Зона - рост - пленка
Cтраница 3
 |
Соотношение объемов окисла и исходного металла. [31] |
Когда первичный слой окислов образует сплошную пленку, последняя тормозит дальнейшее окисление металла, так как через нее должны теперь диффундировать реагирующие вещества. Когда окисная пленка получается пористой, она слабо препятствует контакту реагирующих веществ, и коррозия продолжается. Для щелочных и ще-лочно-земельных металлов, которые образуют пористые пленки окислов в связи с тем, что у них У0кСУме ( табл. 1.1), характерны большие скорости окисления. Металлы с плотными сплошными окисными пленками ( К0кУме) оказываются значительно более устойчивыми к окислению. По мере протекания процесса толщина окисной пленки увеличивается. При этом, если атомы металла быстрее диффундируют сквозь пленку, чем атомы кислорода, зона роста пленки находится на ее внешней поверхности. [32]
 |
Зависимость между параметром h, равным толщине пленки GaAso 8Pfl 2i вырастающей за 1 ч, и отношением расхода НС1 к. [33] |
Таким образом, изучение процесса испарения показало, что кинетика этого процесса в значительной мере определяется атомарно-молекулярными процессами в слое, адсорбированном на поверхности испаряющегося материала. Однако кинетика роста кристаллической пленки, по-видимому, обусловливается процессами на границе между адсорбированным слоем и кристаллом, причем лимитирующую роль играют диффузионные процессы непосредственно на поверхности кристалла и его приповерхностной области. Именно поэтому представлялось наиболее интересным при разработке технологии эпитаксиальных пленок арсенофосфида галлия использовать эффект аномально высокой скорости испарения арсенида галлия в арсинных потоках, поскольку в кристалле диффузионные процессы, сопровождающие фазовый переход, развиваются наиболее интенсивно. При подводе галлия, мышьяка и фосфора к фронту испарения интенсивность перехода химического соединения GaAs Pi-x в кристаллическое состояние в данных условиях должна быть относительно более высокой, а следовательно, и рост эпитаксиальной пленки должен развиваться с относительно высокими скоростями. При дополнении аппарата В источником галоидов галлия реализован тривиальный аппарат по синтезу химического соединения на каталитически активной поверхности. По сравнению с обычными аппаратами ( типа А, см. рис. 1) для нашего аппарата характерно то, что синтез проводится в режиме, когда существенный вклад в его развитие вносят кинетические параметры химических превращений, а также кинетика физического процесса формирования упорядоченной структуры. Основное внимание уделено выявлению наиболее резких параметров, влияющих на выход ОаАзо 8Ро 2 только в форме эпитаксиальной пленки. К ним относится прежде всего параметр W, характеризующий относительные расходы чистых гидридов ( НС1) и ( AsH3 PH3), подаваемых на вход в реактор. Таким образом, синтез рационально проводить в относительно сильной хлорирующей атмосфере в зоне роста пленки. [34]
Страницы: 1 2 3