Cтраница 3
Интенсивно окрашенными могут быть кристаллы и с широкой запрещенной зоной, например, ярко-красный рубин, решетку которого составляет корунд с U 7 3 эв. Центры окраски в них - это так называемые F-центры; они могут быть созданы и в щелочных галогенидах. В этих случаях окраска вызвана примесями к основной решетке, образующими локальные уровни в запрещенной зоне с глубиной залегания, соответствующей электронным переходам в видимой области спектра. По современным представлениям, F-центры являются образованиями, состоящими из анионной вакансии и связанного с ней электрона, причем последний возник в результате ионизации атомов щелочного металла, введенного в решетку галогенида. [31]
На основе бинарных и тройных материалов с широкой запрещенной зоной разработаны фотодиоды с барьером Шоттки, чувствительные к видимому и ультрафиолетовому излучению. [32]
Для изготовления излучателей используются полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, например: арсенид галлия, фосфид галлия, твердые растворы арсенид-фосфида галлия Ga ( Asi Px), карбид кремния и другие материалы. Для снижения безыз-лучательной рекомбинации носителей заряда лазеры из арсенида галлия охлаждаются до очень низких температур. [33]
Как уже указывалось выше, материалы с широкой запрещенной зоной сохраняют свои полупроводниковые свойства при высокой температуре и приборы, изготовленные из них, могут работать при более высоких температурах, когда германиевые и кремниевые приборы оказываются неработоспособными. Интерметаллические соединения также относятся к числу материалов, которые позволяют создавать такие приборы. [34]
Это название нередко применяют к полупроводникам с широкой запрещенной зоной. [35]
Такое поведение характерно для ионных кристаллов с достаточно широкой запрещенной зоной, которые, хотя и могут обнаруживать значительную электронную проводимость, не являются полупроводниками в строгом смысле этого слова. Теория разупорядоченности ионных кристаллов будет изложена в следующей главе. [36]
Поэтому рассмотренное явление интересно в случае полупроводников с широкой запрещенной зоной, а не для германия и кремния. [37]
Для кристалла LiF характерны высокая степень ионности связи и широкая запрещенная зона. [38]
Идеальный диэлектрик подобен вакуумному промежутку, так как вследствие широкой запрещенной зоны в нем нет свободных носителей заряда. Проводимостью в нем можно управлять только посредством инжекции носителей из металлического электрода. [39]
Ббльшая чувствительность к примесям у кремния обусловлена наличием у него более широкой запрещенной зоны. Это и недостаток, вызывающий трудности очистки, и достоинство, позволяющее кремниевым приборам работать при более высоких температурах по сравнению с германиевыми. [40]
Материалы излучающих структур, как уже отмечалось, должны иметь широкую запрещенную зону. [41]
Схема энергетических уровней кристаллофосфоров. [42] |
Присутствие активатора приводит к появлению промежуточных дозволенных уровней энергии в широкой запрещенной зоне между нижней, заполненной электронами зоной и верхней свободной зоной проводимости. [43]
Сплошные кривые - концентрация дефектов состава. [44] |
Кристаллы огнеупорных окислов с катионами типа инертных газов и с широкой запрещенной зоной имеют стехиомет-рический состав ( СаО и MgO), а классическими примерами нестехиомет-рических соединений являются галогениды переходных металлов, которые имеют высокую электронную проводимость и несколько процентов вакантных узлов даже при стехнеметрическом составе. [45]