Широкая запрещенная зона
Cтраница 4
Для получения видимого излучения необходимо изготавливать светодиоды из полупроводников с более широкой запрещенной зоной. [46]
 |
Схема возможных излучательных переходов в полупроводнике а-орямые. б - через примесный центр. [47] |
Как правило, эти задачи сложно решать для полупроводников с более широкой запрещенной зоной в связи с их более высокими температурами плавления. Поэтому задача получения интенсивного рекомбинационного излучения усложняется с уменьшением длины волны. [48]
Следует добавить, что экситоны френкелевского типа типичны для изоляторов с широкой запрещенной зоной, в которых эффект экранирования взаимодействия между электроном и дыркой выражен слабо. Как показали вычисления Нокса [30], таким путем можно хорошо описать, например, низшее экситонное состояние в твердых инертных газах. [49]
Так, транзистор, у которого эмиттер изготовлен из полупроводника с более широкой запрещенной зоной, чем у материала базы, проявляет слабую - зависимость коэффициента усиления от тока эмиттера и обладает малой емкостью эмиттерного перехода. [50]
В этой трехслойной структуре теллур и сульфат кадмия, являющийся полупроводником с широкой запрещенной зоной, образует п-р-переход. Наличие п-р-перехода приводит к тому, что электроны в диоде могут двигаться в одном направлении - из индия в сульфат кадмия, затем на анод, в пленку теллура. Переход в обратном направлении затруднен полем п-р-перехода. Работа инжекцион-ного диода напоминает работу полупроводникового и вакуумного электронного диодов. Действительно, электроны инжектируются в высокоомный полупроводник, в котором чрезвычайно мало свободных электронов и ионов, так что ничто не препятствует их прохождению к аноду. При этом движущиеся электроны создают область пространственного заряда, как и в вакуумном диоде, вследствие чего их анодные вольт-амперные характеристики почти тождественны. В то же время для получения односторонней проводимости используется п-р-переход, как и в обычном полупроводниковом диоде. [51]
Определенные трудности здесь могут возникать ( особенно при изучении твердых сещсчтв с широкой запрещенной зоной), если экситонныс переходы лежат в облает частот, несколько меньших, чем электронные переходы через запрещенную зону. Это относится к переходам на дискретные энергетические уровни, которые лежат чуть ниже дна зоны проводимости. В этом ел чае трудно точно отличить экситонньгс переходы от переходов через запрещенную зону. [52]
Те, InSb при достаточно высокой температуре, но в полупроводниках с более широкой запрещенной зоной S, например в германии и кремнии, этот процесс является маловероятным и преобладающую роль играет рекомбинация через примесные центры, называемые центрами рекомбинации. Обычно роль центров рекомбинации играют уровни, расположенные примерно посредине запрещенной зоны. [53]
Обычно а ( со) больше 0 ( 0), если нет широкой запрещенной зоны, поэтому необходимость экспериментального ограничения коэффициентами поглощения a lOOO см-1 для измерений пропускания приводит к невозможности измерений поглощения для жидкостей, проводимость которых на постоянном токе превышает - 10 Ом - см-1. Это объясняет отсутствие измерений оптического поглощения для многих жидких полупроводников. [54]
Таким образом, из глубоких атомных уровней образуются узкие энергетические зоны, разделенные широкими запрещенными зонами Ее. [55]
Энергетический спектр идеального диэлектрика состоит из валентной зоны и зоны проводимости, разделенных широкой запрещенной зоной. [56]
Страницы: 1 2 3 4