Система - накачка
Cтраница 3
Из них максимальной эффективностью запаса-лия энергии отличается усилитель с системой накачки II ( см. эис. [32]
Лазер состоит из трех принципиально важных узлов: излучателя, системы накачки и источника питания, работа которых обеспечивается с помощью специальных вспомогательных устройств. [33]
Другая часть расчета численно моделирует процесс переноса энергии излучения в системе накачки лазера. Излучение в расчете представляется в виде одинаковых порций лучистой энергии в заданном направлении, условно называемых лучами. На поверхности плазменного столба лампы случайным образом выбирается точка, из которой испускается такой луч. [34]
Постоянная WH, называемая скоростью накачки, зависит от среды и системы накачки; NOCH - населенность основного состояния. [35]
Ризл - мощность излучения плазмы, Рвозвр - мощность излучения, вернувшегося из системы накачки в плазму и поглощенного ею, Рп - мощность потерь из плазмы на стенку лампы, Iza Ra - мощность нагрева плазмы электрическим током, Ra ( Т) и R0 - сопротивление плазменного столба и электрической цепи разряда лампы соответственно. [36]
Зависимость КПД свободной генерации лазера на нсодимовон стекле с трубчатым iKTHBiiuM элементом ( система накачки вида II. [37]
Спектральные компоненты излучения, не поглощаемые активной средой, либо теряются в элементах системы накачки, либо также трансформируются плазмой. С точки зрения получения наибольшей энергетической эффективности системы накачки особенно существенно, насколько эффективно используются спектральные компоненты накачки, слабо поглощаемые в активной среде при однократном проходе через активный элемент, в частности приходящиеся на крылья широких линий поглощения ионов Nd3 в стеклах. Энергия, соответствующая этим компонентам, составляет подавляющую часть всей излучаемой лампой энергии. [38]
Диоды с резким переходом обладают более высоким коэффициентом нелинейности и применяются [239] в более низкочастотных системах накачки. [39]
Результатом изучения связи термооптических искажений с характеристиками лазерного излучения явилось понимание необходимости создания конструкций систем накачки, позволяющих создавать равномерное поле оптической накачки в сечении активного элемента; при этом компенсация проявлений термооптических искажений в характеристиках излучения в значительной мере облегчается. Важную роль при создании успешно работающих лазеров играют оптимизация параметров лазерного резонатора и конструктивные приемы обеспечения теплового режима активного элемента. Указанные вопросы рассматриваются в гл. [40]
 |
Зависимость интенсивности. [41] |
Усиление и генерация колебаний за счет индуцированных переходов возможны, если в полупроводнике существует некоторая система накачки, непрерывно поставляющая свободные электроны в зону проводимости, а дырки в валентную зону и обеспечивающая инверсную населенность. Преобладание индуцированного излучения над индуцированным поглощением может служить одним из критериев образования инверсной населенности. [42]
Структурная схема лазера представлена на рис. 3.2. Здесь 1 - активная среда; 2 - система накачки; 3 - оптический резонатор; 4 - возможные дополнительные элементы. [43]
NI Nj ( gt / gj) при i /; 2) устройство ( система накачки), в котором используются какие-либо физические явления, позволяющие осуществлять инверсию ( Л - - NJ) необходимой величины; 3) оптический резонатор, в котором имеет место достаточное взаимодействие излучения с активным веществом и осуществляется отбор энергии от ансамбля молекул; 4) устройство вывода энергии из резонатора; 5) дополнительные элементы, зависящие от того, какой режим работы осуществляется в лазере и для какой цели он предназначен. [44]
Страницы: 1 2 3 4 5