Электронная зона
Cтраница 3
Детальное исследование модели Хаббарда показывает, что раздвижка зон при росте t /, достигнув величины W, перестает увеличиваться и форма электронных зон существсппо меняется при переходе из парамагн. [32]
Систематическое исследование электронного взаимодействия этого типа, вероятно, может дать ценные результаты, особенно если его провести с учетом степени заполнения электронных зон адсорбента. [33]
В антрацене соответствующее значение равно 50 - 70 А ( см. табл. 3.4); разница может быть обусловлена существованием в ПТС широких электронных зон для движения электронов вдоль цепи. Большая ширина зон приводит к более высоким подвижностям, а, как это видно на примере жидкостей ( см. разд. [34]
 |
Отношение сопротивлений некоторых очищенных металлов. [35] |
Из таблицы следует, что для некоторых металлов процесс очистки идет довольно успешно, однако еще многое необходимо сделать для получения полной картины структуры электронных зон металлов. [36]
Здесь Dij называется междолинным деформационным потенциалом i и j означают соответственно, начальную и конечную долину в процессе рассеяния; п и k - индекс электронной зоны и волновой вектор электрона соответственно. [37]
Хлористый таллий, окрашенный родамином Б, дает в видимой части широкую область фотоэлектрической чувствительности, распространяющуюся с увеличением концентрации в сторону длинных волн, что свидетельствует о сильном взаимодействии молекул красителя с электронными зонами полупроводника. [38]
Хвост плотности состояний в запрещенной зоне проявляется в межзонном оптич. Однако в целом электронные зоны в аморфных и кристаллич. [39]
Чтобы обсудить применимость формулы (3.50) к РКРС в кристаллах и появление дополнительной структуры, предсказываемой ( 3.5 1), рассмотрим одномерный полупроводниковый кристалл. Предположим, что электронная зона с конечной эффективной массой и прямая дьфочпая зона ( бесконечная эффективная масса), представленные на фиг. [40]
Допустим, что кристалл составляет один моль натрия. В этом случае электронная зона, образованная Зх-электронами, содержит N уровней и N электронов. На N уровнях максимально может расположиться 2N электронов. Таким образом, Ss-зона оказывается заполненной электронами лишь наполовину. Поэтому в электрическом поле электроны могут легко передвигаться, занимая вакантные уровни в той же самой зоне. Если бы Ss-зона не перекрывалась с Зр-зоной, то и в этом случае натрий хорошо проводил бы электрический ток. Перекрывание 3s - и Зр-зон тем более способствует высокой электрической проводимости. [41]
Допустим, что кристалл составляет один моль натрия. В этом случае электронная зона, образованная Зз-электронами, содержит N уровней и N электронов. На N уровнях максимально может расположиться 2N электронов. Таким образом, Ss-зона оказывается заполненной электронами лишь наполовину. Поэтому в электрическом поле электроны могут легко передвигаться, занимая вакантные уровни в той же самой зоне. Если бы 35-зона не перекрывалась с Зр-зоной, то и в этом случае натрий хорошо проводил бы электрический ток. Перекрывание 3s - и Зр-зон тем более способствует высокой электрической проводимости. [42]
При рассмотрении соединений с замкнутыми ( заполненными) электронными оболочками мы отмечали, что, когда устойчивость двухэлектронных связей недостаточна для удержания атомов ковалентного кристалла с его неплотноупакованной структурой, образуется структура с плотной упаковкой. При этом для расчета электронных зон и их зависимости от типа взаимодействия требуется иной подход. Мы подробно рассмотрели случай такой устойчивой структуры, когда атомная и электронная конфигурации перестраиваются, образуя замкнутые электронные оболочки типа имеющихся в кристаллах инертных газов. I), где изображены соответствующие атомные уровни. При образовании соединения электроны переходят с высокоэнергетических уровней элементов левого края каждого периода на низкоэнергетические уровни элементов правого края. При этом некоторые электронные оболочки оказываются пустыми, а другие заполняются. [43]
 |
Перекрывающиеся электронные зоны. [44] |
Внешнее электрическое поле приводит к ускорению электронов в направлении поля, что вызывает смещение поверхности Ферми. Изолятор представляет собой кристалл, у которого все электронные зоны либо целиком заполнены, либо совершенно свободны. Если ширина запрещенного участка между заполненной и свободной зоной достаточно мала, то в результате термического возбуждения электроны будут переходить из заполненной, зоны в свободную, что приведет к конечной электропроводности. [45]
Страницы: 1 2 3 4