Примесная зона

Cтраница 1

Примесные зоны могут быть созданы путем дрейфового переноса ионов натрия в окрестность границы Si - SiO2, где они создают связанные состояния в кремнии. Практически концентрация натрия, создающего такие состояния, может меняться от значения порядка I011 см-2 до 2 1012 см-2. Потенциал, притягивающий электроны к ионам, может меняться независимо от концентрации электронов путем изменения потенциальной ямы, создаваемой слоем обеднения, за счет потенциала смещения между контактами на поверхности и объемом кремниевой подложки. [1]

Расчет примесной зоны обычными методами наталкивается на отсутствие надежных сведений о характере распределения примесей в решетке. [2]

Образование примесной зоны можно установить экспериментально. Если в полупроводнике имеются не локальные примесные уровни, а сплошная зона, то при понижении температуры до нуля и вымерзании всех электронов из зоны проводимости его электропроводность стремится не к нулю, как в чистом полупроводнике, а к некоторому постоянному значению. [3]

Как влияют примесные зоны на процесс образования пар свободных носителей заряда в кристаллах. [4]

Так как примесная зона и зона проводимости размещаются рядом, а иногда и перекрываются, уже при небольших температурах значительная часть электронов примесной зоны переходит в зону проводимости. При каждом таком переходе образуется пара носителей зарядов: электрон в зоне проводимости и дырка в примесной зоне. Предположим, что к кристаллу приложено внешнее напряжение, обычно составляющее несколько десятков вольт. Под действием этого напряжения положительно заряженные дырки, переходя с одного энергетического подуровня примесной зоны на близко расположенный другой подуровень, практически мгновенно прижмутся к дну примесной зоны. Дальнейшее движение дырок, связанное с увеличенным значением их энергии, будет невозможным, так как они не смогут преодолеть широкую запрещенную зону. Что касается электронов, то они беспрепятственно движутся навстречу приложенному напряжению, переходя в зоне проводимости с одного энергетического подуровня на другой. [5]

Проводимость в примесной зоне определяется степенью перекрытия волновых функций примесных атомов. При наложении ОУД волновые функции доноров, как показано в [805], искажаются. Установлено, что изменения р, возникающие как при сжатии, так и при растяжении кристалла вдоль 110 при X S 400 кг см-2, могут быть объяснены посредством учета тех изменений в симметрии волновых функций и энергетических зазорах между соответствующими минимумами, которые возникают в результате ОУД. Экспериментальные исследования [1009-1011, 1018] указывают на сложную природу пьезосопротивления в этой области и существенную зависимость его от энергии активации примесей As, P, Sb, изменяющейся под влиянием деформации. [6]

Зависимость / от о. из работы Гарднера и Катлера для TljcTei - s при х0 30 ( кружки и 0 50 ( квадратики. Сплошная линия описывает поведение, соответствующее уравнению. [7]

В данном случае примесная зона поглощена валентной зоной. Кажется возможным, что хаббардовское взаимодействие, которое приводит к спиновой корреляции, может быть достаточно сильным, чтобы сохраняться в Т1 - Те даже после того, как примесная зона поглощается валентной зоной, и проявляться, когда Ef находится вблизи края зоны. Однако для оценки этого или других возможных объяснений необходимы дальнейшие исследования. [8]

В случае перекрытия примесной зоны и основной ( например, зоны проводимости) нахождение уровня Ферми связано с уже указанными выше трудностями, так как в условие ( 6) для: определения уровня Ферми входит эффективная масса. [9]

В случае перекрытия примесной зоны и основной ( например, зоны проводимости) нахождение уровня Ферми связано с уже указанными выше трудностями, так как в условие ( 6) для определения уровня Ферми входит эффективная масса. [10]

Схема включения фотосопротивления. [11]

Электроны валентной или примесной зоны такого фотосопротивления принимают энергию кванта света, равную расстоянию до зоны проводимости, и переходят в последнюю, где участвуют в электропроводности. [12]

Изменения постоянной. [13]

Что касается ионизации примесной зоны, то анализ ее более сложен. [14]

Энергетическая зависимость плотности состояний в предположении модели примесной зоны по Лэксу и Фил-липсу при NI 3 4 - 1019 см 3 и Т - 300 К.| Энергетическая зависимость плотности состояний в предположении модели примесной зоны по Лэксу и Филлипсу при N i 1 3 - 1020 см 3 и Т 300 К. [15]

Страницы: 1 2 3 4