Чисто электростатическое взаимодействие

Cтраница 2

Природа сил, вызывающих наличие координационных связей и определяющих устойчивость координационного соединения, сводится к чисто электростатическому взаимодействию между центральным ионом-комплексообразователем и лигандами. [16]

Если даже предположить, что действие индуктивного эффекта на энергию активации может быть сведено к чисто электростатическому взаимодействию заряженных атомов, что весьма сомнительно, то все же в уравнении ( 6) остается неясным физический смысл величин Р и Q. Поэтому уравнения ( 4) и ( 5) следует рассматривать как эмпирические. [17]

Начиная с 1920 г., когда Латимер и Родебуш предложили концепцию водородной связи, ведутся горячие споры: представляет ли собой водородная связь чисто электростатическое взаимодействие или она носит частично ковалентный характер. То, что сила водородной связи увеличивается с ростом электроотрицательности атомов, образующих водородную связь, показывает, что электростатическая энергия представляет важную часть энергии водородной связи. [18]

Как уже отмечалось, модель ТКП не может иметь серьезной физической ценности, поскольку в ней совершенно не учитывается истинное состояние лигандов даже в случае чисто электростатического взаимодействия металл - лиганд. Естественно, возникает вопрос, к чему приведет учет истинных размеров лигандов. Будем считать, что лиганд представляет собой сферу из отрицательных зарядов, в центре которой локализован положительный заряд, а взаимодействие такого лиганда с d - электронами иона металла остается чисто электростатическим. На рис. 26.24 схематически показано пространственное распределение d - орбиталей иона металла и заряженных сфер и ядер лигандов в комплексе. [19]

Большую роль при образовании комплексного агрегата играет взаимная поляризация частиц, приводящая к упрочению его, то есть к большим фактическим значениям энергии образования, чем вычисленные на основе лишь чисто электростатического взаимодействия ионов. Поляризацией объясняется то, что аддендами могут иногда быть и мало полярные молекулы ( NO, CO) и даже неполярные ( С2Н4): попадая в электрическое поле иона-к. [20]

Большую роль при образовании комплексного агрегата играет взаимная поляризация частиц, приводящая к упрочению его, то есть к большим фактическим значениям энергии образования, чем вычисленные на основе лишь чисто электростатического взаимодействия ионов. Поляризацией объясняется то, что аддендами могут иногда быть и малополярные молекулы ( NO, СО) и даже неполярные ( С2Н4): попадая в электрическое поле иона-к. [21]

Вопросу о некулоновском взаимодействии в растворах электролитов посвящена статья Крауса [12], в которой он, в частности, обсуждает вопрос о том, как изменяются константы диссоциации К алкилзамещенных аммонийных солей в зависимости от того, возможно ли или невозможно междуионное взаимодействие, выражающееся в образовании водородной связи, которое налагается на чисто электростатическое взаимодействие между ионами. Берут растворитель с низким сродством к протону, который поэтому не участвует в образовании водородной связи. [22]

Нельзя ожидать, чтобы эти уравнения давали правильные количественные результаты, так как они представляют собой предельные соотношения, применимые лишь к очень разбавленным растворам, и, кроме того, как показывают аномальные результаты, полученные в случае растворов азотнокислого лития и хлористого магния, солевые эффекты, вероятно, осложняются химическими эффектами, которые нельзя свести к чисто электростатическим взаимодействиям. [23]

Нужно иметь в виду, что может быть непрерывный переход от больших потенциальных барьеров до ничтожно малых, но тем не менее предполагаемый характер ассоциация ионов в ионных двойниках и в молекулах различный. В первом случае имеет место чисто электростатическое взаимодействие и нет потенциального барьера, во втором случае есть потенциальный барьер между молекулярным и ионным состоянием. Однако диссоциация слабого электролита, так же как и ионного ассоциата, происходит мгновенно и, следовательно, величина потенциального барьера ничтожна и при диссоциации молекул на ионы. [24]

В теории кристаллического поля учитывается только чисто электростатическое взаимодействие соответствующих d - орбиталей переходного металла с окружающими его лигандами. Последние считаются источником внешнего электрического поля без учета структуры их электронных орбиталей. Не учитывается также возможное взаимодействие d - орбиталей металла с электронными орбиталями лигандов с образованием химических связей. [25]

Теория молекулярных орбиталей исходит из того, что перекрывание орбиталей в какой-то мере происходит во всех случаях, когда это разрешено симметрией. Таким образом, эта теория предусматривает и чисто электростатическое взаимодействие при отсутствии перекрывания ( как предельный случай), и максимальное перекрывание орбиталей ( другой предельный случай), и всю совокупность промежуточных степеней перекрывания орбиталей. [26]

Распределение потенциала в двойном электрическом. [27]

На строение двойного электрического слоя оказывает также влияние специфическая адсорбция ионов и молекул, происходящая на границе электрод-раствор. Она вызвана действием химических сил и накладывается на чисто электростатическое взаимодействие между ионами и поверхностью электрода. Специфическая адсорбция ионов и молекул, вызывая изменение структуры двойного слоя, изменяет значение - потенциала и оказывает заметное влияние на величину поляризации и скорость электродных процессов ( см. гл. [28]

По этой теории комплексы металлов трактуют как системы с чисто электростатическим взаимодействием между центральным атомом и окружающими его лигандами. [29]

По этой теории комплексы металлов трактуют как системы с чисто электростатическим взаимодействием между центральным атомом и окружающими его лигандами. Однако в отличие от простой электростатической модели теория кристаллического поля использует понятия орбиталей и электронов. В первом приближении орбитали центрального иона рассматривают отдельно от орбиталей лиганда. Особым образом; теория рассматривает влияние разнообразных электростатических. [30]

Страницы: 1 2 3 4