Широкая запрещенная зона - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если вам долго не звонят родственники или друзья, значит у них все хорошо. Законы Мерфи (еще...)

Широкая запрещенная зона

Cтраница 3


Интенсивно окрашенными могут быть кристаллы и с широкой запрещенной зоной, например, ярко-красный рубин, решетку которого составляет корунд с U 7 3 эв. Центры окраски в них - это так называемые F-центры; они могут быть созданы и в щелочных галогенидах. В этих случаях окраска вызвана примесями к основной решетке, образующими локальные уровни в запрещенной зоне с глубиной залегания, соответствующей электронным переходам в видимой области спектра. По современным представлениям, F-центры являются образованиями, состоящими из анионной вакансии и связанного с ней электрона, причем последний возник в результате ионизации атомов щелочного металла, введенного в решетку галогенида.  [31]

На основе бинарных и тройных материалов с широкой запрещенной зоной разработаны фотодиоды с барьером Шоттки, чувствительные к видимому и ультрафиолетовому излучению.  [32]

Для изготовления излучателей используются полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, например: арсенид галлия, фосфид галлия, твердые растворы арсенид-фосфида галлия Ga ( Asi Px), карбид кремния и другие материалы. Для снижения безыз-лучательной рекомбинации носителей заряда лазеры из арсенида галлия охлаждаются до очень низких температур.  [33]

Как уже указывалось выше, материалы с широкой запрещенной зоной сохраняют свои полупроводниковые свойства при высокой температуре и приборы, изготовленные из них, могут работать при более высоких температурах, когда германиевые и кремниевые приборы оказываются неработоспособными. Интерметаллические соединения также относятся к числу материалов, которые позволяют создавать такие приборы.  [34]

Это название нередко применяют к полупроводникам с широкой запрещенной зоной.  [35]

Такое поведение характерно для ионных кристаллов с достаточно широкой запрещенной зоной, которые, хотя и могут обнаруживать значительную электронную проводимость, не являются полупроводниками в строгом смысле этого слова. Теория разупорядоченности ионных кристаллов будет изложена в следующей главе.  [36]

Поэтому рассмотренное явление интересно в случае полупроводников с широкой запрещенной зоной, а не для германия и кремния.  [37]

Для кристалла LiF характерны высокая степень ионности связи и широкая запрещенная зона.  [38]

Идеальный диэлектрик подобен вакуумному промежутку, так как вследствие широкой запрещенной зоны в нем нет свободных носителей заряда. Проводимостью в нем можно управлять только посредством инжекции носителей из металлического электрода.  [39]

Ббльшая чувствительность к примесям у кремния обусловлена наличием у него более широкой запрещенной зоны. Это и недостаток, вызывающий трудности очистки, и достоинство, позволяющее кремниевым приборам работать при более высоких температурах по сравнению с германиевыми.  [40]

Материалы излучающих структур, как уже отмечалось, должны иметь широкую запрещенную зону.  [41]

42 Схема энергетических уровней кристаллофосфоров. [42]

Присутствие активатора приводит к появлению промежуточных дозволенных уровней энергии в широкой запрещенной зоне между нижней, заполненной электронами зоной и верхней свободной зоной проводимости.  [43]

44 Сплошные кривые - концентрация дефектов состава. [44]

Кристаллы огнеупорных окислов с катионами типа инертных газов и с широкой запрещенной зоной имеют стехиомет-рический состав ( СаО и MgO), а классическими примерами нестехиомет-рических соединений являются галогениды переходных металлов, которые имеют высокую электронную проводимость и несколько процентов вакантных узлов даже при стехнеметрическом составе.  [45]



Страницы:      1    2    3    4