Cтраница 3
Валентная зона - верхняя из заполненных зон полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами. [31]
Зависимость постоянной Холла йвТе ( 2241 от температуры. Образцы те же, что и на.| Зонная структура Ge. 1000800 600 500 400 350 300 Т К.| Зонная структура Si 1117 ]. [32] |
Валентные зоны Si и Ge расщеплены на три подзоны, две из которых вырождены в точке k 0, а третья отщеплена спин-орбитальным взаимодействием. [33]
Валентные зоны F v вместе с зонами проводимости / с и Г с образуют теперь набор из 14 невозмущенных волновых функций, связанных друг с другом ( k - р) - членом. [34]
Валентная зона интерметаллов несколько отличается от валентной зоны веществ IV группы - она также состоит из трех полос, одна из которых вследствие спин-орбитального взаимодействия опущена на величину ESO, имеющую различное значение для разных соединений. Две другие полосы, соответствующие легким и тяжелым дыркам, расщепляются в центре зоны Бриллюэна в силу наличия антисимметричной части потенциального поля. Благодаря этому максимумы энергии легких и тяжелых дырок смещены относительно зоны Бриллюэна. При этом может быть смещен максимум одной полосы, или обеих полос. [35]
Температурные зависимости компонентов.| Температурные зависимости удельной проводимости ( а, коэффициента Холла ( б и собственной концентрации носителей ( в в Те. [36] |
Валентные зоны Si и Ge расщеплены на три подзоны, две из которых вырождены в точке &0, а третья отщеплена за счет спинорбитального взаимодействия. [37]
Зонная структура металла. [38] |
Валентная зона диэлектриков заполнена. [39]
Валентная зона слоя GaSb располагается выше на величину Д 0 15 эВ, чем зона проводимости слоя InAs, что и вызывает электронные переходы между ними. [40]
Незаполненная валентная зона натрия является зоной проводимости. Находящиеся в этой зоне электроны называют электронами проводимости. Остальные электроны атомов натрия не могут принимать участие в переносе заряда. [41]
Максимум валентной зоны соответствует самому нижнему вырожденному уровню, определяемому равенством (3.27), а минимум зоны проводимости обычно соответствует самому верхнему невырожденному уровню, определяемому тем же равенством. [42]
Против валентной зоны резко возрастает число свободных энергетических состояний в зоне проводимости и переход электронов из валентной зоны в зону проводимости увеличивается. [44]
Выше валентной зоны III ( рис. 38, о) располагается зона проводимости I. Если электрон имеет энергию, соответствующую этой зоне, он будет участвовать в электрической проводимости. [45]