Зона - рост - пленка
Cтраница 1
Зона роста пленки зависит от направления и скорости диффузии реагирующих молекул и атомов агрессивной среды и атомов металла. При диффузии атомов металла сквозь пленку наружу зоной роста будет внешняя поверхность пленки, и, наоборот, зоной роста пленки будет граница между металлом и пленкой, если сквозь пленку диффундируют элементы агрессивной среды, главным образом кислород. Если скорости встречной диффузии металла и кислорода соизмеримы, рост пленки будет происходить в толще самой пленки. Для большинства случаев окисления металлов основным направлением диффузии считается движение автомов металла через пленку наружу и в меньшей мере - диффузия кислорода в обратном направлении. [1]
 |
Окалинообразование на циркалое 2 ( X и. [2] |
Зоной роста пленки двуокиси циркония ZrO2 является граница фаз металл окисел. [3]
 |
Схема образования оксидной [ IMAGE ] Изменение толщины образца в процессе анодного оксндн. [4] |
В действительности наблюдается более сложная зависимость, так как увеличение плотности тока вызывает повышение температуры в зоне роста пленки, вследствие выделения джоулева тепла. [5]
Скорость обратного растворения пленки зависит от растворяющей силы электролита, которая наиболее велика у серной кислоты, а также от тепла, возникающего в зоне роста пленки. При анодировании в серной кислоте замедление и прекращение роста пленки вызыв-ается перегревом анода. Скорость роста пленки равна скорости ее растворения в момент достижения критической температуры. [6]
 |
Схема однослойной окалины. [7] |
Последний случай является наиболее общим и довольно распространенным: окисная пленка на металле растет при этом не только благодаря диффузии металла, но и вследствие диффузии кислорода, а зона роста пленки находится, таким образом, где-то в толще самой пленки. [8]
 |
Атомные и ионные радиусы ( по Паулингу. [9] |
Поэтому металлические ионы имеют большую подвижность при диффузии и зона роста пленки сдвинута к внешней границе. [10]
 |
Схема процесса окисления металла. [11] |
Механизм химического ( газового) окисления металлов пред ставляется в основном как движение диффундирующих частиц, участвующих IB реакции окисления с образованием продуктов окисления - пленки. В зависимости от основного направления движения диффундирующих частиц определяется и зона роста пленки. [12]
 |
Схема процесса окисления металла. [13] |
Механизм химического ( газового) окисления металлов представляется в основном как движение диффундирующих частиц, участвующих в реакции окисления с образованием продуктов окисления - пленки. В зависимости от основного направления движения диффундирующих частиц определяется и зона роста пленки. [14]
 |
Я. РассчитаЕшыс для ц - 100 Л - ч / ип объслпш3и. н. 1птс. лс. 11и. при анодировании. [15] |
Страницы: 1 2 3