Примесная зона

Cтраница 3

При больших концентрациях примесей их уровни образуют примесные зоны. Возьмем полупроводник с относительно малой концентрацией примесей и обозначим через WD и WA соответственно энергии донор-ных и акцепторных уровней, а через GD и GA - степени их вырождения. На примесном уровне не может быть больше одного электрона вследствие отталкивания электронов. [31]

Предположение о гауссовом ха - - рактере примесных зон приводит к удовлетворительным результатам и в тех случаях, когда примесная и основная зоны частично перекрываются и полупроводник следует относить к сильнолегированному. Эта модель будет использована в дальнейшем при изучении эффектов насыщения и генерации света в полупроводниках. [32]

Сравнение значений Et из 99 с теоретическими расчетами работ ( верхняя кривая и ( нижняя кривая. Nm 2NS 3 5 10 см-2. Уровень легирования подложки Л 8 9 10 см 3. Теоретическая энергия связи и экспериментально определенная величина., сравниваются для различных значений приповерхностного поля F, соответствующих различным значениям У.| Энергии активации для возбуждения иа край подвижности (. и для прыжкового переноса по ближайшим соседям (. 3 при различных Nm. Две группы данных соответствуют двум различным образцам. Линейная аппроксимация ( сплошные линии проводилась лишь для данных, изображенных кружками. Линии отвечают зависимостям Е, ( 24 1 - 1 4 10 - / V0 мэВ и. 3 ( 5 1 - 7 3 10 - 12yVOK мэВ. [33]

При этих концентрациях мы должны наблюдать слияние примесной зоны с хвостом основной. [34]

В этих условиях обычная постановка задачи о примесной зоне становится беспредметной. Но это еще не означает, что в этом случае примесных зон нет вообще. [35]

Зависимость энергии.| Зависимость энергии ионизации доноров и акцепторов в кремнии от их концентрации. [36]

Существует несколько подходов при рассмотрении вопроса о примесных зонах. [37]

Зависимости концентрации п и подвижности ji носителей от температуры подложки Ти для нелегированных и легированных индием пленок CdS, полученных дискретным испарением [ ПО ]. [38]

Сообщалось, что при высокой концентрации вакансий образуется примесная зона. By и Бьюб [127] отмечают, что в пленках, получаемых методом испарения и содержащих мелкие донорные уровни, при отсутствии освещения концентрация электронов в температурном интервале от 200 до 330 К фактически не зависит от температуры. В пленках, осаждаемых данным методом, существенное влияние на процесс переноса носителей заряда оказывают структурные свойства и электрофизические характеристики межзеренных границ. Пленки CdS непосредственно после испарения нечувствительны к воздействию света. Однако после введения в пленку CdS ( диффузионным способом) атомов меди наблюдается значительная фотопроводимость, и в условиях высокого уровня фотовозбуждения концентрация электронов оказывается более низкой, а их подвижность - более высокой, чем в пленках CdS, не содержащих меди. [39]

Несколько подробнее об образовании локальных энергетических уровней и примесных зон в кристаллах и той роли, которую они играют при объяснении свойств полупроводников, пойдет речь в гл. [40]

Составляющая вольт-амперной характеристики туннельного диода, создаваемая туннельным переходом.| Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [41]

Следует отметить, что перекрытие зоны проводимости и примесной зоны приводит к такому положению, когда плотность состояний при Е 0 ( нижняя граница зоны проводимости в отсутствие перекрытия) оказывается отлична от нуля и это несколько изменяет вид вольт-амперной характеристики и смещает положение минимума иг в сторону больших напряжений. [42]

К сожалению, вследствие трудностей очистки и образования примесных зон количество экспериментальных данных, которые можно было бы сравнить с этими теоретическими значениями, очень мало. [43]

Стерн и Талли [76] показали, что образование примесной зоны при значительной концентрации примесей влияет на плотность уровней в зоне проводимости и это приводит к изменению зависимости оптической ширины запрещенной зоны от концентрации электронов. [44]

& сле создания инжекционных лазеров интерес к форме примесной зоны и хвостам плотности состояний основных зон значительно возрос. Без детального знания этих величин невозможно установить механизм генерации. Наличие хвостов и их форма определяют характер зависимости коэффициента усиления от накачки, зависимость порогового тока и мощности генерации от коэффициента потерь и температуры. Контур полосы люминесценции и край фундаментальной полосы поглощения также связаны с хвостами зон. [45]

Страницы: 1 2 3 4