Зона - энергия
Cтраница 2
 |
Структура зон энергии некоторых соединений АПВ. теллурида. [16] |
На рис. 44 представлена структура зон энергии теллурида кадмия и селенида цинка, рассчитанная различными методами. Экстремумы зон находятся в точке Г, в которой валентная зона дважды вырождена, спин-орбитальное расщепление определяет положение третьей валентной зоны. В решетке вюрцита гексагональное кристаллическое поле снимает это вырождение. [17]
Ед, расщепляясь, образует зону энергии. [18]
К металлам относятся вещества, имеющие незаполненные зоны энергии. Наличие свободных состояний может быть обусловлено или тем, что число возможных состояний больше числа электронов, или тем, что перекрываются заполненные и свободные зоны. [19]
Теперь рассмотрим основной вопрос - образование зон энергии. [20]
Так как обменная энергия определяет ширину зоны энергии, то мы можем сказать, что эффективная масса обратно пропорциональна ширине энергетической зоны. [21]
 |
Связь между. [22] |
Так как обменная энергия определяет ширину зоны энергии, то можно сказать, что эффективная масса обратно пропорциональна ширине энергетической зоны. Это означает, что чем выше расположена зона энергии, тем меньше в ней эффективная масса носителей заряда. [23]
Внешние поля V ( r) искривляют зоны энергии идеального кристалла. Смещение всех зон одинаково и равно V ( r) в каждой точке. [24]
Внешние поля V ( г) искривляют зоны энергии идеального кристалла. Смещение всех зон одинаково и равно V ( г) в каждой точке. [25]
Найдем выражение для плотности состояний у потолка зоны энергии, где энергия также является квадратичной функцией энергии. [26]
Ширина запрещенной зоны тем меньше, чем выше расположены зоны энергии. Уменьшение ширины запрещенных зон с ростом энергии обусловлено уменьшением расстояний между соответствующими уровнями энергии и возрастанием ширины зоны энергии. [27]
 |
Плотность состояний и положение уровня Ферми в вырожденном ( а и дырочном ( б полупроводниках. [28] |
Оно приводит к тому, что исчезает резкая граница зоны энергии, проявляется хвост у плотности состояния, экспоненциально затухающий и распространяющийся вплоть до другой зоны. [29]
Полупроводник называется полностью вырожденным, если уровень Ферми лежит внутри зоны энергии на расстоянии не менее 5 kT от экстремального значения энергии. [30]
Страницы: 1 2 3 4