Зона - энергия
Cтраница 3
Упругая волна, создавая деформацию кристалла, приводит к смещению зон энергии. Величины Vc и Vv, определяющие смещение зон энергии, носят название потенциалов деформации. [31]
 |
Образование зон энергии из энергетических уровней при сближении атомов. [32] |
Из рис. 23 видно, что с ростом энергии ширина зон энергии увеличивается, а ширина запрещенных зон уменьшается. Уровень опускается и расщепляется тем сильнее, чем выше он находится. [33]
Упругая волна, создавая деформацию кристалла, приводит к смещению зон энергии. Величины Vc и Vv, определяющие смещение зон энергии, носят название потенциалов деформации. [34]
Мы видели, что наличие поверхностных состояний приводит к искривлению зон энергии в приповерхностном слое. И если это искривление зон велико ( Vs велико), то дополнительное искривление зон, обусловленное контактом полупроводника с металлом, может мало сказаться на свойствах этих контактов. Другими словами, свойства запирающих и антизапирающих слоев будут мало зависеть от природы металла в том случае, когда в действительности они создаются поверхностными состояниями. Различают медленные и быстрые поверхностные состояния в зависимости от времени обмена носителями заряда между ними и объемом. Для медленных состояний времена установления равновесия имеют значение от десятых долей секунды до многих часов. Для быстрых состояний эти времена имеют значение примерно от 10 - 4 до 10 - 6 сек. Медленные состояния связаны с атомами или ионами, адсорбированными на слой окиси или какой-либо другой промежуточный слой полупроводника. Быстрые состояния локализованы на границе между объемом полупроводника и окисной пленкой. [35]
 |
Образование зон энергии из энергетических уровней при сближении атомов.| Образование зон. [36] |
Из рис. 23 видно, что с ростом энергии ширина зон энергии увеличивается, а ширина запрещенных зон уменьшается. Уровень опускается и расщепляется тем сильнее, чем выше он находится. [37]
Мы видели, что электронный спектр в кристалле имеет характер чередующихся зон дозволенных и недозволенных энергий. Напомним, что в каждой зоне дозволенных энергий имеется ограниченное число состояний. Именно, в ней имеется 2N состояний, где N - число элементарных ячеек в единице объема и множитель 2 связан с двумя электронами, заполняющими каждое состояние. Если все состояния зоны дозволенных энергий попарно заполнены электронами, то они не могут изменять состояние и переходить из одного состояния в другое под действием приложенного внешнего поля. Такое тело ведет себя как изолятор. Если же в дозволенной зоне только часть состояний заполнена электронами, то переходы между состояниями возможны и тело ведет себя как металл. [38]
Как известно, для полупроводников ширина запрещенной зоны, разделяющей зону энергии валентных электронов от зоны проводимости, незначительна. Поэтому для получения заметной проводимости в этих веществах обычно достаточно тепловой энергии, возникающей у электронов при комнатной температуре. [39]
В полупроводниках кремния р-типа большая величина изменения сопротивления обусловлена снятием вырождения зон энергии при наложении анизотропной деформации. В результате снятия вырождения меняется число легких и тяжелых дырок, обладающих различной подвижностью и дающих благодаря этому различный вклад в проводимость, что приводит к изменению сопротивления даже при сохранении общего числа дырок. [40]
Так же, как и в собственном полупроводнике, происходит искривление зон энергии и изменение концентраций электронов и дырок. При Vs0 увеличивается концентрация электронов, при 1Л ] 0 - дырок, поэтому приповерхностный слой обедняется основными носителями заряда и обогащается неосновными. [41]
Эффективная масса электрона обратно пропорциональна обменному интегралу и тем самым ширине зоны энергии. Поскольку при прочих равных условиях увеличение ширины зоны энергии приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны, то можно ожидать, что в веществах с меньшей шириной запрещенной зоны эффективная масса электрона должна быть меньше. [42]
Так же, как и в собственном полупроводнике, происходит искривление зон энергии и изменение концентраций электронов и дырок. При У 0 увеличивается концентрация электронов, при У 0 - дырок, поэтому приповерхностный слой обедняется основными носителями заряда и обогащается неосновными. [43]
Эффективная масса электрона обратно пропорциональна обменному интегралу и тем самым ширине зоны энергии. Поскольку при прочих равных условиях увеличение ширины зоны энергии приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны, можно ожидать, что в веществах с меньшей шириной запрещенной зоны эффективная масса электрона должна быть меньше. [44]
Для бесконечного периодичного в пространстве набора ям каждый уровень превращается в зону энергий. [45]
Страницы: 1 2 3 4