Примесная зона

Cтраница 2

Прежде всего само понятие примесная зона нельзя понимать слишком буквально. [16]

Электрические поля заряженных центров. Вверху на энергетической схеме кружками отмечены изначальные значения энергии доноров и акцептора, горизонтальными черточками - значения энергии доноров, скорректированные кулоневским потенциалом заряженных примесей. Этот потенциал показан внизу. [17]

Это превращение уровня в примесную зону при NUQ С 1 не связано с перекрытием волновых функций; оно имеет чисто классическую причину. Перекрытие, а при какой-то степени перекрытия и дело-кализация, возникают при более сильном легировании. [18]

До-норный уровень расщепился в примесную зону ehd, верхняя граница которой располагается выше дна прежней зоны проводимости Е с, а нижняя граница - ниже Е с. Плотность состояний в этой зоне выражается кривой ehd. Наложение этой кривой на кривую ab дает кривую плотности состояний bghd для зоны проводимости такого полупроводника. Из рис. 6 9 6 видно, что в подобном полупроводнике, как и в металле, зона проводимости оказывается частично заполненной даже при абсолютном нуле. Самый верхний заполненный уровень представляет собой уровень Ферми. Электронный газ в зоне проводимости такого полупроводника, как и в зоне проводимости металла, является вырожденным. По этой причине такие полупроводники называются вырожденными. [19]

Диаграмма зон в координатах ( §, k для германия. [20]

Эллипс на диаграмме соответствует примесной зоне. [21]

При более высоких концентрациях примесей примесная зона сливается с зоной проводимости, при этом электроны остаются в ней при всех температурах и их концентрация не зависит от температуры. Такие вещества называются полуметаллами. [22]

Именно так с точки зрения примесной зоны и объясняется проводимость по примесям, хотя в этом случае величины Еа или Еа остаются неизменными. [23]

Существенным результатом явилось то, что примесная зона имеет четкие границы, подобно зонам проводимости или валентной. [24]

Модель суперпозиции зон приближения сильной связи для Tlj / Ari - y ( а и Tlj, ( ТЬТе ] -, ( б. Показано N ( E ] для нескольких значений у. слева от вертикальной линии - для Т1, справа - для Аг или Т12Те. Для Т1 и Аг показаны только зоны проводимости, а для Т12Те показана также и валентная зона. Ь / показана горизонтальной линией. она всегда ниже края зоны проводимости для Аг, но лежит выше края зоны проводимости ТЬТе при у0 67 и х0 80. [25]

В отличие от Т1 - Аг примесная зона Т1 поглощается зоной проводимости полупроводника. [26]

Локализация и эффекты, обусловленные существованием примесных зон, подробно рассмотрены в гл. [27]

Рассмотрим основные внешние проявления проводимости в примесной зоне. В [139] исследованы температурные зависимости коэффициента Холла R и удельного сопротивления р в Ge с примесью сурьмы 5 10й Nsb 1018 см 3 в температурном интервале 1 3 - 300 К. На рис. 1.60 приведены зависимости удельного сопротивления от 1 / Т, измеренные в [139] на тех же кристаллах. [28]

Образование примесной зоны у полупроводника электронного типа.| Перекрытие примесной зоны с зоной проводимости у полупроводника электронного. [29]

Чем выше концентрация примесей, тем шире примесная зона и при достаточно высокой концентрации доноров возможно перекрытие зоны проводимости с примесной зоной. Такой полупроводник называют вырожденным. Расчет показывает, что уровень Ферми для такого случая будет лежать в примесной зоне, выше дна зоны проводимости. [30]

Страницы: 1 2 3 4