Система - накачка
Cтраница 1
 |
Конструктивная схема гелий-неонового лазера. [1] |
Система накачки предназначена для преобразования энергии источника электрического питания 8 в энергию ионизированной активной среды 3 лазера. Атомы гелия возбуждаются при соударениях с быстрыми электронами и, сталкиваясь с атомами неона, передают им свою анергию. [2]
 |
Блок-схема лазера. [3] |
Система накачки призвана обеспечить в активном веществе инверсную населенность. Принцип накачки определяется в основном физическими свойствами активного вещества, и поэтому эта система выбирается применительно к каждому типу лазера. [4]
Системы накачки представляют собой совокупность элементов, предназначенных для преобразования энергии и передачи ее от внешнего источника к лазерному элементу. Помимо этого существуют также газодинамические, химические и другие способы накачки. [5]
Конструктивно система накачки излучателя твердотельного лазера составляет часть системы охлаждения лазера: в отражателях реализуются теплообменники для лампы накачки и активных элементов, поддержание определенного теплового режима которых обеспечивается конвективными или кондуктив-ными способами. Оптимизация конструкции излучателя должна поэтому проводиться не только с учетом возможностей повышения эффективности теплообмена, уменьшения расхода хладагента, обеспечения допустимого нагрева деталей и малых перепадов температуры в активных элементах, но и получения минимальных термооптических искажений в них или таких искажений, которые могли бы быть скомпенсированы простыми средствами. [7]
Адлера [8] система накачки создает вращающееся электрич. При прохождении электронного луча сквозь поле накачки в луче запасается кипетич. При этом новые радиусы остаются пропорциональными входному сигналу, и луч, взаимодействуя с выходным устройством, отдает энергию усиленного сигнала в нагрузку. [8]
Теоретические расчеты систем накачки с более детальным учетом физических характеристик плазмы, геометрии разряда и процесса переизлучения показывают, что каждому радиусу и рабочему давлению в разряде соответствует оптимальная электрическая мощность, при которой КПД системы максимален, а тепловыделение в лампе понижено. [9]
 |
Характеристики промышленно выпускаемых линеек GaAIAs-лазерных излучателей. [10] |
Энергетическая эффективность системы накачки лазера на не-одимовом стекле, в общем случае, зависит от излучательных и по-глощательных свойств источника накачки ( импульсной лампы), конфигурации и взаимного расположения всех элементов системы накачки, отражательных свойств осветителя и спектроскопических параметров активной среды. Влияние это довольно сложное. [11]
Адлера [ 81 система накачки создает вращающееся электрич. При прохождении электронного луча сквозь поле накачки в луче запасается кинетич. При этом новые радиусы остаются пропорциональными входному сигналу, и луч, взаимодействуя с выходным устройством, отдает энергию усиленного сигнала в нагрузку. [12]
Более полной характеристикой системы накачки является КПД системы т) с. [13]
Для качественной оценки систем накачки и сравнения их между собой по равномерности прокачки активных элементов вполне бывает достаточным получение какой-либо одной характеристики, связанной с распределением инверсной населенности. [14]
Ход луча в системе накачки прослеживается до тех пор, пока луч не станет достаточно малым или не покинет систему накачки. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5