Зона - рост - пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Одна из бед новой России, что понятия ум, честь и совесть стали взаимоисключающими. Законы Мерфи (еще...)

Зона - рост - пленка

Cтраница 2


Скорость образования оксида должна возрастать пропорционально плотности тока. Однако с повышением плотности тока вследствие выделении джоулсвой теплоты температура в зоне роста пленки повышается. Это, н свою очередь, приводит к повышению скорости растворения оксида, а следовательно, и к замедлению ускорения его роста.  [16]

17 Рассчитанные для / 100 А - ч / м2 объемные изменения при анодировании. [17]

Скорость образования оксида должна возрастать пропорционально плотности тока. Однако с повышением плотности тока вследствие выделения джоулевой теплоты температура в зоне роста пленки повышается. Это, в свою очередь, приводит к повышению скорости растворения оксида, а следовательно, и к замедлению ускорения его роста.  [18]

Зона роста пленки зависит от направления и скорости диффузии реагирующих молекул и атомов агрессивной среды и атомов металла. При диффузии атомов металла сквозь пленку наружу зоной роста будет внешняя поверхность пленки, и, наоборот, зоной роста пленки будет граница между металлом и пленкой, если сквозь пленку диффундируют элементы агрессивной среды, главным образом кислород. Если скорости встречной диффузии металла и кислорода соизмеримы, рост пленки будет происходить в толще самой пленки. Для большинства случаев окисления металлов основным направлением диффузии считается движение автомов металла через пленку наружу и в меньшей мере - диффузия кислорода в обратном направлении.  [19]

В процессе образования защитных пленок участвуют частицы Меп, О2 - и электроны. Электрически заряженные частицы и электроны перемещаются в кристаллической решетке продуктов коррозии. Зона роста пленки связана со скоростью движения частиц. Если превалирует скорость диффузии ионов или атомов металла, то образование оксида происходит на внешней поверхности пленки. Наоборот, если сквозь пленку диффундирует главным образом кислород, то зоной роста пленки будет граница между пленкой и металлом. В Зона роста большинстве случаев скорости диффузии частиц соизмеримы, и тогда зона роста находится внутри пленки.  [20]

В процессе образования защитных пленок участвуют частицы Меп, О2 - и электроны. Электрически заряженные частицы и электроны перемещаются в кристаллической решетке продуктов коррозии. Зона роста пленки связана со скоростью движения частиц. Если превалирует скорость диффузии ионов или атомов металла, то образование оксида происходит на внешней поверхности пленки. Наоборот, если сквозь пленку диффундирует главным образом кислород, то зоной роста пленки будет граница между пленкой и металлом.  [21]

В процессе образования защитных пленок участвуют частицы Меп, О2 - и электроны. Электрически заряженные частицы и электроны перемещаются в кристаллической решетке продуктов коррозии. Зона роста пленки связана со скоростью движения частиц. Если превалирует скорость диффузии ионов или атомов металла, то образование оксида происходит на внешней поверхности пленки. Наоборот, если сквозь пленку диффундирует главным образом кислород, то зоной роста пленки будет граница между пленкой и металлом. В Зона роста большинстве случаев скорости диффузии частиц соизмеримы, и тогда зона роста находится внутри пленки.  [22]

Поэтому при наращивании толстых пленок процесс ведут, как правило, при более низкой температуре. Скорость формирования оксидной пленки возрастает при повышении плотности тока. Однако при увеличении плотности тока более допустимого предела при данных условиях скорость формирования может снизиться вследствие повышения температуры в зоне роста пленки.  [23]

Поэтому i 4 - rf наращивании толстых пленок процесс ведут, как правило, при более низкой температуре. Скорость формирования оксидной пленки возрастает при повышении плотности тока. Однако при увеличении плотности тока более допустимого предела при данных условиях скорость формирования может снизиться вследствие повышения температуры в зоне роста пленки.  [24]

25 Схема образования оксидной пленки на алюминии. [25]

При увеличении концентрации Н2 04 и повышений температуры при прочих равных условиях возрастают скорость растворения. Поэтому при наращивании толстых пленок процесс ведут, как правило, при более низкой температуре. Скорость формирования окисной пленки возрастает при повышении плотности тока. Однако при увеличении плотности тока выше допустимого предела для данных условий скорость формирования может уменьшиться вследствие увеличения температуры в зоне роста пленки.  [26]

Для того чтобы получать толстые окисные слои, необходимо уменьшить скорость их растворения. Первое предпочтительнее, но труднее осуществимо. Преимущество процесса охлаждения металла ( более теплопроводного, чем окисел) прежде всего состоит в том, что позволяет эффективнее снизить температуру в зоне роста пленки.  [27]

В процессе образования защитных пленок участвуют частицы Меп, О2 - и электроны. Электрически заряженные частицы и электроны перемещаются в кристаллической решетке продуктов коррозии. Зона роста пленки связана со скоростью движения частиц. Если превалирует скорость диффузии ионов или атомов металла, то образование оксида происходит на внешней поверхности пленки. Наоборот, если сквозь пленку диффундирует главным образом кислород, то зоной роста пленки будет граница между пленкой и металлом. В Зона роста большинстве случаев скорости диффузии частиц соизмеримы, и тогда зона роста находится внутри пленки.  [28]

В процессе образования защитных пленок участвуют частицы Меп, О2 - и электроны. Электрически заряженные частицы и электроны перемещаются в кристаллической решетке продуктов коррозии. Зона роста пленки связана со скоростью движения частиц. Если превалирует скорость диффузии ионов или атомов металла, то образование оксида происходит на внешней поверхности пленки. Наоборот, если сквозь пленку диффундирует главным образом кислород, то зоной роста пленки будет граница между пленкой и металлом.  [29]

В процессе образования защитных пленок участвуют частицы Меп, О2 - и электроны. Электрически заряженные частицы и электроны перемещаются в кристаллической решетке продуктов коррозии. Зона роста пленки связана со скоростью движения частиц. Если превалирует скорость диффузии ионов или атомов металла, то образование оксида происходит на внешней поверхности пленки. Наоборот, если сквозь пленку диффундирует главным образом кислород, то зоной роста пленки будет граница между пленкой и металлом. В Зона роста большинстве случаев скорости диффузии частиц соизмеримы, и тогда зона роста находится внутри пленки.  [30]



Страницы:      1    2    3