Электронная зона

Cтраница 2

В нашей многоэтажной бутылке, моделирующей электронные зоны, не следует совсем забывать о соединительной трубке. Она ведь может иметь и разную длину, и разное сечение, а от них зависит, например, следующий процесс. Представим себе, что бутылку слегка трясут. В результате такой тряски какое-то количество жидкости, пусть по каплям, будет попадать в абсолютно пустое отделение, расположенное выше заполненного. Роль тряски в твердых телах играет нагрев. Нагревом можно забрасывать в зону проводимости носители тока ( электроны) если трубка сравнительно неплохо их пропускает. Чем сильнее тряска, тем больше электронов будет в верхней свободной зоне и тем лучше должна быть проводимость. [16]

Мы не рассматриваем других примеров энергетической структуры электронных зон в кристаллах, так как в качественном отношении они не дают ничего нового. Кроме того, энергетический спектр электронов для других кристаллов, в частности для металлов и ионных кристаллов, выяснен с меньшей степенью достоверности. [17]

Диилектрикч, Кристаллы, имеющие только заполненные или пустые электронные зоны, ведут себя в электрич. [18]

Изменения перекрытия электронных полос халь-когенидов переходных элементов. [19]

Приведенные соображения основаны на чисто качественных моделях строения электронных зон соединений. Однако анализ термоэлектрических свойств можно сделать более строго с получением полуколичественных результатов об особенностях электронного строения соединений. [20]

Поскольку в элементарной ячейке антрацена имеется две молекулы, электронные зоны имеют две ветви, соответствующие симметричным () и антисимметричным ( -) комбинациям базисных молекулярных волновых функций внутри элементарной ячейки. [21]

В более новых представлениях исходят из того, что электронные зоны образуются при перекрывании орбиталей, которые под влиянием окружающего кристаллического поля имеют определенную пространственную ориентацию. [22]

Его энергия / 3, где ъ - ширина разрешенной электронной зоны в кристалле с недеформиров. [23]

Постоянная ( dEnk / dRj) просто выражает сдвиг энергии электронной зоны вследствие статического смещения атомов. Такая деформация приводит к изменению энергий электронов в разных точках зоны Бриллюэна. Параметры, описывающие эти изменения, индуцированные статическими искажениями решетки, называются деформационными потенциалами. Таким образом, коэффициент 9Еп / дИ3 связан с деформационными потенциалами кристалла. Теперь мы подробно рассмотрим, как электрон-фононные взаимодействия в полупроводниках выражаются через деформационные потенциалы. [24]

При не слишком высоких температурах обмен электронами осуществляется только между донорами и электронной зоной. [25]

Проведен качественный анализ связи термоэлектрических свойств полупроводниковых соединений переходных металлов с особенностями строения их электронных зон. Отмечена роль степени перекрытия высокоплотных d - и f - состояний с низкоплотными s - и р-состояниями атомов исходных элементов. Качественно объяснены закономерности смены электрофизических свойств соединений вдоль рядов и групп Периодической таблицы элементов. [26]

Схема электронных зон сплавов Ce3S4. [27]

Особенности термоэлектрических свойств соединений переходных металлов более или менее удовлетворительно могут быть объяснены только с учетом многополосности электронных зон этих систем. [28]

Выше уже говорилось о том, что механизм передачи электрона в каталитических процессах сначала пытались объяснить исходя из концепции кооперативной электронной зоны, а затем-из представления о более локализованной каталитической единице, согласно которой атом или ион взаимодействуют со своими ближайшими соседями. [29]

Таким образом, наряду с переносом частиц при геомагнитных возмущениях циклотронная неустойчивость является одним из основных бесстолкновительных механизмов формирования электронных зон радиации. [30]

Страницы: 1 2 3 4