Валентная зона

Cтраница 1

Валентная зона расщеплена на две. [1]

Валентная зона, образованная 2р - электронами ионов 02 -, и пустая зона проводимости, образованная электронными состояниями 4s - и 4р - катионов, на этой схеме не показаны, поскольку их возможный вклад в проводимость не соответствует механизму обмена валентностями. Очевидно, что акцепторный уровень пары Li - Ni2 расположен выше уровня Ni2 и аналогично донорный уровень пары Ti4 - Fe2 расположен несколько глубже уровня несвязанного Ре2 - иона. [2]

Валентная зона имеет N близкорасположенных энергетических уровней и может заключать 2N электронов. Кроме того, для натрия ширина вышележащих зон такова, что зоны 3s и Зр перекрывают друг друга. [3]

Зонная структура собственного полупроводника. а - невозбужденное состояние. б - частично возбужденное состояние. [4]

Валентная зона в кристалле всегда заполнена, если на атом вещества в среднем приходится четное число валентных электронов, и наоборот: валентная зона заполнена частично, если число этих электронов - нечетное. [5]

Валентная зона в InSb и InAs имеет структуру, предсказанную Кей-ном. Валентные зоны всех других соединений AZIIBV также подчиняются теории Кейна. [6]

Валентные зоны в этих соединениях, в основном, эквивалентны валентным зонам Ge и Si. Так как зоны проводимости большинства рассматриваемых соединений элементов III и V групп изотропны, нужно принять одно значение скалярной массы электронов. Эта масса, однако, зависит от легирования. Поэтому в сильно легированных соединениях нужно иметь в виду и добавочные электроны с различными ( тензорными) эффективными массами. [7]

Валентные зоны всех рассматриваемых соединений качественно одинаковы. Они состоят из 16 ветвей, сгруппированных в несколько разрешенных подзон, между которыми имеются запрещенные участки. [8]

Валентная зона в AIUBV, так же как в германии и кремнии, вырождена в центре зоны Бриллюэна и состоит из зон тяжелых и легких дырок и третьей зоны, отщепленной из-за спин-орбитального взаимодействия. Однако абсолютные максимумы валентной зоны расположены не в центре зоны Бриллюэна, а на некотором малом расстоянии от него. В AU1BV с малым средним атомным номером ( AlSb, GaP) абсолютные минимумы зоны приводимости располагаются в направлениях [111] и [100] в зоне Бриллюэна. [9]

Валентная зона - энергетическая область разрешенных электронных состояний в твердом теле; при абсолютном нуле температуры целиком заполнена валентными электронами. [10]

Образование А - металла или В - полупроводника, диэлектрика при сближении изолированных атомов в зависимости от условий перекрывания зон. [11]

Валентная зона и зона проводимости могут перекрываться или нет, но валентная зона заполнена не нацело. Например, у Лга имеется 1 электрон: / состояния свободны. [12]

Образование металла, полупроводника и диэлектрика при сближении изолированных атомов в зависимости от условий перекрывания зон. [13]

Валентная зона и зона проводимости могут перекрываться или нет, но валентная зона заполнена не нацело. Например, у Na имеется 1 электрон: р-состояния свободны. [14]

Валентная зона полностью заполнена, а зона возбужденных состояний в обычных условиях свободна, причем ширина запретной зоны значительна и составляет 5ч - 10 эв. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5