получают в динамическом режиме при электрическом пробое и дрейфе носителей заряда в полупроводнике. Конструкция прибора должна обеспечивать достаточную величину отрицательного сопротивления в диапазоне частот и эффективный отвод тепла. На рис. 10.43, а показана одна из возможных структур ЛПД. Обозначения р и п соответствуют увеличенным концентрациям акцепторной и донорной примесей п полупроводнике. Распределения кон - aj центраций доноров А д и акцепторов Na ( числа атомов донорной и акцепторной / примеси в единице объема полупроводника) представлены на рис. 10.43, б, в. В - области содержание донорной примеси ниже, чем в - области; г-область - область собственного полупроводника. Участки структуры р и п обладают высокой электро - н теплопроводностью. Наибольшая напряженность поля получается на границе р - и и-слоев. Именно здесь возникает электрический пробой, начинается лавина. При этом резко возрастает число носителей заряда - электронов и дырок. Носители заряда перемещаются в электрическом поле, взаимодействуют с атомами кристаллической решетки полупроводника и образуют все новые пары свободных электронов и дырок. По мере движения носителей заряда в области сильного поля происходит рост числа пар, что вызывает постепенное возрастание лавинного тока. Взаимодействие носителей заряда, движущихся с большими скоростями, с кристаллической решеткой обычно сопровождается нагреванием полупроводника. Рядом с лавинной областью находится область дрейфа или пролета электронов 2, включающая и i-слой. [37]
Страницы: 1 2 3