Cтраница 4
Валентной зоной является 2Р - зоиа. На уровне 3S у натрия имеется один электрон. В 35-зоне кристалла натрия может быть 3N электронов, если N - число атомов натрия в кристалле. Однако число электронов в этой зоне равно N. [46]
Если валентная зона заполнена целиком ( все уровни энергии в ней заполнены электронами) и ширина запрещенной зоны не равна нулю, то валентные электроны не могут приобретать дополнительную кинетическую энергию и не являются свободными. Одновременно в валентной зоне появляется один свободный уровень, соответствующий дырке, что позволяет электронам валентной зоны перемещаться. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости может произойти под действием тепловой энергии или какого-либо другого источника энергии. [47]
Если валентная зона почти полностью занята [ / ( Е) 1 ], а зона проводимости, по сравнению с ней, почти пуста [ / ( Е) С 1 ], то уровень Ферми, для которого / ( Еф) 0 5, заведомо должен лежать между ними. Отсюда должно быть понятно также, что энергетический уровень Ферми сильно зависит от добавок электронных доноров или акцепторов. Сильно влияет на него и нарушение электронейтральности полупроводниковой фазы. [49]
Энергетические зоны изолированного атома натрия ( а и кристалла натрия ( б. [50] |
Если валентная зона и зона проводимости отделены запрещенной зоной AW0 ( а таковы зонные структуры многих твердых тел), то эти твердые тела относят к диэлектрикам и полупроводникам. [51]
Кривые дисперсии для фотонов ( 1. [52] |
Если валентная зона состоит из трех подзон, то в спектре экситонного излучения наблюдается не одна, а три водородо-подобных серии линий, или серии А, В, С. Серия А - наиболее длинноволновая - относится к верхней подзоне валентной зоны, серия В - к средней подзоне, а С - к самой нижней подзоне. [53]
Если валентная зона заполнена не полностью, то кристалл является проводником. Если валентная зона заполнена полностью, но перекрывает зону возбужденных состояний, то часть электронов из валентной зоны будет переходить в зону проводимости и эти электроны станут электронами проводимости. В валентной же зоне за счет ухода электронов появляются дырки. В этом случае вещество ведет себя как проводник, его проводимость обусловлена не только наличием электронов проводимости, но и наличием дырок. Дырки ведут себя как положительные заряды. Заполнение дырки электроном при дефиците электронов равносильно передвижению положительного заряда. Эти два типа распределения электронов по энергетическим зонам характерны для металлов. [54]
Если валентная зона заполнена не полностью, то кристалл является проводником. Если валентная зона заполнена полностью, но покрывает зону возбужденных состояний, то часть электронов из валентной зоны будет переходить в зону проводимости и эти электроны станут электронами проводимости В валентной же зоне за счет ухода электронов появляются дырки. В этом случае вещество ведет себя как проводник, его проводимость обусловлена не только наличием электронов проводимости, но и наличием дырок. Дырки ведут себя как положительные заряды. Заполнение дырки электроном при дефиците электронов равносильно передвижению положительного заряда. Эти два типа распределения электронов по энергетическим зонам характерны для металлов. [55]
Третья валентная зона - Е3т, - опущена вниз на величину Д, представляющую собой энергию спин-орбитального взаимодействия. Параметр Кейна Ее, определяющий положение дна зоны проводимости, представляет собой запрещенную зону, при этом допускается и отрицательное значение ЕЕ. [56]
Чем валентная зона отличается от зоны проводимости. [57]
Если валентная зона заполнена не полностью, то кристалл является проводником. Если валентная зона заполнена полностью, но покрывает зону возбужденных состояний, то часть электронов из валентной зоны будет переходить в зону проводимости и эти электроны станут электронами проводимости. В валентной же зоне за счет ухода электронов появляются дырки. В этом случае вещество ведет себя как проводник, его проводимость обусловлена не только наличием электронов проводимости, но и наличием дырок. Дырки ведут себя как положительные заряды. Заполнение дырки электроном при дефиците электронов равносильно передвижению положительного заряда. Эти два типа распределения электронов по энергетическим зонам характерны для металлов. [58]
Зонная схема полупроводника ( состояния, эа-полвенные элеитровами, заштрихованы.| Расположение иао-энергетических поверхностей электронов в зоне Бриллю-еиа для Si ( пунктир - границы зоны. [59] |
Если валентная зона целиком заполнена электронами, то в ней нет элементарных возбуждений. [60]