Широкая запрещенная зона

Cтраница 1

Уровни потенциальной энергии валентных. [1]

Широкая запрещенная зона препятствует переходу валентных электронов из валентной зоны в зону проводимости; зона проводимости в диэлектрике не заполнена электронами. [2]

Широкая запрещенная зона, большой температурный коэффициент электросопротивления, а также необходимые контактные свойства делают бор перспективным для применения в термисторах. Бор применяют для изготовления нейтронных термометров и сопротивлений С высоким температурным коэффициентом, а также в качестве окон, прозрачных для инфракрасного излучения. Газообразный BF3 применяют в счетчиках нейтронов. Бор и его соединения - нитрид BN, карбид В4С, фосфид ВР и др. - применяют как диэлектрики и полупроводниковые материалы. Широко используются борная кислота и ее соли, прежде всего бура. [3]

Кривые спектральной чувствительности барабанов из a - Si. / - положительный заряд [ Ь С-a - Si.. Н ( р ]. 2 - отрицательный заряд БС - a - Si. N. И ( л 1. [4]

Благодаря широкой запрещенной зоне a - Si: Н максимальная фото-чувствительность a - Si: Н - фотоприемника наблюдается вблизи 650 им, а в длинноволновой области чувствительность быстро падает. Это необходимо для использования фотоприемника в совокупности с полупроводниковым инжекционпым лазером ( 770 - 800 им) и для разработки быстродействующего твердотельного лазерного линейного ПУ. [5]

Зависимость мощности, рассеиваемой р-п-пе-реходом, от приложенного напряжения. [6]

Полупроводники с широкой запрещенной зоной ( и соответственно относительно малыми величинами п -) являются подходящими для создания p - n - переходов на большие плотности тока, работающих при высоких температурах. Поэтому кремниевые выпрямительные переходы превосходят германиевые для случаев большой плотности тока или повышенной температуры. [7]

Аргон обладает широкой запрещенной зоной, а энергия Ферми зоны проводимости Т1 должна лежать в этой запрещенной зоне. [8]

Схема заполнения вин в диэлектриках и полупроводниках ( а, металлах ( б и полуметаллах ( в.. р - Уро - б вень Ферми. [9]

Вещества с широкой запрещенной зоной, разделяющей валентную зону и зону проводимости, являются диэлектриками, а вещества с болсо узкой запрещенной зоной ( обычно меньше 2 5 - 3 эВ) - полупроводниками. [10]

В материалах с широкой запрещенной зоной ( например, в кремнии) концентрация неосновных носителей очень мала и основное влияние оказывают носи - - тели, генерируемые внутри обедненного слоя в виде электронно-дырочных пар. [11]

В кристаллах с достаточно широкой запрещенной зоной концентрации неосновных носителей заряда пр и рп очень малы, и поэтому диффузионные токи для данного прямого смещения намного меньше, чем в кристалле с относительно небольшой шириной запрещенной зоны. Это означает, что в область пространственного заряда со стороны области / г-типа входит электронный ток больший, чем уходит из этой области со стороны области р-типа. [12]

В кристаллах с достаточно широкой запрещенной зоной концентрации неосновных носителей заряда пр и рп очень малы, и поэтому диффузионные токи для данного прямого смещения намного меньще, чем в кристалле с относительно небольшой шириной запрещенной зоны. Это означает, что в область пространственного заряда со стороны области - типа входит электронный ток больший, чем уходит из этой области со стороны области р-типа. [13]

Другим полупроводящим окислом с широкой запрещенной зоной является частично восстановленный ТЮ2, в чистом виде также обладающий проводимостью n - типа. Ширина запрещенной зоны ТЮ2 составляет около 3 эв. Донорные уровни, обусловленные избыточным титаном, расположены, как показал Кронемайер [179], на расстоянии около 0 07 эв от дна зоны проводимости. [14]

Схема установки электрохимического профилирования поверхности с использованием виртуального катода.| Схема струйного электрохимического травления. [15]

Страницы: 1 2 3 4